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公开(公告)号：EP0264992A1
公开(公告)日：1988-04-27
申请号：EP87201870.0
申请日：1987-09-29
IPC分类号： H01J43/06
CPC分类号： H01J43/06
摘要： Tube photomultiplicateur 10 segmenté en une pluralité de photomultiplicateurs élémentaires 11, comportant une photocathode 12 et un multiplicateur 13 du type "à feuilles" cloisonné en une pluralité de multiplicateurs élémentaires 14. Selon l'invention, l'espace d'entrée du tube 10, situé entre la photocathode 12 et le multiplicateur 13, est cloisonné en espaces d'entrée élémentaires 13 associés aux photomultiplicateurs élémentaires et définissant une pluralité de photocathodes élémentaires 16, chaque espace d'entrée élémentaire 15 présentant une électrode de focalisation réalisant la convergence des photoélectrons issus de la photocathode ,élémentaire associée 16 sur le multiplicateur élémentaire 14 correspondant. Application à la détection des particules élémentaires.
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82.发明公开Elément multiplicateur à haute efficacité de collection, dispositif multiplicateur comportant cet élément multiplicateur et application à un tube photomultiplicateur 失效的高记录效率Vervielfacherelement，与其在光电倍增乘法装置和应用程序提供的。
公开(公告)号：EP0230694A1
公开(公告)日：1987-08-05
申请号：EP86202323.1
申请日：1986-12-18
发明人： Eschard, Gilbert
CPC分类号： H01J43/22 , H01J9/12 , H01J2201/32 , H01J2201/3425
摘要： Multiplication électronique par émission secondaire.
Elément multiplicateur (10) d'électrons à émission secondaire composé, d'une part, d'une première plaque métallique (11) percée d'au moins un trou (12) multiplicateur, présentant une ouverture (13) d'entrée et une ouverture (14) de sortie, et, d'autre part, une deuxième plaque métallique (16), parallèle à la première (11), percée d'au moins un trou (17) auxilliaire disposé en regard de l'ouverture (14) de sortie du trou multiplicateur (12), la deuxième plaque (16) étant portée à un potentiel électrique (VI), supérieur au potentiel électrique (VO) de ladite première plaque. Les ouvertures (13, 14) sont telles que la projection droite (18) de l'ouverture (14) de sortie du trou multiplicateur (12) sur un plan parallèle à la première plaque métallique (11) est au moins partiellement située à l'extérieur de la projection correspondante (19) de l'ouverture (13) d'entrée.
Application aux tubes photomultiplicateurs.-
83.发明公开Procédé de fabrication d'un transistor latéral intégré et circuit intégré le comprenant 失效制造集成横向晶体管的方法，以及含有它的集成电路。
公开(公告)号：EP0228748A1
公开(公告)日：1987-07-15
申请号：EP86202321.5
申请日：1986-12-18
发明人： Jacques, Bertrand , Leduc, Pierre
CPC分类号： H01L29/0808 , H01L29/735
摘要： Le procédé de fabrication d'un transistor latéral intégré selon l'invention est tel que la profondeur et le niveau de dopage de la région d'émetteur (15) est telle que la longueur de diffusion des porteurs minoritaires injectés verticalement dans celle-ci est supérieure ou égale à l'épaisseur de ladite région. La distance entre les périphéries d'une zone de liaison électrique d'émetteur (24) et de la région d'émetteur (15) est nominalement supérieure à la tolérance d'alignement d'une fenêtre de contact d'émetteur. Ceci permet d'obtenir un transistor présentant un gain en courant amélioré.
L'invention concerne également un circuit intégré comprenant un transistor latéral dans lequel le rapport entre la surface de la région d'émetteur (15) et celle de la zone de liaison électrique d'émetteur (24) est compris entre 20 et 200.摘要翻译： 被测试的方法，做了深度和发射极区的掺杂水平（15）进行检测并为少数载流子扩散长度垂直注入该区域大于或等于所述区域的厚度。 发射极电连接区（24）和发射极区（15）的边缘之间的距离是名义上比在发射极接触窗口对准公差更大。 这使得能够以改善的电流增益获得晶体管与。 阅读本发明因此涉及在集成电路，包括横向晶体管，其中所述发射极区域的表面面积之间的比值（15）和没有20和200
之间的发射极电连接区（24）的 -
84.发明公开
公开(公告)号：EP0228742A1
公开(公告)日：1987-07-15
申请号：EP86202282.9
申请日：1986-12-16
发明人： Barbier, Pascal Société Civile S.P.I.D. , Falgat, Francis Société Civile S.P.I.D. , Sorel, Alain Société Civile S.P.I.D.
CPC分类号： H01Q21/064 , H01Q21/0081 , H01Q25/001
摘要： Antenne plane hyperfréquences multiéléments pour la réception de la télévision par satellite constituée d'au moins deux tôles (156, 157) métalliques sur lesquelles sont sérigraphiés des plots d'espacement (4, 19) et sur lesquelles est rapporté au moins un bloc (50) de guides d'ondes (2), l'assemblage de deux telles tôles constituant un sandwich enserrant un circuit imprimé (195) portant des lignes hyperfréquences qui débouchent dans le guide d'onde.
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85.发明公开Procédé de réalisation d'électrodes conductrices d'un élément de circuit et dispositif semi-conducteur ainsi obtenu 失效一种用于生产一个电路构件和由该方法制造的半导体器件上的接触的处理。
公开(公告)号：EP0199386A1
公开(公告)日：1986-10-29
申请号：EP86200451.2
申请日：1986-03-20
发明人： Barbu, Stefan , Chapron, Claude
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Dans le procédé selon l'invention on dépose des électrodes conductrices à travers les ouvertures (31, 32) d'un masque (30) alignées par rapport à au moins deux fenêtres de contact (11) et (12) ménagées dans une couche isolante (4). Préalablement, des couches de métal combiné (21) et (22) (par exemple siliciure de Pt) ont été ,déposées dans les fenêtres (11) et (12). La région étroite (25) de la couche isolante (4) peut avoir une dimension réduite du fait que dans les positions relatives extrêmes les électrodes conductrices (26) et (27) ne recouvrent que partiellement les fenêtres - (11) et (12).
L'invention concerne également des transistors logiques (ou faible bruit) ou pour très hautes fréquences dont la structure est améliorée soit au niveau dimensionnel, soit au niveau des valeurs des résistances série soit des gains.-
公开(公告)号：EP0163332A1
公开(公告)日：1985-12-04
申请号：EP85200635.2
申请日：1985-04-24
发明人： Stroppiana, Robert
摘要： L'invention concerne un relais statique pour courant continu. Une charge (Z) est alimentée par le collecteur d'un transistor de sortie (Ts) de type pnp. L'état du relais et de la charge sont contrôlés par un premier transistor de contrôle bipolaire (T c ,) dont le trajet base-émetteur augmenté d'une résistance de base (R b ) est en parallèle sur le trajet base-émetteur du transistor de sortie (Ts) et un second transistor de contrôle (T a ) à effet de champ MOS dont le drain est connecté au collecteur de premier transistor de contrôle (T c1 ) et la grille au collecteur du transistor de sortie (Ts).
La source du second transistor de sortie constitue une borne de contrôle (C) qui, lorsqu'elle est chargée par une résistance (R c ) délivre une tension Vc de niveau élevé en cas de marche normale du relais-
公开(公告)号：EP0670629B1
公开(公告)日：1999-07-07
申请号：EP95200382.0
申请日：1995-02-17
CPC分类号： H03L7/0895 , H03D13/004
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88.发明授权Dispositif intégré associant un transistor bipolaire à un transistor à effet de champ 失效由双极晶体管和场效应晶体管集成结构的
公开(公告)号：EP0635887B1
公开(公告)日：1999-04-28
申请号：EP94202035.5
申请日：1994-07-14
发明人： Journeau, Jacques
CPC分类号： H01L29/7302 , H01L27/0716
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89.发明授权Registre à décalage numérique à fonctionnement accéléré et montage comprenant un tel registre 失效具有增加的活性和与这样的寄存器电路的数值移位寄存器
公开(公告)号：EP0597535B1
公开(公告)日：1998-08-12
申请号：EP93203104.0
申请日：1993-11-05
发明人： Lepailleur, Laurent
IPC分类号： G11C19/28
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90.发明公开Amplificateur de tension à large plage de variation et convertisseur analogique/numérique comportant un tel amplificateur 失效Spannungsverstärkermit grossen dynamischen Bereich und A / D-Konverter damit
公开(公告)号：EP0777322A1
公开(公告)日：1997-06-04
申请号：EP96203268.6
申请日：1996-11-21
发明人： Guyot, Benoît
IPC分类号： H03F1/32
CPC分类号： H03F1/3211
摘要： L'invention concerne un amplificateur de tension AD comportant deux transistors (Q1, Q2) montés en paire différentielle, dont les collecteurs sont reliés à une borne positive d'alimentation (VCC) par deux branches comportant chacune une charge résistive.
Selon l'invention, chaque branche comporte au moins deux éléments résistifs (R11, R12, R21, R22) montés en série. En outre, l'amplificateur AD est muni de moyens (10, 11) pour effectuer une comparaison entre les potentiels de différents noeuds du circuit, moyens qui permettent d'ajouter au courant débité dans une portion de la charge résistive de la deuxième branche, un premier et un second courant (IO, IO'). Ces courants permettent de rectifier la non-linéarité de l'évolution de la tension de sortie (Vout) en fonction de la tension d'entrée (Vin).
Application : Amplification de signaux vidéo avant conversion analogique/numérique.摘要翻译： 该放大器具有一个输入级，它包含两个发射极耦合晶体管（Q1，Q2），其电阻负载耦合在它们的集电极电路中。 每个负载分为（R11，R12，R21，R22），结点（A，C）连接到比较器（10,11），比较器在另一个集电极处的电压。 将线性电流（I0，I0'）加到由一个负载的部分（R21）所画出的电流。 输出取自晶体管（Q2）的集电极，晶体管（Q2）的电流因此被线性化。
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