公开(公告)号：EP4347929A1

公开(公告)日：2024-04-10

申请号：EP22734102.1

申请日：2022-05-31

申请人： Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V.

发明人： STANCA, Sarmiza-Elena ,  IHRING, Andreas ,  HÄNSCHKE, Frank ,  ZIEGER, Gabriel ,  SCHMIDT, Heidemarie

IPC分类号： C25D3/50 ,  C25D5/02 ,  C25D5/00

公开(公告)号：EP4343038A1

公开(公告)日：2024-03-27

申请号：EP23199593.7

申请日：2023-09-26

申请人： Rohm and Haas Electronic Materials LLC

发明人： WU, Weigang ,  TING, Fai Lung

IPC分类号： C25D3/18 ,  C25D5/00

摘要： Nickel electroplating compositions containing mercaptotetrazoles deposit rough nickel on substrates. The rough nickel can be electroplated over wide current density ranges. The rough nickel deposits enable improved adhesion to other metal layers in contrast to many conventional nickel deposits.

公开(公告)号：EP4328353A2

公开(公告)日：2024-02-28

申请号：EP23192147.9

申请日：2023-08-18

申请人： Seppeler Holding und Verwaltungs GmbH & Co. KG

发明人：

IPC分类号： C23C18/18 ,  C23C18/54 ,  C25D5/00 ,  C23C2/02 ,  C23C2/08 ,  C23C2/06 ,  C25D5/36

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur verbesserten Verzinkung von metallischen eisenhaltigen Bauteilen innerhalb der Feuerverzinkung, wobei mindestens ein Bauteil vor der Verzinkung in einem Verzinkungsbad mindestens einer Vorbehandlung mit Zinn und/oder einer Zinnverbindung unterworfen wird, wobei eine Zinnschicht auf dem Bauteil abgelagert wird.

公开(公告)号：EP3611294B1

公开(公告)日：2024-01-24

申请号：EP17905121.4

申请日：2017-05-11

发明人： IIMORI, Masayuki ,  TAKEDA, Ryosuke

IPC分类号： C25D17/16 ,  C25D3/56 ,  C25D5/10 ,  C25D7/02 ,  C25D5/00 ,  C25D17/18 ,  C25D21/10

公开(公告)号：EP3417089B1

公开(公告)日：2023-12-13

申请号：EP17753817.0

申请日：2017-02-16

发明人： CAHALEN, John ,  BUI, Kathy ,  GRIFFITHS, Peteris ,  LUND, Alan C. ,  CROSS, Samuel R. ,  TESTONI, Anne L.

IPC分类号： C25D1/16 ,  C25D7/00 ,  C25D5/12 ,  B32B15/01 ,  C25D5/00 ,  C25D5/18

公开(公告)号：EP4281600A1

公开(公告)日：2023-11-29

申请号：EP22700920.6

申请日：2022-01-11

申请人： TOTALENERGIES ONETECH ,  College de France

发明人： PEUGEOT, Adèle ,  FONTECAVE, Marc ,  CREISSEN, Charles ,  SCHREIBER, Moritz Wilhelm

IPC分类号： C25B1/04 ,  C25B11/031 ,  C25B11/052 ,  C25B11/061 ,  C25B11/077 ,  C25B11/054 ,  C25D3/12 ,  C25D5/00 ,  C25B11/091

公开(公告)号：EP3680534B1

公开(公告)日：2023-08-09

申请号：EP18851553.0

申请日：2018-08-30

发明人： KIMOTO, Masanari ,  OSHIMA, Masahiro

IPC分类号： C25D7/00 ,  C25D7/04 ,  C25D3/56 ,  F16L15/04 ,  F16L58/08 ,  C25D5/00

公开(公告)号：EP4212647A1

公开(公告)日：2023-07-19

申请号：EP23160921.5

申请日：2017-04-19

申请人： Grohe AG

发明人： ZIMMERMANN, Christian ,  BOBZIEN, Mark

IPC分类号： C23C28/02 ,  C25D3/12 ,  C25D3/56 ,  C25D5/12 ,  C25D5/14 ,  C23C28/00 ,  C25D3/06 ,  C25D3/08 ,  C25D5/56 ,  C25D5/00

摘要： Verfahren zur Beschichtung eines Gegenstands (1), wobei eine Oberfläche (3) des Gegenstands (1) zumindest teilweise mit einer Beschichtung (4) beschichtet wird, die eine Mehrzahl von Schichten (5, 6, 7, 8, 9) aufweist, wobei zumindest eine Schicht (5, 6, 7, 8, 9) der Beschichtung (4) aus einer Nickel-Phosphor-Legierung besteht und wobei ein Massenanteil des Phosphors in der Nickel-Phosphor-Legierung mindestens 8 % beträgt.

公开(公告)号：EP4124678A1

公开(公告)日：2023-02-01

申请号：EP22185760.0

申请日：2022-07-19

申请人： Mitsui High-Tec, Inc.

发明人： KUBO, Kimihiko ,  FURUNO, Ryota

IPC分类号： C25D5/00 ,  C25D7/00 ,  H01L23/495 ,  C25D3/46

摘要： Provided is a metal component that is configured to be used for manufacturing a semiconductor device, the metal component including: a substrate having a conductivity; and a noble metal plating layer formed on all or part of a surface of the substrate, wherein the noble metal plating layer has a surface with irregularities, and a protrusion of the irregularities has an aspect ratio of 0.3 or more.

公开(公告)号：EP4101948A1

公开(公告)日：2022-12-14

申请号：EP21178856.7

申请日：2021-06-10

申请人： Atotech Deutschland GmbH & Co. KG

发明人： Özkaya, Berkem ,  Jonat, Michael ,  Wachter, Philipp ,  Hartmann, Philip

IPC分类号： C25D3/06 ,  C25D3/10 ,  C25D5/00 ,  C25D21/14 ,  C25D15/00 ,  C25D3/08

摘要： The present invention relates to a method for adjusting the brightness L* of an electroplated chromium layer, in particular of a dark electroplated chromium layer. The method includes an aqueous trivalent chromium electroplating bath comprising colloidal particles and/or agglomerates thereof and a step of fully or partially removing same with optionally adding colloidal particles.