摘要:
Circuit intégré à décalage compensé comprend un circuit de compensation. Le circuit de compensation comprend un compteur (CNT) dont la sortie attaque l'entrée d'une mémoire programmable (PRM) et une première entrée d'un convertisseur numérique-analogique (CNA). La sortie de la mémoire (PRM) est connectée à une deuxième entrée du convertisseur (CNA) en parallèle avec la première entrée. La sortie du convertisseur (CNA) produit un signal propre à compenser ledit décalage. On mesure le décalage (V o ) et on incrémente le compteur (CNT) jusqu'à obtenir sa compensation. On fixe alors la dernière valeur du compteur (CNT) dans la mémoire programmable (PRM).
摘要:
L'invention concerne une source de courant à gamme étendue de tensions de sortie. Le trajet émetteur-collecteur d'un transistor principal (T₃₀) npn agencé de manière à définir la valeur de courant, est disposé en série avec le trajet collecteur-émetteur de transistors de sortie du type npn (T₃₁...T₃₅) disposés en cascade. A chaque transistor de sortie (T₃₁...T₃₅) est associé un transistor de commande (T′₃₁...T′₃₅) du type opposé. Au moins certains transistors de commande (T′₃₁...T′₃₅) ont leur émetteur connecté au collecteur d'un transistor de sortie de rang différent. On obtient ainsi une tension de sortie V s pouvant évoluer entre des tensions faibles et une valeur voisine de la tension d'alimentation V c .
摘要:
L'invention concerne un transistor pour logique intégrée à injection (I²L) comprenant une seule région de sortie de collecteur et comportant au moins un contact de base disposé entre la région de sortie de collecteur (C₆₀, Cʹ₆₀) et l'injecteur (IN6), la surface de la région de sortie de collecteur étant plusieurs fois supérieure à celle d'une porte logique I²L multi-collecteurs. Il est caractérisé en ce que la base (B₆₀) présente au moins deux rangées de contacts interconnectés, une première rangée (CB₆₀, CB₆₁, CB₆₂) constituant ledit contact de base disposé entre le collecteur et l'injecteur, et au moins une deuxième rangée (CB₆₃, CB₆₄, CB₆₅) située dans le périmètre du collecteur (C₆₀, Cʹ₆₀), lequel peut être en une ou plusieurs parties. L'injecteur IN6 peut également présenter une rangée de contacts (CIN1, CIN2, CIN3) interconnectés.
摘要:
Circuit de commande de gain (10) d'un amplificateur (3) pour l'écoute par un haut-parleur (4) dans un appareil, notamment un poste téléphonique, qui comporte par ailleurs un microphone (1), en vue de supprimer l'effet Larsen. Ce circuit (10) comporte des premiers moyens de contrôle (100) qui commandent une première réduction de gain de l'amplificateur (3) lorsque l'amplitude du signal (S) provenant du microphone (1) dépasse un premier seuil déterminé par une première tension de référence VR1, selon une première constante de temps (RD1 + RD2).C, et comporte également des seconds moyens de contrôle (200) qui entrent en action seulement après ladite première constante de temps, et fournissent une réduction supplémentaire du gain selon une seconde constante de temps (RD2.C) plus courte que la première constante de temps, tant que l'amplitude du signal (S) provenant du microphone dépasse un second seuil, inférieur au premier seuil, fixé par une deuxième tension de référence VR2. Application à un poste téléphonique à écoute amplifiée par haut-parleur.
摘要:
- Circuit d'amplification dont l'étage d'entrée a un gain variable en vue d'un contrôle automatique du niveau de signal sur une borne de sortie (25) ainsi que des moyens pour la stabilisation du niveau de tension continue de fonctionnement du circuit, au moins sur la sortie. - Ce circuit comprend un étage d'entrée constitué par un transistor à effet de champ (T₁) à deux grilles (G₁), (G₂), et une résistance de charge (Rc), tandis que les moyens de stabilisation de la tension continue comprennent : un amplificateur différentiel à gain élevé (A₁, A₂), un filtre passe bas (20), (21) et un générateur de courant continu (T₂), l'ensemble étant agencé de manière à ce que la tension continue de la borne active (11) de la résistance de charge (Rc) soit assujettie à être égale à une tension de référence (VR₁) par l'effet d'une boucle de contre-réaction formée avec les éléments précités. - Application à l'amplification de signaux numériques de faible amplitude notamment dans des transmissions à grande vitesse.
摘要:
Mémoire avec un tampon amplificateur (TA) situé au bout de chaque ligne de bit, le tampon amplificateur étant aussi employé comme un "sense amplifier". Sur la ligne de bit Q le tampon amplificateur ne comporte que cinq transistors; le transistor de transmission TR ("passing") est activé pendant la lecture RD, et aussi pendant la précharge PCH; de ce fait le signal de sortie S est toujours à zéro pendant la précharge; la capacité parasitaire CS est petite par rapport à la capacité équivalente CB de la ligne de bit Q; l'inverseur de maintien SI est petit par rapport à l'inverseur amplificateur PI.
摘要:
L'invention concerne un dispositif opto-électronique pour montage en surface du type comportant un substrat isolant (1) dont la face supérieure (2) reçoit au moins un élément opto-électronique (20) relié électriquement à des contacts (8, 11) de la face inférieure (3) du substrat (1) par des bandes conductrices (5, 9). Une entretoise annulaire (21) est fixée de manière étanche à la face supérieure (2) du substrat (1). Une lentille sphérique (40) est collée de manière étanche sur l'entretoise annulaire (21) le plan (50) d'émission lumineuse est situé à une distance de la lentille sphérique (40) qui est inférieure à son tirage.