公开(公告)号：EP2819068A3

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：EP14173939.1

申请日：2014-06-25

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： Suri, Manan ,  Palma, Giorgio

IPC分类号： G06N3/04 ,  G06N3/063 ,  G11C11/54 ,  G11C13/00

CPC分类号： G06N3/063 ,  G06N3/049 ,  G06N3/0635 ,  G11C11/54 ,  G11C13/0002

摘要： L'invention a pour objet un circuit pour la mise en oeuvre d'un neurone artificiel, ledit circuit comprenant : un intégrateur (700) configurer pour intégrer un signal d'entrée (710) de manière à produire en sortie un signal de tension Vmem ; un générateur de signaux (701) relié à la sortie de l'intégrateur et configurer pour produire deux signaux de sortie lorsque la tension Vmem est supérieure ou égale à une tension Vth prédéterminée (707) un premier signal correspondant à une impulsion de sortie du neurone (711) et un deuxième signal correspondant à une impulsion de contrôle (720) Vout ; une mémoire résistive (708) comprenant deux bornes et apte à commuter d'un état de haute résistance vers un état de basse résistance en un temps Tset suivant une distribution statistique propre à ladite mémoire, une première borne étant reliée à la sortie de l'intégrateur (700) ; un transistor (Q1) relié à une branche de potentiel nul ainsi qu'à une deuxième borne de la mémoire résistive (708), ledit transistor étant en outre configuré pour être contrôlé par le deuxième signal (720) de sortie du générateur de signaux (701) de manière à ce qu'en présence d'une impulsion de tension Vout la mémoire résistive commute de son état de haute résistance vers son état de basse résistance en vue de faire baisser la tension Vmem.

公开(公告)号：EP2819068A2

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：EP14173939.1

申请日：2014-06-25

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： Suri, Manan ,  Palma, Giorgio

IPC分类号： G06N3/04 ,  G06N3/06 ,  G11C11/54

CPC分类号： G06N3/063 ,  G06N3/049 ,  G06N3/0635 ,  G11C11/54 ,  G11C13/0002

摘要： L'invention a pour objet un circuit pour la mise en oeuvre d'un neurone artificiel, ledit circuit comprenant : un intégrateur (700) configurer pour intégrer un signal d'entrée (710) de manière à produire en sortie un signal de tension Vmem ; un générateur de signaux (701) relié à la sortie de l'intégrateur et configurer pour produire deux signaux de sortie lorsque la tension Vmem est supérieure ou égale à une tension Vth prédéterminée (707) un premier signal correspondant à une impulsion de sortie du neurone (711) et un deuxième signal correspondant à une impulsion de contrôle (720) Vout ; une mémoire résistive (708) comprenant deux bornes et apte à commuter d'un état de haute résistance vers un état de basse résistance en un temps Tset suivant une distribution statistique propre à ladite mémoire, une première borne étant reliée à la sortie de l'intégrateur (700) ; un transistor (Q1) relié à une branche de potentiel nul ainsi qu'à une deuxième borne de la mémoire résistive (708), ledit transistor étant en outre configuré pour être contrôlé par le deuxième signal (720) de sortie du générateur de signaux (701) de manière à ce qu'en présence d'une impulsion de tension Vout la mémoire résistive commute de son état de haute résistance vers son état de basse résistance en vue de faire baisser la tension Vmem.

摘要翻译： 一种用于实现人造神经元的电路包括：用于产生电压信号的输入信号的积分器; 连接到积分器输出的信号发生器，当电压处于或高于预定电压时产生两个输出信号，用于神经元的输出脉冲的第一信号和用于控制脉冲的第二信号; 电阻存储器，包括两个终端，在一个与存储器特有的统计分布之后的时间内从高电平到低电阻状态切换，第一端子与积分器的输出相连; 一个连接到零电位的分支到电阻性存储器的第二端子的晶体管，由第二输出信号控制，使得在存在电压脉冲的情况下，电阻性存储器从其高电阻状态切换到其低电阻状态 查看降低电压。