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    Procédé pour le transfert d'un film mince comportant une étape de création d'inclusions
    3.
    发明公开
    Procédé pour le transfert d'un film mince comportant une étape de création d'inclusions 有权
    一种用于传送的薄膜形成工序与夹杂物的方法

    公开(公告)号：EP2175478A2

    公开(公告)日：2010-04-14

    申请号：EP10152671.3

    申请日：1998-12-29

    申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    发明人： Moriceau, Hubert ,  Bruel, Michel ,  Aspar, Bernard ,  Maleville, Christophe

    IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/26506 ,  Y10S438/977

    摘要： L'invention concerne un procédé pour le transfert d'au moins un film mince de matériau solide délimité dans un substrat initial (2) le substrat initial étant constitué d'une partie massive supportant une structure en film(s). Il comprend les étapes suivantes : une étape de formation d'une couche d'inclusions (3) dans le substrat initial (2), à une profondeur correspondant à l'épaisseur désirée pour le film mince, ces inclusions étant prévues pour constituer une zone de confinement pour les espèces gazeuses qui seront ensuite implantées ; une étape postérieure d'implantation desdites espèces gazeuses, de façon à amener les espèces gazeuses dans la couche d'inclusions (3), la dose des espèces gazeuses implantées étant suffisante pour provoquer la formation de microcavités susceptibles de constituer un plan de fracture permettant la séparation du film mince du reste du substrat. La couche d'inclusion est formée au moins par une technique de dépôt de film ou une technique de gravure d'une couche du substrat.

    Procédé de recyclage d un support de substrat
    4.
    发明公开
    Procédé de recyclage d un support de substrat 有权
    Recyclingverfahren einer Substratterlage

    公开(公告)号：EP2747126A1

    公开(公告)日：2014-06-25

    申请号：EP13197601.1

    申请日：2013-12-17

    申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

    发明人： Fournel, Frank ,  Moriceau, Hubert ,  Zussy, Marc

    IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/44

    CPC分类号： C23C14/50 ,  C23C14/48 ,  C23C14/5873 ,  C23C16/4407 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/6835

    摘要： Procédé de recyclage d'un support (1) de substrat adapté à la réception d'un substrat pour au moins une étape de dépôt d'une couche d'un matériau sur le substrat conduisant également au dépôt d'une couche d'un matériau sur le support (1) de substrat, le procédé comprenant les étapes consistant à :
    a) Implanter des espèces ioniques à travers une face d'accueil du support (1) de substrat de sorte à former au moins un plan de fragilisation enterré délimitant un film mince (7) sous la face d'accueil du support (1) de substrat,
    b) Exfolier le film mince (7) du support (1) de substrat de sorte à morceler le film mince (7), et
    c) Retirer un empilement (6) comportant au moins la couche d'un matériau déposé sur le film mince (7) résultant de ladite au moins une étape de dépôt de la couche d'un matériau sur le substrat.

    摘要翻译： 用于回收具有接收表面的衬底保持器（1）的方法，该接收表面适于接收衬底，用于在衬底上沉积材料层的步骤，导致材料层沉积在衬底保持器上，包括：引入离子物质 通过保持器的接收表面以形成在保持器的接收表面中限定掩埋薄膜（7）的掩埋脆性平面; 剥离保持器的薄膜以分解薄膜; 以及去除包括沉积在薄膜上的材料层的堆叠（6）。 用于回收具有接收表面的衬底保持器（1）的方法，该接收表面适于接收衬底，用于在衬底上沉积材料层的步骤，导致材料层沉积在衬底保持器上，包括：引入离子物质 通过保持器的接收表面以形成在保持器的接收表面中限定掩埋薄膜（7）的掩埋脆性平面; 剥离保持器的薄膜以分解薄膜; 以及去除包括沉积在薄膜上的材料层的堆叠（6），其由在衬底上沉积材料层的步骤产生。 该方法还包括：在引入步骤之后在保持器的薄膜上形成附加层，在薄膜上沉积表面层和沉积在薄膜上的材料层的堆叠上，以及用于生长的热预处理 在引入步骤之后和剥离步骤之前的空腔的数量和尺寸。 去除步骤包括剥离附加层，并通过加压水射流清洁保持器的表面。 剥离步骤包括应用热处理。 引入步骤导致形成限定薄膜的空腔。 表面层的材料具有与保持器的材料的CTE不同的热膨胀系数（CTE）。 保持器的接收表面包括用于接收基板的平面主区域和包括额外厚度材料的周边区域，以维持用于沉积材料层的基板。 引入步骤包括引入离子物质通过周边区域，使得脆化面限定在周边区域下方的薄膜，并且通过平面主区域和通过周边区域进行导致脆化面的形成， 平面主区域和在周边区域下方形成第二掩埋脆化平面。 在剥离步骤之前进行沉积步骤。 当堆叠厚度为1-7μm时，实现剥离步骤。 保持器包括直径为300mm的硅板，外围区域的厚度为725μm，宽度为5mm至5cm。 该支架适于处理直径为200mm的硅基板，并用于沉积由二氧化钛制成的材料层，厚度为1.5μm。 引入步骤包括具有1-300keV能量和1/10> 5> -1×10 1> 7> at / cm 2的氢的建立。 剥离步骤在200-500℃的温度下进行几分钟至数小时。

    Fabrication d une structure souple par transfert de couches
    5.
    发明公开
    Fabrication d une structure souple par transfert de couches 有权
    Verfahren zur Herstellung einer flexiblen Struktur durch Schichtentransfer

    公开(公告)号：EP2608252A1

    公开(公告)日：2013-06-26

    申请号：EP12195967.0

    申请日：2012-12-06

    申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

    发明人： Moriceau, Hubert ,  Argoud, Maxime ,  Fournel, Frank ,  Morales, Christophe ,  Mazen, Frédéric

    IPC分类号： H01L21/762

    CPC分类号： B32B38/10 ,  B32B3/02 ,  B32B7/02 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/24967

    摘要： Procédé de fabrication d'une structure souple (13) comprenant les étapes suivantes :
    - Implanter des espèces ioniques dans des premier et deuxième substrats sources (1,2), de sorte à former respectivement des première et deuxième régions de fragilisation (3.5, 4.6) délimitant des premier et deuxième films minces (3,4),
    - Fournir un substrat souple (9) dont la rigidité R est inférieure ou égale à 10 7 GPa.µm 3 ,
    - Solidariser les premier et deuxième films minces (3,4) respectivement aux première et deuxième faces du substrat souple (9) de sorte à former un empilement (12) comportant la structure souple (13) délimitée par les première et deuxième régions de fragilisation (3.5, 4.6), la structure souple (13) présentant un effet raidisseur adapté pour permettre les transferts des premier et deuxième films minces (3,4), et
    - Appliquer un budget thermique de sorte à transférer les premier et deuxième films minces (3,4) sur le substrat souple (9).

    摘要翻译： 该方法包括在源底物中注入离子物质以形成界定第二薄膜（4）的脆化区（3.5,4.6）。 第一薄膜（3）和第二薄膜固定到柔性基板（9）的第一和第二表面以形成包括由脆化区限定的柔性结构（13）的堆叠（12）。 柔性结构包括适于允许第一和第二薄膜转移的加强效果。 应用断裂热预算用于将第一和第二薄膜转移到柔性基板上。 初级和次级增强薄膜的厚度介于0.1微米与30微米之间。 杨氏模量大于或等于10级平均值（GPa）。 柔性基材选自金属片，橡胶聚合物，玻璃状聚合物如Kapton（RTM：聚酰亚胺膜）。 还包括以下独立的CLAMIS：（1）中间结构（2）柔性结构，适用于被抓取以应用微技术，微电子学和清洁步骤。

    Procédé de transfert de films
    6.
    发明公开
    Procédé de transfert de films 审中-公开
    Verfahren zurÜbertragungvon Schichten

    公开(公告)号：EP2068358A1

    公开(公告)日：2009-06-10

    申请号：EP08169798.9

    申请日：2008-11-24

    申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    发明人： Moriceau, Hubert ,  Couchaud, Maurice ,  Deschanvres, Jean-Luc ,  Joudrier, Anne-Laure

    IPC分类号： H01L21/762 ,  H01F10/24 ,  C30B33/06 ,  H01F41/34

    CPC分类号： H01F10/24 ,  C30B29/28 ,  C30B31/22 ,  C30B33/06 ,  H01F41/34 ,  H01L21/76254

    摘要： L'invention concerne un procédé de report d'une couche en un premier matériau, à partir d'un premier substrat (4), présentant des défauts dans une zone proche de sa surface, sur un substrat hôte (20), en un deuxième matériau, comportant :
    a) une étape d'amincissement du premier substrat, pour former un premier substrat aminci (24),
    b) une implantation d'ions ou d'atomes dans ce premier substrat, pour y former un plan d'implantation (6), délimitant la couche à reporter,
    c) un report de ladite couche sur le substrat hôte (20), par fracture du substrat le long du plan d'implantation.

    摘要翻译： 该方法包括在沉积衬底上沉积单晶层以形成沉积层，并使沉积层变薄以形成薄层（24）。 形成中间层（10）。 将离子或原子注入到沉积衬底中以在沉积衬底上形成注入区（6）。 薄层和衬底被转移到主衬底（20）。 沉积基底沿植入区破裂。

    Transfert sélectif d'éléments d'un support vers un autre support
    8.
    发明公开
    Transfert sélectif d'éléments d'un support vers un autre support 有权
    元件的选择性转移从一个载体向另一个载体

    公开(公告)号：EP0977252A1

    公开(公告)日：2000-02-02

    申请号：EP99401896.8

    申请日：1999-07-26

    申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    发明人： Aspar, Bernard ,  Moriceau, Hubert ,  Rayssac, Olivier

    IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L21/68 ,  H01L21/603

    CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

    摘要： L'invention concerne un procédé de transfert sélectif d'éléments (14) depuis un support de transfert (10) vers un support de réception (18), les éléments (14) adhérant par une première face au support de transfert (10) selon une énergie d'adhésion définie, les éléments (14) présentant chacun une seconde face susceptible d'être mise en contact avec le support de réception (18). Le transfert des éléments à transférer est obtenu en leur conférant une énergie d'adhésion avec le support de réception (18) supérieure à l'énergie d'adhésion de leur première face avec le support de transfert (10), des moyens de retenue étant prévus pour retenir les éléments à ne pas transférer sur le support de transfert.

    摘要翻译： 从转印支承件（10），以接收支撑件（18）选择性元件传递包括所选择的元件自由表面的结合能增大到接收支持。 从转印支承件（10），以接收支撑件（18）选择性元件传递包括：（a）处理所选择的元件的自由面上，以增加其粘附到接收支持上面所做的另一面的转印用支撑体; （B）保留在转印支撑其它元件，同时接触处理的面与接收支持; 和（c）从接收的支持分离转移载体，以实现选定的元件传送。 优选的特征：初始的工艺步骤包括在初始形成在基板上的元件，粘接在初始衬底到转移载体（10）通过分子键合，然后消除初始底物。 分子键合是通过亲水性，疏水性和/或微粗糙化操作来实现。 元件（14）可以在在转印支承件（10）的连续层的形式，在这种情况下，所述或每个选定的元件被通过化学蚀刻个体化，切割刀片或激光蚀刻。 所述或每个所选择的元件的自由表面粘接到通过分子键合所述接收支持热处理后，以增加它的键合能量。 在非选择元件被保留和/或接收支持表面区，这是自由的元素被保持，由亲水性的，疏水性的，粗糙化，热处理和/或表面凹陷的操作处理。 亲水处理包括清洗，粗糙化和/或沉积和疏水性处理包括清洁和/或污染。