公开(公告)号：EP0698925A2

公开(公告)日：1996-02-28

申请号：EP95305683.5

申请日：1995-08-15

申请人： AT&T Corp. ,  Gribnikov, Zinovy Samoilovich

发明人： Gribnikov, Zinovy Samoilovich ,  Luryi, Serge

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L29/86

CPC分类号： H01L29/0813 ,  H01L29/86 ,  H03K19/08

摘要： The novel bipolar transistor has at least two separated emitter contacts (151, 152) and no base contact, and the emitter/base p-n junction has backward diode characteristics. The transistor can function as a logic device, but can also function as an amplifying device in digital or analog circuits.

摘要翻译： 该器件包括被掺杂为第一导电类型的第一组合物半导体材料的第一层，掺杂成第二导电类型的第二组合物半导体材料的第二层，其组成和电导率分别与第一导电类型不同，第三层是第三层 第三组合物半导体材料层，其掺杂为第一导电类型和与第二组成不同的组成。 第三层包括覆盖第二层的第一部分的第一区域和覆盖第二层的第二部分的第二区域。 第一区域基本上与第二区域电隔离，使得电荷载流子不会在第一和第二区域之间流动而不通过第二层材料。 第一和第二区域触点没有直接接触，第二层在第一和第二部分之间是连续的。

公开(公告)号：EP0239960B1

公开(公告)日：1994-06-01

申请号：EP87104625.6

申请日：1987-03-27

申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： Emoto, Takao Patent Division ,  Shiomi,Takeo Patent Division ,  Takikawa,Osamu Patent Division ,  Saito, Masayuki Patent Division ,  Oodaira, Hirosi Patent Division

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L29/54 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/0813 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7304

公开(公告)号：EP0487540A1

公开(公告)日：1992-06-03

申请号：EP90910586.0

申请日：1990-07-27

申请人： ROBERT BOSCH GMBH

发明人： MICHEL, Hartmut ,  PLUNTKE, Christian

IPC分类号： H01L27 ,  H01L21 ,  H01L29

CPC分类号： H01L27/0825 ,  H01L29/0813 ,  H01L29/7304

摘要： La présente invention se rapporte à une puce de grande capacité réalisée en technologie planaire et équipée de transistors de commutation. Selon l'invention, des fenêtres de contact KEA sont introduites en premier lieu le long de bandes d'émission (1), dans des premières régions d'émetteur TA, puis des fenêtres de contact KEI en second lieu dans des secondes régions d'émetteur TI. Au-dessus des secondes fenêtres de contact KEA se trouve toujours une piste conductrice d'émetteur (4). Les premières fenêtres de contact KEA, par contre, sont toujours dotées d'une métallisation (5) qui ne communique pas directement avec la piste conductrice d'émetteur (4). Dans la région située entre les différentes fenêtres de contact KEA et KEI est définie une couche résistive déterminée par une résistance série d'émetteur RVE. Par la variation de la distance et de la forme des fenêtres de contact, cette résistance série RVE peut être adaptée à toute région de transistor en vue d'une équipartition optimale du courant.

公开(公告)号：EP0225672B1

公开(公告)日：1991-03-13

申请号：EP86202185.4

申请日：1986-12-01

申请人： Philips Electronics N.V.

发明人： Vaes, Henricus Maria Joseph

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L29/66303 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0813 ,  H01L29/7304

公开(公告)号：EP0212477A1

公开(公告)日：1987-03-04

申请号：EP86110944.5

申请日：1986-08-07

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Mahrla, Peter, Dipl.-Phys.

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/0813

摘要： Zur Verbesserung der Stromverteilung großflächiger Quasi-pnp-oder Quasi-npn-Leistungstransistoren werden die Teil-Leistungstransistoren (T L1 bis T L8 ) - und Teil-Treibertransistoren (T T1 bis T T4 ) in einzelne, einander zugeordnete Segmente (T T1 , T L1 , T L2 ; T T2 , T L3 , T L4 ; T T3 , T L5 , T L6 ; T T4 , T L7 , T L8 ; T T30 , T L30 bis T L33 , T L3X , T L3Y ) mit getrennten Basisstromzuführungen für die Leistungstransistorsegmente (T L1 , T L2 ; T L3 , T L4 ; T L5 , T L6 , T L7 , T L8 ; T L30 bis T L33 , T L3X , T L3Y ) aufgeteilt. Die An­passung der zugeordneten Segmente aneinander getrennter Leitbahnen zu den Kollektoren der Leistungstransistor­segmente (T L1 , T L2 ; T L3 , T L4 ; T L5 , T L6 ; T L7 , T L8 ; T L30 bis T L33 , T L3X , T L3Y ) und zu den Emittern der Treiber­transistorsegmente (T T1 , T T2 , T T3 , T T4 ; T T30 , T T40 ), Emitterwiderstände (R E1 bis R E8 , R T1 bis R T4 ; R E30 bis R E33 , R E3X , R E3Y , R T30 , R T40 ,) sowie Basisvorwiderstän­de (R B , R B30 , R B40 ) verbessern die Stromverteilung wei­terhin bei einer gleichzeitig flächengünstigen Topologie.

摘要翻译： 1.功率晶体管装置，其包括一种类型的组件功率晶体管（TL1至TL8; TL30至TL33，TL3X，TL3Y），其在每种情况下都具有发射极电阻（RE1至RE8; RE30至RE33，RE3X，RE3Y）， 功率晶体管并联连接到输出端子（E，C）的输出电路，并且包括具有并联连接的输入电路的另外类型的多个分量驱动晶体管（TT1至TT4; TT30，TT40），其基极为驱动器 晶体管连接到该装置的控制端子（B），其驱动器晶体管的发射极连接到该装置的输出端子（E），该端子连接到部件功率晶体管（TL1至TL8; TL30至TL33，TL3X，TL3Y）和功率晶体管与组件功率晶体管（TL1至TL8; TL30至TL33，TL3X，TL3Y）的基极连接的集电极，其特征在于组件功率转换 rs（TL1〜TL8; TL1至TL33，TL3X，TL3Y）和分量驱动晶体管（TT1至TT4; TT30，TT40）被细分为单独的相互分配的片段（TT1，TL1，TL2; TT2，TL3，TL4; TT3，TL5，TL6; TT4 （TL1，TL2; TL3，TL4; TL6; TL7，TL8; TL30至TL33，TL3X，TL3Y）具有单独的基极电流供应引线，TL7，TL7，TL8，TT30，TL30至TL33，TL3X，TL3Y）。

公开(公告)号：EP0098209B1

公开(公告)日：1986-09-17

申请号：EP83401285.8

申请日：1983-06-21

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Arnould, Jacques

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/52

CPC分类号： H01L29/41708 ,  H01L29/0813 ,  H01L29/1004

公开(公告)号：EP0037930B1

公开(公告)日：1985-08-21

申请号：EP81102204.5

申请日：1981-03-24

申请人： NEC CORPORATION

发明人： Suzuki, Masao

IPC分类号： G11C11/40 ,  H01L27/10 ,  H01L29/08 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L29/0813 ,  G11C11/4116 ,  H01L23/556 ,  H01L27/1025 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP0091624A3

公开(公告)日：1985-07-03

申请号：EP83103249

申请日：1983-03-31

申请人： NISSAN MOTOR CO., LTD.

发明人： Murakami, Koichi ,  Mihara, Teruyoshi

IPC分类号： H01L21/90 ,  H01L23/52 ,  H01L27/08

CPC分类号： H01L23/522 ,  H01L29/0813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing a vertical semiconductor device including a plurality of parallel-connected transistors comprises an anodizing step, before the electrodes (28, 29) are formed, in addition to the conventional manufacturing steps. Since defective semiconductor regions due to short circuit, poor withstand voltage or pin holes (PH) are insulated from the corresponding electrodes by an insulating material (27) formed in the anodizing step, even if any of parallel-connected transistors are defective, the integrated circuit is usable, thus reducing the percentage of defectiveness of the vertical semiconductor devices in the assembly line.

公开(公告)号：EP0098175A2

公开(公告)日：1984-01-11

申请号：EP83303809.4

申请日：1983-06-30

申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： Azuma, Makoto c/o Patent Division ,  Takigami, Katsuhiko c/o Patent Division

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L23/051 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/26 ,  H01L24/48 ,  H01L24/72 ,  H01L29/0813 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/744 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： A pressure contact type semiconductor device such as a power transistor or a gate turn off thyristor is disclosed, which leads a current through a conductive member by application of a pressure thereto. The emitter or cathode of the device comprises a number of radially extending finger like island regions close together on the semiconductor substrate and radiate from a central part to a peripheral part thereof. The radial direction length of the semiconductor layers near the central part is less than that of those in the peripheral part, making the occurrence of cathode gate short circuits less likely.

摘要翻译： 公开了一种压力接触型半导体器件，例如功率晶体管或栅极截止晶闸管，其通过施加压力而导致电流通过导电部件。 器件的发射极或阴极包括在半导体衬底上靠近在一起并从中心部分到其周边部分辐射的多个径向延伸的手指状岛状区域。 中心部分附近的半导体层的径向长度小于外围半导体层的半径方向长度，使得阴极栅极短路的发生不太可能。

公开(公告)号：EP0691034B1

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：EP94913907.5

申请日：1994-03-22

申请人： MICREL INCORPORATED

发明人： MOYER, James, C.

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/66303 ,  H01L29/0813 ,  H01L29/7304

摘要： A transistor structure incorporates a polysilicon layer (54) which is doped with N-type dopants and is used as an emitter ballast resistor in an array of NPN transistors. The polysilicon layer (54) is also used as a diffusion source to form N-type emitter regions (50, 51, 52) within a deep and high resistivity P-well (40), which acts as a relatively high value base ballast resistor for the transistor. A buried collector region (57, 62) carries collector current. The emitter regions (50, 51, 52) are formed as oblong strips. P-type base contact regions (42, 43, 44, 45), also formed as oblong strips, are formed in the surface of this P-well (40) parallel to the emitter regions (50, 51, 52). An emitter metal layer (56) overlies the polysilicon layer (54) and contacts the polysilicon layer (54) through openings (58, 59, 60, 61) in an insulating layer.