Circuit intégré à décalage compensé et procédé pour sa mise en oeuvre
    33.
    发明公开
    Circuit intégré à décalage compensé et procédé pour sa mise en oeuvre 失效
    集成电路具有零点调整和执行的方法。

    公开(公告)号:EP0379817A1

    公开(公告)日:1990-08-01

    申请号:EP89403572.4

    申请日:1989-12-20

    IPC分类号: H03F1/30

    CPC分类号: H03F1/304

    摘要: Circuit intégré à décalage compensé comprend un circuit de compensation. Le circuit de compensation comprend un compteur (CNT) dont la sortie attaque l'entrée d'une mémoire programmable (PRM) et une première entrée d'un convertisseur numérique-analogique (CNA). La sortie de la mé­moire (PRM) est connectée à une deuxième entrée du convertis­seur (CNA) en parallèle avec la première entrée. La sortie du convertisseur (CNA) produit un signal propre à compenser ledit décalage. On mesure le décalage (V o ) et on incrémente le compteur (CNT) jusqu'à obtenir sa compensation. On fixe alors la dernière valeur du compteur (CNT) dans la mémoire program­mable (PRM).

    摘要翻译: 集成电路与偏移校正包括:校正电路。 所述校正电路包括一个计数器(CNT),其输出驱动的可编程存储器(PRM)和一个数字/模拟转换器(CNA)的第一输入端的输入端。 存储器(PRM)的输出连接到并联的转换器(CNA)与所述第一输入的第二输入端。 从转换器(CNA)输出端产生适合于校正所述偏移。所述的信号。 偏移量(V0)进行测量,并将计数器(CNT)被递增直到其校正获得。 然后计数器(CNT)的最后值被固定在可编程存储器(PRM)。

    Source de courant à gamme étendue de tensions de sortie
    35.
    发明公开
    Source de courant à gamme étendue de tensions de sortie 失效
    Stromquelle mit einem breiten Bereich a Ausgangsspannungen。

    公开(公告)号:EP0331253A1

    公开(公告)日:1989-09-06

    申请号:EP89200468.0

    申请日:1989-02-27

    发明人: Simon, Marc

    IPC分类号: G05F1/595

    CPC分类号: G05F1/595

    摘要: L'invention concerne une source de courant à gamme étendue de tensions de sortie. Le trajet émetteur-collecteur d'un transistor principal (T₃₀) npn agencé de manière à défi­nir la valeur de courant, est disposé en série avec le trajet collecteur-émetteur de transistors de sortie du type npn (T₃₁...T₃₅) disposés en cascade. A chaque transistor de sortie (T₃₁...T₃₅) est associé un transistor de commande (T′₃₁...T′₃₅) du type opposé. Au moins certains transistors de commande (T′₃₁...T′₃₅) ont leur émetteur connecté au collec­teur d'un transistor de sortie de rang différent. On obtient ainsi une tension de sortie V s pouvant évoluer entre des tensions faibles et une valeur voisine de la tension d'alimen­tation V c .

    摘要翻译: 配置为限定电流值的主npn晶体管(T30)的发射极 - 集电极路径与级联布置的npn型(T31 ... T35)的输出晶体管的集电极 - 发射极路径串联布置。 每个输出晶体管(T31 ... T35)与相反类型的控制晶体管(T'31 ... T'35)相关联。 至少一些控制晶体管(T'31 ... T'35)的发射极连接到不同等级的输出晶体管的集电极。 从而获得能够在低电压和接近电源电压VC的值之间移动的输出电压VS。 ... ...

    Circuit intégré comportant un transistor I2L à courant de sortie élevé et un étage I2L comprenant de tels transistors
    36.
    发明公开
    Circuit intégré comportant un transistor I2L à courant de sortie élevé et un étage I2L comprenant de tels transistors 失效
    集成电路与高输出电流的I2L晶体管,和I 2 L阶段与这样的晶体管。

    公开(公告)号:EP0284153A1

    公开(公告)日:1988-09-28

    申请号:EP88200514.3

    申请日:1988-03-21

    IPC分类号: H01L27/02 H01L29/10 H01L29/73

    CPC分类号: H01L27/0233 H01L29/42304

    摘要: L'invention concerne un transistor pour logique intégrée à injection (I²L) comprenant une seule région de sortie de collecteur et comportant au moins un contact de base disposé entre la région de sortie de collecteur (C₆₀, Cʹ₆₀) et l'injecteur (IN6), la surface de la région de sortie de collecteur étant plusieurs fois supérieure à celle d'une porte logique I²L multi-collecteurs.
    Il est caractérisé en ce que la base (B₆₀) présente au moins deux rangées de contacts interconnectés, une première rangée (CB₆₀, CB₆₁, CB₆₂) constituant ledit contact de base disposé entre le collecteur et l'injecteur, et au moins une deuxième rangée (CB₆₃, CB₆₄, CB₆₅) située dans le périmètre du collecteur (C₆₀, Cʹ₆₀), lequel peut être en une ou plusieurs parties. L'injecteur IN6 peut également présenter une rangée de contacts (CIN1, CIN2, CIN3) interconnectés.

    摘要翻译: 集成注入逻辑(I <2> L)晶体管,其包括一个单一的收集器 - 输出区和包括集电极 - 输出区(C60,C'60)和喷射器(IN6)的表面区域之间布置的至少一个基极接触 集电极 - 输出区域比一个多集电器的大几倍I <2>→逻辑门。 ... 据DASS基座(B60)具有相互连接的触头,第一行(CB60,CB61,CB62)构成集电极和喷射器之间设置的所述基部接触的至少两行,并且至少 位于收集器的周界(C60,C'60)一个第二行(CB63,CB64,CB65),后者可能是在一个或几个部分之中。 喷射器可以IN6同样具有相互连接的触头(CIN1,CIN2,CIN3)的一排。 ... ...

    Circuit de commande de gain d'un amplificateur d'écoute par haut-parleur pour la suppression de l'effet Larsen
    37.
    发明公开

    公开(公告)号:EP0280381A1

    公开(公告)日:1988-08-31

    申请号:EP88200355.1

    申请日:1988-02-25

    IPC分类号: H04M9/08 H03G3/20

    CPC分类号: H03G1/0088 H04M9/08

    摘要: Circuit de commande de gain (10) d'un amplificateur (3) pour l'écoute par un haut-parleur (4) dans un appareil, notamment un poste téléphonique, qui comporte par ailleurs un microphone (1), en vue de supprimer l'effet Larsen.
    Ce circuit (10) comporte des premiers moyens de contrôle (100) qui commandent une première réduction de gain de l'amplificateur (3) lorsque l'amplitude du signal (S) provenant du microphone (1) dépasse un premier seuil déterminé par une première tension de référence VR1, selon une première constante de temps (RD1 + RD2).C, et comporte également des seconds moyens de contrôle (200) qui entrent en action seulement après ladite première constante de temps, et fournissent une réduction supplémentaire du gain selon une seconde constante de temps (RD2.C) plus courte que la première constante de temps, tant que l'amplitude du signal (S) provenant du microphone dépasse un second seuil, inférieur au premier seuil, fixé par une deuxième tension de référence VR2.
    Application à un poste téléphonique à écoute amplifiée par haut-parleur.

    Circuit d'amplification à contrôle automatique de gain
    38.
    发明公开
    Circuit d'amplification à contrôle automatique de gain 失效
    的放大器电路的自动增益控制。

    公开(公告)号:EP0271938A1

    公开(公告)日:1988-06-22

    申请号:EP87202234.8

    申请日:1987-11-16

    IPC分类号: H03F1/30 H03G3/20 H03G1/00

    CPC分类号: H03G3/20 H03G1/04

    摘要: - Circuit d'amplification dont l'étage d'entrée a un gain va­riable en vue d'un contrôle automatique du niveau de signal sur une borne de sortie (25) ainsi que des moyens pour la sta­bilisation du niveau de tension continue de fonctionnement du circuit, au moins sur la sortie.
    - Ce circuit comprend un étage d'entrée constitué par un tran­sistor à effet de champ (T₁) à deux grilles (G₁), (G₂), et une résistance de charge (Rc), tandis que les moyens de stabilisa­tion de la tension continue comprennent : un amplificateur différentiel à gain élevé (A₁, A₂), un filtre passe bas (20), (21) et un générateur de courant continu (T₂), l'ensemble étant agencé de manière à ce que la tension continue de la borne active (11) de la résistance de charge (Rc) soit assu­jettie à être égale à une tension de référence (VR₁) par l'ef­fet d'une boucle de contre-réaction formée avec les éléments précités.
    - Application à l'amplification de signaux numériques de fai­ble amplitude notamment dans des transmissions à grande vites­se.

    Memoire avec tampon amplificateur
    39.
    发明公开
    Memoire avec tampon amplificateur 失效
    存储器缓冲放大器。

    公开(公告)号:EP0237116A1

    公开(公告)日:1987-09-16

    申请号:EP87200364.5

    申请日:1987-03-02

    发明人: Lanfranca, Michel

    IPC分类号: G11C7/00 G11C7/06

    摘要: Mémoire avec un tampon amplificateur (TA) situé au bout de chaque ligne de bit, le tampon amplificateur étant aussi employé comme un "sense amplifier". Sur la ligne de bit Q le tampon amplificateur ne comporte que cinq transistors; le transistor de transmission TR ("passing") est activé pendant la lecture RD, et aussi pendant la précharge PCH; de ce fait le signal de sortie S est toujours à zéro pendant la précharge; la capacité parasitaire CS est petite par rapport à la capacité équivalente CB de la ligne de bit Q; l'inverseur de maintien SI est petit par rapport à l'inverseur amplificateur PI.

    Dispositif opto-électronique pour montage en surface
    40.
    发明公开
    Dispositif opto-électronique pour montage en surface 失效
    Optoelektronische Vorrichtung zumoberflächigenEinbau。

    公开(公告)号:EP0230336A1

    公开(公告)日:1987-07-29

    申请号:EP87200070.8

    申请日:1987-01-19

    IPC分类号: H01L33/00

    摘要: L'invention concerne un dispositif opto-électronique pour montage en surface du type comportant un substrat isolant (1) dont la face supérieure (2) reçoit au moins un élément opto-électronique (20) relié électriquement à des contacts (8, 11) de la face inférieure (3) du substrat (1) par des bandes conductrices (5, 9). Une entretoise annulaire (21) est fixée de manière étanche à la face supérieure (2) du substrat (1). Une lentille sphérique (40) est collée de manière étanche sur l'entretoise annulaire (21) le plan (50) d'émission lumineuse est situé à une distance de la lentille sphérique (40) qui est inférieure à son tirage.

    摘要翻译: 本发明涉及一种用于表面安装这种类型的光电子器件,其包括绝缘衬底,其上表面接收通过导电条电连接到衬底的下表面的触点的至少一个光电子元件。 环形间隔件固定到基板的上表面。 将球面透镜胶合在环形间隔件上,并且发光平面位于与球形透镜小于其延伸部分的距离处。