公开(公告)号：EP1248865A1

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：EP00987492.6

申请日：2000-12-04

申请人： ASM Microchemistry Oy

发明人： ARO, Eva ,  HAUKKA, Suvi ,  TUOMINEN, Marko

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/00 ,  C30B25/02

CPC分类号： H01L21/02156 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/0215 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

摘要： Process for producing silicon oxide containing thin films on a growth substrate by the ALCVD method. In the process, a vaporizable silicon compound is bonded to the growth substrate, and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide. The invention comprises using a silicon compound which contains at least one organic ligand and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide by contacting it with a vaporized, reactive oxygen source, in particular with ozone. The present invention provides a controlled process for growing controlling thin films containing SiO2, with sufficiently short reaction times.

摘要翻译： 通过ALCVD方法在生长衬底上生产含氧化硅的薄膜的方法。 在此过程中，将可汽化的硅化合物结合到生长衬底上，并将键合的硅化合物转化为二氧化硅。 本发明包括使用含有至少一种有机配体的硅化合物，并且通过使键合的硅化合物与气化的活性氧源（特别是与臭氧）接触将其转化为二氧化硅。 本发明提供了一种用于生长控制含有SiO 2的薄膜的控制方法，反应时间足够短。