公开(公告)号：EP2068358A1

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：EP08169798.9

申请日：2008-11-24

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

发明人： Moriceau, Hubert ,  Couchaud, Maurice ,  Deschanvres, Jean-Luc ,  Joudrier, Anne-Laure

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01F10/24 ,  C30B33/06 ,  H01F41/34

CPC分类号： H01F10/24 ,  C30B29/28 ,  C30B31/22 ,  C30B33/06 ,  H01F41/34 ,  H01L21/76254

摘要： L'invention concerne un procédé de report d'une couche en un premier matériau, à partir d'un premier substrat (4), présentant des défauts dans une zone proche de sa surface, sur un substrat hôte (20), en un deuxième matériau, comportant :
a) une étape d'amincissement du premier substrat, pour former un premier substrat aminci (24),
b) une implantation d'ions ou d'atomes dans ce premier substrat, pour y former un plan d'implantation (6), délimitant la couche à reporter,
c) un report de ladite couche sur le substrat hôte (20), par fracture du substrat le long du plan d'implantation.

摘要翻译： 该方法包括在沉积衬底上沉积单晶层以形成沉积层，并使沉积层变薄以形成薄层（24）。 形成中间层（10）。 将离子或原子注入到沉积衬底中以在沉积衬底上形成注入区（6）。 薄层和衬底被转移到主衬底（20）。 沉积基底沿植入区破裂。