利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

6 条记录 (耗时 0.013 秒)

    Procédé de transfert de films
    3.
    发明公开
    Procédé de transfert de films 审中-公开
    Verfahren zurÜbertragungvon Schichten

    公开(公告)号：EP2068358A1

    公开(公告)日：2009-06-10

    申请号：EP08169798.9

    申请日：2008-11-24

    申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    发明人： Moriceau, Hubert ,  Couchaud, Maurice ,  Deschanvres, Jean-Luc ,  Joudrier, Anne-Laure

    IPC分类号： H01L21/762 ,  H01F10/24 ,  C30B33/06 ,  H01F41/34

    CPC分类号： H01F10/24 ,  C30B29/28 ,  C30B31/22 ,  C30B33/06 ,  H01F41/34 ,  H01L21/76254

    摘要： L'invention concerne un procédé de report d'une couche en un premier matériau, à partir d'un premier substrat (4), présentant des défauts dans une zone proche de sa surface, sur un substrat hôte (20), en un deuxième matériau, comportant :
    a) une étape d'amincissement du premier substrat, pour former un premier substrat aminci (24),
    b) une implantation d'ions ou d'atomes dans ce premier substrat, pour y former un plan d'implantation (6), délimitant la couche à reporter,
    c) un report de ladite couche sur le substrat hôte (20), par fracture du substrat le long du plan d'implantation.

    摘要翻译： 该方法包括在沉积衬底上沉积单晶层以形成沉积层，并使沉积层变薄以形成薄层（24）。 形成中间层（10）。 将离子或原子注入到沉积衬底中以在沉积衬底上形成注入区（6）。 薄层和衬底被转移到主衬底（20）。 沉积基底沿植入区破裂。

    Procédé de préparation d'un substrat en ZnO en partie ou en totalité semi-isolant ou dopé de type P, substrats obtenus, et dispositifs électroniques, électrooptiques ou optoélectroniques les comprenant.
    5.
    发明公开
    Procédé de préparation d'un substrat en ZnO en partie ou en totalité semi-isolant ou dopé de type P, substrats obtenus, et dispositifs électroniques, électrooptiques ou optoélectroniques les comprenant. 有权
    其与绝缘或准P型，并且因此获得的电子，光电或光电子器件包含它们的底物完全或部分地掺杂ZnO基板的制备方法

    公开(公告)号：EP2154712A1

    公开(公告)日：2010-02-17

    申请号：EP09167651.0

    申请日：2009-08-11

    申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    发明人： Couchaud, Maurice ,  Chevalier, Céline

    IPC分类号： H01L21/388 ,  C30B31/04

    CPC分类号： C30B29/16 ,  C30B31/04 ,  H01L21/388 ,  H01L29/227 ,  H01L33/0083

    摘要： Procédé de préparation d'un substrat en ZnO en partie ou en totalité semi-isolant ou dopé de type p, à partir d'un substrat en ZnO dopé de type n, dans lequel on met en contact le substrat en ZnO dopé de type n avec un sel fondu anhydre choisi parmi le nitrate de sodium, le nitrate de lithium, le nitrate de potassium et le nitrate de rubidium fondus anhydres.
    Substrat en ZnO en partie ou en totalité semi-isolant ou dopé de type p, notamment sous la forme d'une couche mince ou de nanofils, ce substrat étant dopé à la fois par un élément choisi parmi Na, Li, K et Rb ; par N ; et par O ; du ZnO ou du GaN pouvant en outre être épitaxié sur ce substrat.
    Dispositif électronique, optoélectronique ou électrooptique tel qu'une diode électroluminescente (DEL) comprenant ce substrat.

    摘要翻译： 该方法包括在350-500℃下]Ç接触与熔融盐酐n型掺杂的ZnO基板5小时。 熔融盐是酐在450与基片接触，以500 [℃，所有这一切都被维持为进一步的处理常数，24-48小时前热脱水。 所述接触步骤进行通过在熔融盐中的基板的浸泡。 具有厚度为500纳米至1微米的n型掺杂的ZnO基板的表面层转变成p型掺杂的ZnO基板。 独立claimsoft的基材包括用于半绝缘p掺杂的氧化锌（ZnO）等。