公开(公告)号：EP2297745A1

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：EP09753842.5

申请日：2009-05-25

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： NEEL, Delphine ,  GETIN, Stéphane ,  HYOT, Bérangère ,  MIMOUNI, Salim

IPC分类号： G21K1/00

CPC分类号： G02B21/32

摘要： The invention relates to a device for trapping particles contained in a liquid (L) placed in a tank (4), characterized in that it comprises a substrate (2) that is transparent at a working wavelength, a thin layer (1) of material with non-linear optical properties that are reversible at the working wavelength and which is fixed to a first face of the transparent substrate (2) to form all or part of at least one wall of the tank (4), a device for forming an optical trap which comprises a laser source which emits a laser beam and means for forming a waist of the laser beam, the laser beam being incident upon that face of the transparent substrate that lies on the opposite side to the first face and the waist of the laser beam being formed in the thin layer (1), an evanescent electromagnetic field forming at the surface of the thin layer (1).

公开(公告)号：EP2391578B1

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：EP10701373.2

申请日：2010-01-28

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： NEEL, Delphine ,  FERRET, Pierre ,  GETIN, Stéphane

IPC分类号： B82B3/00 ,  H01L21/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/60

CPC分类号： C30B29/60 ,  C30B11/12

公开(公告)号：EP4178051A1

公开(公告)日：2023-05-10

申请号：EP22206233.3

申请日：2022-11-08

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ,  THALES

发明人： NEEL, Delphine ,  BITAULD, David

IPC分类号： H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/042 ,  H01S5/10

摘要： L'invention porte sur un procédé d'intégration sur silicium d'un composant (23) III-V, comprenant les étapes suivantes :
- Fournir un premier substrat (1) comprenant une couche optique (122) à base de silicium, comprenant un guide d'onde (120),
- Reporter un deuxième substrat (2) à base de matériau III-V sur la couche optique (122),
- Former le composant III-V (23) à partir dudit deuxième substrat (2), de sorte à permettre un couplage entre le guide d'onde (120) et ledit composant III-V (23), et en conservant une couche (221) à base de matériau III-V s'étendant latéralement,
- Former par épitaxie à partir de ladite couche (221), une structure (24) à base d'InP:Fe bordant latéralement le composant III-V (23),
- Former une couche (250) comprenant des contacts (251, 252) destinés à contacter le composant III-V (23),
- Reporter un troisième substrat (3) à base de silicium sur ladite couche (250) comprenant les contacts III-V.

公开(公告)号：EP2391578A1

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：EP10701373.2

申请日：2010-01-28

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： NEEL, Delphine ,  FERRET, Pierre ,  GETIN, Stéphane

IPC分类号： B82B3/00 ,  H01L21/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/60

CPC分类号： C30B29/60 ,  C30B11/12

摘要： The invention relates to a method for forming nanowires (nf) on the surface of a substrate (S) attached to a solid immersion lens, the method including a step of forming a catalyst element (P) on the surface of the substrate and a step of growing the nanowire (nf) using the catalyst element formed on the surface of the substrate (S), characterised in that the catalyst element is a metal nanoparticle (P) and in that the step of forming the catalyst element on the surface of the substrate comprises depositing the metal nanoparticle using a light beam focussed by the solid immersion lens on the surface of the substrate. The invention can be used in the field of microelectronics.