公开(公告)号：EP0174954A1

公开(公告)日：1986-03-26

申请号：EP85901276.0

申请日：1985-02-22

申请人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

发明人： BORODOVSKY, Yan, A.

IPC分类号： G03C1 ,  G02B1 ,  G03F7 ,  H01L21

CPC分类号： H01L21/314 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276

摘要： Procédé de fabrication d'un dispositif à circuit intégré, comprenant le revêtement d'une couche réfléchissante (10) avec un revêtement antiréfléchissant (12) comportant une couche d'arséniure d'indium avant l'application d'une couche de matériau photosensible ou photorésistant (14) pendant la production du dispositif. La lumière traversant le matériau photosensible (14) est absorbée par le revêtement antiréfléchissant (12), si bien que seule une quantité minime de lumière nécessaire pour l'alignement est réfléchie à travers le matériau photosensible (14), se qui résulte dans une définition de rayonnement plus nette dans le matériau photorésistant et une meilleure commande du procédé. La couche d'arséniure d'indium antiréfléchissante (12) est appliquée avec une épaisseur d'au moins 500 Angstroems et est en outre caractérisée par un degré de refléxion de 10 à 25% relativement indépendant de l'épaisseur du revêtement et de la longueur d'ondes de la lumière dans la gamme de fréquence normalement utilisée pour l'exposition d'un matériau photorésistant.

公开(公告)号：EP0174985A1

公开(公告)日：1986-03-26

申请号：EP85901700.0

申请日：1985-03-04

申请人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

发明人： BORODOVSKY, Yan, A.

IPC分类号： H01L21 ,  H01L23

CPC分类号： H01L21/76886 ,  H01L23/53271 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/945 ,  Y10S438/968 ,  Y10S438/97 ,  H01L2924/00

摘要： Structure de circuit intégré et procédé de fabrication de cette structure, où au moins une couche de métallisation (10) est enduite d'une couche conductrice d'arséniure d'indium (12) pendant la fabrication de la structure et une couche de métallisation supérieure (40) est appliquée ultérieurement sur la structure où au moins une partie de la couche de métallisation ultérieure (40) est en contact ohmique avec la couche conductrice d'arséniure d'indium (12), la couche de métallisation inférieure étant protégée par la couche interposée d'arséniure d'indium (12) pendant le retrait ultérieur de la couche de métallisation supérieure si un réusinage ultérieur de la structure devient nécessaire. L'utilisation de la couche d'arséniure d'indium (12) sur une couche de métallisation (10) améliore en outre le procédé de fabrication par l'utilisation de ses propriétés antiréfléchissantes pendant le modelage d'un élément photorésistant appliqué sur la couche d'arséniure d'indium.

摘要翻译： 制造这种结构的集成电路结构和方法，其中在该结构的制造期间至少一个金属化层（10）被涂覆有砷化铟导电层（12），并且顶部金属化层 （40）随后施加到所述结构，其中所述后续金属化层（40）的至少一部分与所述砷化铟导电层（12）欧姆接触，所述下金属化层由所述 如果后续的结构再加工变得必要，则在随后去除上部金属化层期间插入砷化铟（12）层。 在金属化层（10）上使用砷化铟层（12）通过在施加到层上的光致抗蚀剂元件的建模期间通过使用其抗反射性能进一步增强了制造工艺 的砷化铟。