公开(公告)号：EP3094764B1

公开(公告)日：2024-10-09

申请号：EP14878484.6

申请日：2014-01-15

IPC分类号： C25D3/06 ,  C23C28/02 ,  C25D5/50 ,  C25D3/56 ,  C25D5/14 ,  C23C18/16 ,  C23C18/32 ,  C23C28/00 ,  C25D5/00

CPC分类号： C25D3/06 ,  C25D5/50 ,  C25D3/562 ,  C23C28/021 ,  C23C28/023 ,  C23C28/42 ,  C25D5/14 ,  C23C18/32 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1653 ,  C25D5/627 ,  C25D5/625

公开(公告)号：EP4083272B1

公开(公告)日：2024-09-25

申请号：EP20904802.4

申请日：2020-11-10

IPC分类号： C25D7/06 ,  C25D5/12 ,  C23C28/00 ,  H01M4/66 ,  C25D5/00 ,  H01M4/02 ,  H05K1/09 ,  H05K3/38 ,  C25D3/12 ,  C25D3/38 ,  C25D3/58 ,  H01M10/0525

CPC分类号： C25D5/12 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/02720130101 ,  H01M4/661 ,  H01M4/667 ,  H01M4/662 ,  C25D7/0614 ,  C25D3/12 ,  C25D3/38 ,  C25D3/58 ,  C25D5/605 ,  Y02E60/10 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/035520130101 ,  H05K3/384 ,  H05K3/389

公开(公告)号：EP4403674A1

公开(公告)日：2024-07-24

申请号：EP24151241.7

申请日：2024-01-10

申请人： Mitsui High-Tec, Inc.

发明人： KUBO, Kimihiko ,  FURUNO, Ryota ,  KUNITAKE, Tomokatsu

IPC分类号： C25D5/00 ,  C25D7/00 ,  H01L23/495

CPC分类号： C25D3/46 ,  C25D7/00 ,  C25D5/605 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/562

摘要： Provided is a metal component that is used for manufacturing a semiconductor device, the metal component including a substrate having a conductivity; and a noble metal plating layer formed on all or part of a surface of the substrate, wherein the noble metal plating layer has a lumpy protrusion on a surface of the noble metal plating layer.

公开(公告)号：EP3828298B1

公开(公告)日：2024-07-10

申请号：EP19873058.2

申请日：2019-08-06

IPC分类号： C22C38/00 ,  C21D9/46 ,  C22C38/06 ,  C22C38/60 ,  C21D1/19 ,  C21D1/22 ,  C21D8/02 ,  C25D5/50 ,  C21D8/04 ,  C21D9/48 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C25D3/22 ,  C25D5/00 ,  C21D6/00 ,  C25D5/36 ,  C21D6/02 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14 ,  C22C38/32 ,  C22C38/34 ,  C22C38/38 ,  C22C38/16 ,  C25D3/56

CPC分类号： C21D9/46 ,  C22C38/06 ,  C22C38/60 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16 ,  C22C38/32 ,  C22C38/38 ,  C22C38/34 ,  C21D2211/00220130101 ,  C21D2211/00820130101 ,  C21D2211/00420130101 ,  C21D8/0226 ,  C21D8/0263 ,  C21D8/0273 ,  C21D8/0473 ,  C21D8/0426 ,  C21D8/0463 ,  C21D9/48 ,  C21D1/19 ,  C21D1/22 ,  C25D3/22 ,  C21D6/02 ,  C21D6/005 ,  C21D6/008 ,  C25D5/36 ,  C25D3/565 ,  C25D5/50

公开(公告)号：EP4386113A1

公开(公告)日：2024-06-19

申请号：EP22213244.1

申请日：2022-12-13

申请人： Aptiv Technologies Limited

发明人： PORTE, Maxime

IPC分类号： C25D5/48 ,  C25D5/00 ,  C25D7/00 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  H01R13/03 ,  C25D5/10 ,  H01R13/02 ,  H01R13/11

CPC分类号： H01R13/03 ,  H01R13/02 ,  C25D5/10 ,  H01R13/11 ,  C25D7/00 ,  C25D5/617 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50

摘要： An electrical terminal 2, 4 comprising a substrate 6 and a metallic conductive layer 8 provided on the substrate 12. The electrical terminal may be a male or female electrical terminal. The metallic conductive layer 8 has either: a silver layer 14 and an intermetallic phase 10 of silver 14 and any one or a combination of the group comprising: indium 16, gallium or tin, or; a silver layer and a bismuth layer. The intermetallic phase 10 or bismuth layer protects the silver from environmental degradation. A method of manufacturing the male or female electrical terminals 2, 4 is also disclosed.

公开(公告)号：EP3901332B1

公开(公告)日：2024-06-05

申请号：EP19899207.5

申请日：2019-12-18

IPC分类号： C25D3/56 ,  C25D5/36 ,  C25D5/00

CPC分类号： C25D5/36 ,  C25D3/562 ,  C25D3/565 ,  C25D5/605

公开(公告)号：EP4328353A8

公开(公告)日：2024-04-03

申请号：EP23192147.9

申请日：2023-08-18

申请人： Seppeler Holding und Verwaltungs GmbH & Co. KG

发明人： HRDINA, Mark

IPC分类号： C23C18/18 ,  C23C18/54 ,  C25D5/00 ,  C23C2/02 ,  C23C2/08 ,  C23C2/06 ,  C25D5/36

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur verbesserten Verzinkung von metallischen eisenhaltigen Bauteilen innerhalb der Feuerverzinkung, wobei mindestens ein Bauteil vor der Verzinkung in einem Verzinkungsbad mindestens einer Vorbehandlung mit Zinn und/oder einer Zinnverbindung unterworfen wird, wobei eine Zinnschicht auf dem Bauteil abgelagert wird.

公开(公告)号：EP4342269A1

公开(公告)日：2024-03-27

申请号：EP22805186.8

申请日：2022-05-10

申请人： MacDermid Enthone Inc.

发明人： DESALVO, Donald ,  BLAKE, Ron ,  GUGLIOTTI, Carmichael ,  DECESARE, William, J. ,  BELLEMARE, Richard, A.

IPC分类号： H05K3/42 ,  C25D3/38 ,  C25D5/00 ,  C25D5/18 ,  H05K1/02 ,  H05K1/18

公开(公告)号：EP4302324A1

公开(公告)日：2024-01-10

申请号：EP22711931.0

申请日：2022-03-04

申请人： Atotech Deutschland GmbH & Co. KG

发明人： SCHMIDT, Ralf

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/60 ,  C25D3/38 ,  C25D5/00 ,  C25D7/12

公开(公告)号：EP4209623A1

公开(公告)日：2023-07-12

申请号：EP22200154.7

申请日：2017-12-15

申请人： Hamilton Sundstrand Corporation

发明人： CHEN, Lei ,  SMITH, Blair ,  CORDATOS, Haralambos

IPC分类号： C25D3/66 ,  C25D5/06 ,  C25D5/00 ,  C25D17/00

摘要： An electroplating apparatus (200) is described herein comprising: an enclosure (202) for water sensitive electrolytes having an interior (204) and a plurality of ports for circulating dry inerting gas and electrolyte through the enclosure interior (204); and an air separation module in fluid communication with the enclosure interior for supplying the dry inerting gas to the enclosure interior; and a porous body (230) supported within the enclosure interior (204); wherein the enclosure (102) is divided by a wall (244) into an inner chamber (240) and an outer chamber (242), wherein the inner chamber (240) and the outer chamber (242) are fluidly connected by the porous body (230) seated in a work piece aperture, and wherein an anode (216) is disposed within the inner chamber (240), and wherein the porous body is seated partially within the outer chamber and seated partially within the inner chamber.