公开(公告)号：EP2822892B1

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：EP13711519.2

申请日：2013-03-08

申请人： Robert Bosch GmbH ,  Yama, Gary ,  Purkl, Fabian ,  Liger, Matthieu ,  Illing, Matthias

发明人： YAMA, Gary ,  PURKL, Fabian ,  LIGER, Matthieu ,  ILLING, Matthias

IPC分类号： B81C1/00 ,  G01J5/02 ,  G01J5/20 ,  H01L27/146 ,  B81B3/00

公开(公告)号：EP2822892A2

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：EP13711519.2

申请日：2013-03-08

申请人： Robert Bosch GmbH ,  Yama, Gary ,  Purkl, Fabian ,  Liger, Matthieu ,  Illing, Matthias

发明人： YAMA, Gary ,  PURKL, Fabian ,  LIGER, Matthieu ,  ILLING, Matthias

IPC分类号： B81C1/00 ,  G01J5/02 ,  G01J5/20 ,  H01L27/146 ,  B81B3/00

CPC分类号： B81C1/00039 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2203/0307 ,  B81C2201/0181 ,  G01J5/023 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14683

摘要： In one embodiment, a method of forming a semiconductor device includes providing a substrate, forming a sacrificial layer above the substrate layer, forming a first trench in the sacrificial layer, forming a first sidewall layer with a thickness of less than about 50 nm on a first sidewall of the first trench using atomic layer deposition (ALD), and removing the sacrificial layer.