公开(公告)号：EP0698925A2

公开(公告)日：1996-02-28

申请号：EP95305683.5

申请日：1995-08-15

申请人： AT&T Corp. ,  Gribnikov, Zinovy Samoilovich

发明人： Gribnikov, Zinovy Samoilovich ,  Luryi, Serge

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L29/86

CPC分类号： H01L29/0813 ,  H01L29/86 ,  H03K19/08

摘要： The novel bipolar transistor has at least two separated emitter contacts (151, 152) and no base contact, and the emitter/base p-n junction has backward diode characteristics. The transistor can function as a logic device, but can also function as an amplifying device in digital or analog circuits.

摘要翻译： 该器件包括被掺杂为第一导电类型的第一组合物半导体材料的第一层，掺杂成第二导电类型的第二组合物半导体材料的第二层，其组成和电导率分别与第一导电类型不同，第三层是第三层 第三组合物半导体材料层，其掺杂为第一导电类型和与第二组成不同的组成。 第三层包括覆盖第二层的第一部分的第一区域和覆盖第二层的第二部分的第二区域。 第一区域基本上与第二区域电隔离，使得电荷载流子不会在第一和第二区域之间流动而不通过第二层材料。 第一和第二区域触点没有直接接触，第二层在第一和第二部分之间是连续的。

公开(公告)号：EP0698925A3

公开(公告)日：1996-05-01

申请号：EP95305683.5

申请日：1995-08-15

申请人： AT&T Corp. ,  Gribnikov, Zinovy Samoilovich

发明人： Gribnikov, Zinovy Samoilovich ,  Luryi, Serge

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L29/86

CPC分类号： H01L29/0813 ,  H01L29/86 ,  H03K19/08

摘要： The novel bipolar transistor has at least two separated emitter contacts (151, 152) and no base contact, and the emitter/base p-n junction has backward diode characteristics. The transistor can function as a logic device, but can also function as an amplifying device in digital or analog circuits.