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公开(公告)号：EP3012874A1
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：EP14003616.1
申请日：2014-10-23
申请人： AZUR SPACE Solar Power GmbH , Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/03046 , H01L31/0693 , H01L31/1844 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Stapelförmige integrierte Mehrfachsolarzelle, mit einer ersten Teilzelle, wobei die erste Teilzelle eine Schicht aus einer InGaP Verbindung mit einer ersten Gitterkonstante und einer ersten Bandlückenenergie aufweist und die Dicke der Schicht größer als 100 nm ist und die Schicht als Teil des Emitters und / oder als Teil der Basis und / oder als Teil der zwischen Emitter und Basis liegenden Raumladungszone ausgebildet ist, und einer zweiten Teilzelle, wobei die zweite Teilzelle eine Schicht aus einer In m P n Verbindung mit einer zweiten Gitterkonstante und einer zweiten Bandlückenenergie aufweist, und die Dicke der Schicht größer als 100 nm ist und die Schicht als Teil des Emitters und / oder als Teil der Basis und / oder als Teil der zwischen Emitter und Basis liegenden Raumladungszone ausgebildet ist, und einer dritten Teilzelle, wobei die dritte Teilzelle eine Schicht aus einer In x Ga 1-x As 1-y P y Verbindung mit einer dritten Gitterkonstanten und einer dritten Bandlückenenergie aufweist, und die Dicke der Schicht größer als 100 nm ist und die Schicht als Teil des Emitters und / oder als Teil der Basis und / oder als Teil der zwischen Emitter und Basis liegenden Raumladungszone ausgebildet ist, und einer vierten Teilzelle, wobei die vierte Teilzelle eine Schicht aus einer InGaAs Verbindung mit einer vierten Gitterkonstanten und einer vierten Bandlückenenergie aufweist, und die Dicke der Schicht größer als 100 nm ist und die Schicht als Teil des Emitters und / oder als Teil der Basis und / oder als Teil der zwischen Emitter und Basis liegenden Raumladungszone ausgebildet ist, wobei für die Bandlückenenergien gilt Eg1 > Eg2 > Eg3 > Eg4, und zwischen zwei Teilzellen ein Bereich mit einem Wafer Bond ausgebildet ist.
摘要翻译： 类栈集成的多结太阳能电池包括：第一子电池，其具有与第一晶格常数和第一带隙能量和该层的厚度的InGaP通信的层中的第一子电池是大于100nm和层作为发射极的一部分和/或作为其一部分 基和/或形成为位于所述发射极和基极，以及第二子电池之间的空间电荷区域的一部分，所述第二子电池具有的在与第二晶格米P N连接恒定的层，和一个第二带隙能量和该层的厚度 大于100nm，并且所述层被形成作为发射极的一部分和/或作为所述基部的一部分，和/或为位于发射极和基极，以及第三子电池，其特征在于，所述第三子电池，在层X镓之间的空间电荷区域的一部分 1-x As形成具有第三晶格常数1-Y P Y [结合和第三带隙 具有功率，和该层的厚度大于100nm，并且所述层被形成作为发射极的一部分和/或作为所述基部的一部分，和/或为位于发射极和基极，以及第四子电池之间的空间电荷区域的一部分，所述第四 子电池具有第四晶格常数和第四带隙能量的InGaAs化合物的层，和在该层的厚度是大于100nm和层作为发射极的一部分和/或作为所述基部的一部分，和/或作为发射极之间的部分和 基躺在空间电荷区形成，其中，用于所述带隙能量为Eg1>为Eg2> EG3> Eg4的，和一个区域与两个子单元之间的晶片键形成。
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公开(公告)号：EP3882980A3
公开(公告)日：2021-09-29
申请号：EP21000070.9
申请日：2021-03-12
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/329 , H01L29/40
摘要： Stapelförmige hochsperrende III-V-Halbleiterleistungsdiode, aufweisend ein erste metallische Anschlusskontaktschicht, eine hochdotierte erste Halbleiterkontaktschicht, ein niedrig dotiertes Driftgebiet mit einer Schichtdicke von 10 µm - 200 µm und eine zweite metallische Anschlusskontaktschicht, wobei die vorgenannten Gebiete und Schichten in der genannten Reihenfolge angeordnet sind, die erste Halbleiterkontaktschicht als Mesa-Struktur ausgebildet ist, eine Unterseite der ersten Halbleiterkontaktschicht auf oder oberhalb eines ersten Oberflächenabschnitts des Driftgebiets angeordnet ist, eine Unterseite der ersten metallischen Anschlusskontaktschicht stoffschlüssig mit einer Oberseite der ersten Halbleiterkontaktschicht verbunden Ist und die zweite Anschlusskontaktschicht unterhalb einer Unterseite der des Driftgebiets angeordnet ist, wobei die III-V-Halbleiterleistungsdiode eine dotierte III-V-Halbleiterpassivierungsschicht aufweist, die III-V-Halbleiterpassivierungsschicht in einem ersten Abstand von mindestens 0,1 µm oder mindestens 10 µm zu der hochdotierten ersten Halbleiterkontaktschicht auf der Oberseite des Driftgebiets angeordnet, mit der Oberseite des Driftgebiets stoffschlüssig verbunden ist und eine sich von einer Energiebandlücke des Driftgebiets unterscheidende Energiebandlücke aufweist.
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公开(公告)号：EP3882980A2
公开(公告)日：2021-09-22
申请号：EP21000070.9
申请日：2021-03-12
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/329 , H01L29/40
摘要： Stapelförmige hochsperrende III-V-Halbleiterleistungsdiode, aufweisend ein erste metallische Anschlusskontaktschicht, eine hochdotierte erste Halbleiterkontaktschicht, ein niedrig dotiertes Driftgebiet mit einer Schichtdicke von 10 µm - 200 µm und eine zweite metallische Anschlusskontaktschicht, wobei die vorgenannten Gebiete und Schichten in der genannten Reihenfolge angeordnet sind, die erste Halbleiterkontaktschicht als Mesa-Struktur ausgebildet ist, eine Unterseite der ersten Halbleiterkontaktschicht auf oder oberhalb eines ersten Oberflächenabschnitts des Driftgebiets angeordnet ist, eine Unterseite der ersten metallischen Anschlusskontaktschicht stoffschlüssig mit einer Oberseite der ersten Halbleiterkontaktschicht verbunden Ist und die zweite Anschlusskontaktschicht unterhalb einer Unterseite der des Driftgebiets angeordnet ist, wobei die III-V-Halbleiterleistungsdiode eine dotierte III-V-Halbleiterpassivierungsschicht aufweist, die III-V-Halbleiterpassivierungsschicht in einem ersten Abstand von mindestens 0,1 µm oder mindestens 10 µm zu der hochdotierten ersten Halbleiterkontaktschicht auf der Oberseite des Driftgebiets angeordnet, mit der Oberseite des Driftgebiets stoffschlüssig verbunden ist und eine sich von einer Energiebandlücke des Driftgebiets unterscheidende Energiebandlücke aufweist.
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公开(公告)号：EP3882671A1
公开(公告)日：2021-09-22
申请号：EP21000068.3
申请日：2021-03-12
发明人： Strobl, Gerhard
IPC分类号： G01T1/24 , H01L27/146
摘要： III-V-Halbleiterpixel-Röntgendetektor, aufweisend ein Absorptionsgebiet eines ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps, mindestens neun in einer Matrix entlang der Oberseite des Absorptionsgebiets angeordnete Halbleiterkontaktgebiete des zweiten Leitfähigkeitstyps und optional eine Halbleiterkontaktschicht des ersten Leitfähigkeitstyps, wobei ein metallischer Vorderseitenanschlusskontakt unterhalb des Absorptionsgebiets angeordnet ist und oberhalb jedes Halbleiterkontaktgebiets jeweils ein metallischer Rückseitenanschlusskontakt angeordnet ist und der Röntgendetektor eine Halbleiterpassivierungsschicht des ersten oder des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, wobei die Halbleiterpassivierungsschicht und das Absorptionsgebiet zueinander gitterangepasst sind, die Halbleiterpassivierungsschicht gebietsweise auf der Oberseite des Absorptionsgebiets angeordnet ist und die Halblelterpassivierungsschicht zu jedem hochdotierten Halbeiterkontaktgebiet entlang der Oberseite des Absorptionsgebiets einen Mindestabstand von mindestens 2 pm oder mindestens 20 µm aufweist.
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公开(公告)号：EP2264788B1
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：EP10182110.6
申请日：2005-12-23
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/0687 , H01L31/056
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/02168 , H01L31/02327 , H01L31/03046 , H01L31/047 , H01L31/052 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/0687 , H01L31/0735 , H01L31/074 , Y02E10/52 , Y02E10/544
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公开(公告)号：EP2827384B1
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：EP14002885.3
申请日：2005-12-23
IPC分类号： H01L31/056 , H01L31/0687 , H01L31/0304 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/02168 , H01L31/02327 , H01L31/03046 , H01L31/047 , H01L31/052 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/0687 , H01L31/0735 , H01L31/074 , Y02E10/52 , Y02E10/544
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公开(公告)号：EP3882983A1
公开(公告)日：2021-09-22
申请号：EP21000073.3
申请日：2021-03-12
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/103 , H01L29/861 , H01L29/06 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/20 , H01L29/205
摘要： Stapeiförmiges photonisches III-V-Halbleiterbauelement, aufweisend eine erste und eine zweite metallische Anschlusskontaktschicht, eine hochdotierte erste Halbleiterkontaktschicht, ein schwach dotiertes Absorptionsgebiet mit einer Schichtdicke von 80 µm - 2000 µm, wobei die erste Halbleiterkontaktschicht als Mesa-Struktur auf der Oberseite des Absorptionsgebiets ausgebildet ist, die Unterseite der ersten metallischen Anschlusskontaktschicht stoffschlüssig mit der Oberseite der ersten Halbleiterkontaktschicht verbunden ist und die zweite metallische Anschlusskontaktschicht unterhalb einer Unterseite des Absorptionsgebiets angeordnet ist, das stapelförmige photonische III-V-Halbleiterbauelement eine dotierte III-V-Halbleiterpassivierungsschicht aufweist, wobei die III-V-Halbleiterpassivierungsschicht in einem ersten Abstand von mindestens 0,2 µm oder von mindestens 20 µm zu der Mesa-Struktur der ersten Halbleiterkontaktschicht auf der Oberseite des Absorptionsgebiets angeordnet und mit der Oberseite des Absorptionsgebiets stoffschlüssig verbunden ist und sich eine Energiebandlücke des Absorptionsgebiets von einer Energiebandlücke der III-V-Halbleiterpassivierungsschicht unterscheidet.
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公开(公告)号：EP2827384A1
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：EP14002885.3
申请日：2005-12-23
IPC分类号： H01L31/056 , H01L31/0687 , H01L31/0304 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/02168 , H01L31/02327 , H01L31/03046 , H01L31/047 , H01L31/052 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/0687 , H01L31/0735 , H01L31/074 , Y02E10/52 , Y02E10/544
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine monolithische Mehrfach-Solarzelle (10) mit zumindest drei Teilzellen (12, 14, 16, 18), wobei ein Halbleiterspiegel (22) zwischen zwei Teilzellen (16, 18) angeordnet ist. Um die Strahlungsstabilität der Solarzelle zu verbessern, wird vorgeschlagen, dass der Halbleiterspiegel in zumindest einem Teil des spektralen Absorptionsbereichs der über dem Halbleiterspiegel angeordneten Teilzelle einen hohen Reflexionsgrad und im spektralen Absorptionsbereich der unterhalb des Halbleiterspiegels angeordneten Teilzelle einen hohen Transmissionsgrad aufweist.
摘要翻译： 本发明涉及一种整体式的多个太阳能电池（10）具有至少三个子电池（12，14，16，18），其中，两个子单元（16，18）之间的半导体反射镜（22）被布置。 为了提高太阳能电池的辐射稳定性，建议的是，半导体反射镜的高反射率，并且在半导体反射镜的下方的光谱吸收区域布置子电池具有高的透射率，其中的布置在半导体镜子电池上方的光谱吸收区域的至少一部分上。
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公开(公告)号：EP3882982A1
公开(公告)日：2021-09-22
申请号：EP21000072.5
申请日：2021-03-12
发明人： Strobl, Gerhard
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/103 , H01L29/861 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L23/29 , H01L23/31
摘要： Stapelförmiges photonisches III-V-Halbleiterbauelement, aufweisend eine zumindest gebietsweise ausgebildete zweite metallische Anschlusskontaktschicht, ein hochdotiertes erste Halbleiterkontaktgebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps, ein sehr schwach dotiertes Absorptionsgebiet des erste oder zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer Schichtdicke von 20 µm - 2000 µm, eine zumindest gebietsweise ausgebildete erste metallische Anschlusskontaktschicht, wobei das erste Halbleiterkontaktgebiet sich wannenförmig In das Absorptionsgebiet hinein erstreckt, die zweiten metallischen Anschlusskontaktschicht stoffschlüssig mit dem erste Halbleiterkontaktgebiet verbunden ist und die erste metallische Anschlusskontaktschicht unterhalb des Absorptionsgebiets angeordnet ist. Außerdem weist das stapelförmige photonische III-V-Halbleiterbauelement eine dotierte III-V-Halbleiterpassivierungsschicht des ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps auf, wobei die III-V-Halbleiterpassivierungsschicht in einem ersten Abstand von mindestens 10 µm zu dem erste Halbleiterkontaktgebiet auf der Oberseite des Absorptionsgebiets angeordnet ist.
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公开(公告)号：EP3882979A1
公开(公告)日：2021-09-22
申请号：EP21000069.1
申请日：2021-03-12
发明人： Strobl, Gerhard
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/06 , H01L29/04 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/40 , H01L21/329
摘要： Stapelförmige hochsperrende III-V-Halbleiterleistungsdiode, aufweisend ein zweite metallische Anschlusskontaktschicht, ein hochdotiertes Halbleiterkontaktgebiet, ein niedrig dotiertes Driftgebiet mit einer Schichtdicke von 10 µm - 100 µm, eine hochdotierte Halbleiterkontaktschicht und eine erste metallisches Anschlusskontaktschicht, wobei die vorgenannten Gebiete und Schichten in der genannten Reihenfolge angeordnet sind, das Halbleiterkontaktgebiet sich wannenförmig in das Driftgebiet hinein erstreckt, die Unterseite der zweiten metallischen Anschlusskontaktschicht stoffschlüssig mit der Oberseite des Halbleiterkontaktgebiets verbunden ist und die erste Anschlusskontaktschicht mit einer Unterseite der Halbleiterkontaktschicht stoffschlüssig verbunden ist, wobei die III-V-Halbleiterleistungsdiode eine dotierte III-V-Halbleiterpassivierungsschicht aufweist, die III-V-Halbleiterpassivierungsschicht in einem ersten Abstand von mindestens 0,5 µm oder von mindestens 5 µm oder von mindestens 10 µm oder von mindestens 20 µm oder von mindestens 40 µm zu dem hochdotierten Halbleiterkontaktgebiet auf der Oberseite des Driftgebiets angeordnet und mit der Oberseite des Driftgebiets stoffschlüssig verbunden ist.
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