摘要:
A telecommunication system for transmitting cells through switching nodes (N1-3) interconnected by groups (LG12, LG23) of transmission links, each node including an asynchronous switching network (SN1-3) which comprises several switch elements. At least one of these switch elements posseses a routing group possiblity whereby the cells are distributed over its outlets and so further over the different transmission links of the link group to which the switching network is connected. This distribution is performed in function of a self-routing tag which is derived from external routing data associated with the cell. At the input ports of either each or only the first switching network (SN1) of the system, the external routing data is translated in a self-routing tag which is for instance added to the header of the cell, whilst at the output ports of each or of only the last switching network (SN3) of the system respectively, the self-routing tag is removed from this header. Some switch elements possesse a multicast possibility whereby the cells are transferred to several outlets thereof and thereby to several link groups to which the switching network is connected.
摘要:
A communication switching module (SM, SM', SM'') used in module- stages of a multi- path self- routing switching network (SN) and able to transfer cells or packets of information from any input thereof to at least one of the outputs thereof. The switching module is built up with at least two stages (ISE11-14; ISE21-24; ISE31-34) of switching elements (ISE) each able to transfer these cells from inlets thereof to at least one outlet thereof. The switching element (ISE) as well as the switching module (SM, SM', SM'') has at least three outlets/ outputs which are arranged in routing- groups/ module- routing- groups to anyone outlet/ output of which a cell may be transferred respectively, each module- routing group including at least a routing group of one switching element of the last stage. The switching elements of a given stage (ISE11-14; ISE21-24) are coupled to the switching elements of the following stage (ISE21-24; ISE31-34) via bundles of Li (8) links, each of these links being constituted by an outlet- to- inlet connection, and Li (8) is at least equal to the number of the outlets comprised in the routing group having the smallest number of outlets that a switching element (ISE) can sustain for realizing a predetermined minimum traffic performance at a predetermined maximum load on its outlets. The switching module is built on a printed board assembly (PBA) carrying a plurality of switching elements (ISE) each built on a Large Scale Integrated (LSI) electronic circuit.
摘要:
The switching converter mainly includes a duty cycle controller (DCC) whose output controls a switch (T1) for transferring energy from an input (VIN) to an output (VOUT). DCC includes a sawtooth generator (ST) and a pulse generator (NL) whose output signals (STO, NLO) are OR-ed and then compared with an error voltage (VE), derived from the output voltage (VOUT) and a reference voltage (VREF1), so as to produce an output signal the duty cycle of which linearly varies from a predetermined non-zero value onwards, thus ensuring that during each cycle T1 is activated for a minimum duration.
摘要:
Un sélecteur de tension utilise un comparateur (COMP) afin de bloquer le potentiel (VSUB) d'un substrat à dopage p d'un circuit intégré de ligne d'abonnement de télécommunication, à la tension la plus négative apparaissant au niveau de deux bornes d'entrée (V1/2), une étant alimentée par la tension d'une batterie, et l'autre par une tension synthétisée, l'une et l'autre variant dans une plage relativement large et l'une pouvant être plus négative que l'autre. Lorsque V1/2 sont connectées à VSUB par des transistors (N1/2) DMOS respectifs, V1/2 constituent également les entrées de COMP dont les sorties (C1/2) sont connectées aux portes des transistors DMOS . Ledit comparateur est conçu de manière à permettre un changement rapide des états de conductivité opposée de N1 et de N2, lorsque se produit une inversion dans les amplitudes relatives des tensions V1 et V2, la chute de tension dans un transistor conducteur N1/2 étant bien inférieure à celle enregistrée lorsque l'on utilise des diodes de blocage.
摘要:
The semiconductor device and arrangement include a thyristor switch (T1-T3) with associated turn-on (DM) and turn-off (PM1, PM2) devices. The thyristor switch includes a PNP transistor (T1) and one or two NPN transistors (T2, T3) each of which has an emitter constituted by a path of separate regions (115) of N+ material each completely surrounded by P+ material of a zone (110). This path either has a boat shape and partly surrounds and is located at a constant distance of a substantially rectangular zone (109) of P+ material constituting the emitter of the PNP transistor (T1), or has an S-shape and is located at a constant distance of the S-shaped emitter of the PNP transistor (T1).
摘要:
La présente invention se rapporte à un dispositif à double état (ST), à une source de courant (BS), à une dispositif bistable (FF) et à un circuit d'entrée (IC), qui sont tous associés pour former un comparateur de signaux. Le dispositif à double état (ST) est constitué par un trigger de Schmitt qui comprend des dispositifs de commande de courant (N17, P13; N18, P14) servant à fournir un courant destiné à contrebalancer les deviations dans des paramètres de construction des transistors, de sorte que les caractéristiques de fonctionnement dudit dispositif restent identiques d'une opération à l'autre. La source de courant (BS) utilise un courant à configuration spéculaire et est commandée via un branchement couplé entre les bornes d'alimentation de tension (VDD; VSS). Deux (N2, N3) des quatres transistors connectés en séries (N1 à N4) faisant partie de ce branchement ont un paramètre largeur sur la longueur W/L des canons supérieur, de sorte que des sources de courant identiques (BS) peuvent être produites à grande échelle, dès lors que le courant (I5; II) fourni par lesdites sources est indépendant des tensions seuil des transistors constitutifs. Le dispositif bistable (FF) est constitué par un circuit flip-flop qui comporte des bornes d'entrée et de sortie différentielles communes (T1; T2) et est utilisé pour associer les circuits d'entrée (EC) ayant une sortie différentielle analogique et le dispositif à double état (ST) ayant une entrée différentielle numérique. Les bornes d'entrée/sortie de ce dispositif à double état sont shuntées par un transistor MOS (N14) à chaque signal d'horloge élevé (CLK), grâce auquel la tension commune s'appliquant sur ces bornes se trouve à mi-chemin entre la tension d'alimentation, de sorte que, lorsque les tâches changent, ces tensions n'ont varié qu'une moitié au lieu de parcourir l'entière différence de tension. Ainsi, on obtient une commutation plus rapide des dispositifs à double état. Le circuit d'entrée (IC) est constitué par un circuit d'entrée différentielle haute
摘要:
Le circuit de synchronisation décrit comprend un circuit de retard variable (DLC) à travers lequel passe un signal d'entrée (DIN) destiné à régler la phase d'un signal de sortie régénéré (DIN1) par rapport à un signal d'horloge (CL1) à la fréquence du signal d'entrée, ainsi qu'un circuit de décision (DC) servant à régler le retard variable (DL1/8) de sorte que celui-ci couvre la moitié d'une période du signal d'entrée et, après avoir détecté une absence prédéterminée de synchronisme, modifie la valeur du retard variable pour qu'il puisse être réglé de façon à couvrir l'autre moitié de la période.