公开(公告)号：EP1564798B1

公开(公告)日：2017-08-02

申请号：EP03758926.4

申请日：2003-10-27

申请人： JGC Catalysts and Chemicals Ltd. ,  FUJITSU LIMITED

发明人： Nakashima, Akira, ,  Egami, Miki, ,  Komatsu, Michio, ,  Nakata, Yoshihiro, FUJITSU LIMITED ,  Yano, Ei, c/o FUJITSU LIMITED ,  Suzuki, Katsumi

IPC分类号： H01L21/312 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/316 ,  C08G77/08

CPC分类号： C09D183/02 ,  C08G77/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695

公开(公告)号：EP3186081A1

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：EP15760344.0

申请日：2015-08-26

申请人： 3M Innovative Properties Company

发明人： WOLK, Martin, B. ,  FREE, Michael, Benton ,  SCHMIDT, Daniel, J. ,  PELLERITE, Mark, J. ,  KAMRATH, Robert, F. ,  JOHNSON, Stephen, A. ,  COLLIER, Terry, O. ,  MANSOUR, Haefa

IPC分类号： B32B37/00 ,  B32B38/10 ,  B32B37/24

CPC分类号： B32B37/025 ,  B29C47/00 ,  B29C47/0021 ,  B29C47/065 ,  B32B7/12 ,  B32B27/283 ,  B32B37/06 ,  B32B2307/416 ,  B32B2307/418 ,  B32B2315/08 ,  B32B2457/20 ,  B32B2551/00 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02216 ,  H01L33/46 ,  H01L51/003 ,  Y02E10/549

摘要： Transfer films, articles made therewith, and methods of making and using transfer films to form an inorganic optical stack are disclosed.

摘要翻译： 本公开涉及无机多层层压转印膜，形成这些层压转印膜的方法以及使用这些层压转印膜的方法。 这些无机多层层压转印膜可以具有包括无机纳米粒子，牺牲材料和可以被致密化以形成无机光学叠层的任选无机前体的交替层。

公开(公告)号：EP1248865B1

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：EP00987492.6

申请日：2000-12-04

申请人： ASM INTERNATIONAL N.V.

发明人： ARO, Eva ,  HAUKKA, Suvi ,  TUOMINEN, Marko

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C30B25/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  C30B29/16

CPC分类号： H01L21/02156 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/0215 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

摘要： Process for producing silicon oxide containing thin films on a growth substrate by the ALCVD method. In the process, a vaporizable silicon compound is bonded to the growth substrate, and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide. The invention comprises using a silicon compound which contains at least one organic ligand and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide by contacting it with a vaporized, reactive oxygen source, in particular with ozone. The present invention provides a controlled process for growing controlling thin films containing SiO2, with sufficiently short reaction times.

公开(公告)号：EP1292973B1

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：EP01944605.3

申请日：2001-06-19

申请人： Honeywell International, Inc.

发明人： HACKER, Nigel, P. ,  THOMAS, Michael ,  DRAGE, James, S.

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  Y10T428/24802

公开(公告)号：EP2897160A1

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：EP15150071.7

申请日：2015-01-05

申请人： Renesas Electronics Corporation

发明人： Murata, Tatsunori ,  Maruyama, Takahiro

IPC分类号： H01L21/764 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/764

摘要： An object of the invention is to provide a semiconductor device having improved performance. A method of manufacturing a semiconductor device includes: forming a trench and then forming a first insulating film made of a silicon oxide film through CVD using a gas containing an O 3 gas and a TEOS gas to cover the side surface of the trench with the insulating film; forming a second insulating film made of a silicon oxide film through PECVD to cover the side surface of the trench with the second insulating film via the first insulating film; and forming a third insulating film made of a silicon oxide film through CVD using a gas containing an O 3 gas and a TEOS gas to close the trench with the third insulating film while leaving a space in the trench.

摘要翻译： 本发明的目的是提供具有改进性能的半导体器件。 一种制造半导体器件的方法包括：形成沟槽，然后使用含有O3气体和TEOS气体的气体通过CVD形成由氧化硅膜制成的第一绝缘膜，以用绝缘膜覆盖沟槽的侧表面 ; 通过PECVD形成由氧化硅膜制成的第二绝缘膜，以经由第一绝缘膜用第二绝缘膜覆盖沟槽的侧表面; 以及使用含有O3气体和TEOS气体的气体，通过CVD形成由氧化硅膜制成的第三绝缘膜，以在所述沟槽中留下空间的同时用所述第三绝缘膜封闭所述沟槽。

公开(公告)号：EP1623273B1

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：EP04751894.9

申请日：2004-05-11

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： LI, Weimin ,  SANDHU, Gurtej, S.

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/095 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC分类号： G03F7/095 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/311 ,  Y10T428/31663

公开(公告)号：EP2840164A1

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：EP14181693.4

申请日：2014-08-20

申请人： AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

发明人： Pearlstein, Ronald Martin ,  Spence, Daniel P.

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02282

摘要： Described herein are compositions or formulations for forming a film in a semiconductor deposition process, such as without limitation, a flowable chemical vapor deposition of silicon oxide. Also described herein is a method to improve the surface wetting by incorporating an acetylenic alcohols and diols or other types of surfactants described herein, such as without limitation , 3,5-dimethyl-1-hexyn-3-ol, 2,4,7,9-tetramethyl-5-decyne-4,7-diol, 4-ethyl-1-octyn-3-ol, 2,5-dimethylhexan-2,5-diol, 2,4,7,9-tetramethyl-5-dodecyne-4,7-diol, 2,5,8,11-tetramethyl-6-dodecyne-5,8-diol, 2,6-dimethyl-4-heptanol, N,N'-bis(1,3-dimethylbutyl)ethylenediamine, diisopentyl tartrate, 2,4,7,9-tetramethyl-4,7-decanediol and combinations thereof.

摘要翻译： 本文描述了在半导体沉积工艺中形成膜的组合物或配方，例如但不限于氧化硅的可流动的化学气相沉积。 本文还描述了通过掺入炔属醇和二醇或本文所述的其它类型的表面活性剂来改善表面润湿性的方法，例如但不限于3,5-二甲基-1-己炔-3-醇，2,4,7 ，9-四甲基-5-癸炔-4,7-二醇，4-乙基-1-辛炔-3-醇，2,5-二甲基己烷-2,5-二醇，2,4,7,9-四甲基-5 二癸炔-4,7-二醇，2,5,8,11-四甲基-6-十二炔-5,8-二醇，2,6-二甲基-4-庚醇，N，N'-双（1,3- 二甲基丁基）乙二胺，酒石酸二异戊酯，2,4,7,9-四甲基-4,7-癸二醇及其组合。

公开(公告)号：EP2024532A4

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：EP07797890

申请日：2007-05-30

申请人： APPLIED MATERIALS INC

发明人： INGLE NITIN K ,  YUAN ZHENG ,  GEE PAUL ,  SAPRE KEDAR

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/3105 ,  C23C16/402 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31633

公开(公告)号：EP2259289A4

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：EP09722827

申请日：2009-02-27

申请人： TORAY INDUSTRIES

发明人： MURASE SEIICHIRO ,  FUJIWARA TAKENORI ,  JO YUKARI ,  TSUKAMOTO JUN

IPC分类号： H01L21/312 ,  C08G59/20 ,  C08G59/30 ,  C08G59/32 ,  C08G59/68 ,  C08G65/20 ,  C08G77/14 ,  C09D5/25 ,  C09D163/00 ,  C09D183/04 ,  G03F7/075 ,  H01B3/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/052 ,  C08G59/306 ,  C08G59/3281 ,  C08G65/20 ,  C08G77/14 ,  C09D163/00 ,  G03F7/0757 ,  H01B3/40 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0545

公开(公告)号：EP2065428B1

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：EP07828866.9

申请日：2007-09-21

申请人： JSR Corporation

发明人： IWASAWA, Haruo ,  SAKAI, Tatsuya ,  MATSUKI, Yasuo ,  TAMAKI, Kentaro

IPC分类号： C08G77/12 ,  C04B41/81 ,  C09D183/05 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/3124 ,  C08G77/06 ,  C08G77/12 ,  C08G77/16 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76224