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公开(公告)号：EP4006958A1
公开(公告)日：2022-06-01
申请号：EP21209321.5
申请日：2021-11-19
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L23/31 , H01L21/768
摘要： Procédé de reprise de contact électrique, comportant les étapes :
a) prévoir des puces (P) électroniques, surmontées de plots (1) de contact électrique, et formées sur un substrat (2) ; les plots (1) et le substrat (2) étant revêtus d'une couche de passivation (3) ;
b) former un empilement sur la couche de passivation (3), comportant :
- une première couche d'aplanissement (4), réalisée dans un premier matériau autorisant une gravure chimique sélective par rapport à la couche de passivation (3), et formée sur la couche de passivation (3) de manière à affleurer le sommet des plots (1) ;
- une deuxième couche d'aplanissement (5), réalisée dans un deuxième matériau ;
- une couche intercalaire (CI), réalisée dans un matériau autorisant une gravure chimique sélective du deuxième matériau ;
c) polir l'empilement, par un polissage mécano-chimique, jusqu'à atteindre la couche de passivation (3) revêtant les plots (1) ;
d) graver la couche de passivation (3) revêtant les plots (1) de manière à mettre à nu le sommet des plots (1).-
公开(公告)号：EP4454443A1
公开(公告)日：2024-10-30
申请号：EP22838881.5
申请日：2022-12-22
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3.发明公开
公开(公告)号：EP4062463A1
公开(公告)日：2022-09-28
申请号：EP20807388.2
申请日：2020-11-17
发明人： MOLAS, Gabriel , MAGIS, Thomas , NODIN, Jean-François , BRICALLI, Alessandro , PICCOLBONI, Guiseppe , COHEN, Yifat , REGEV, Amir
IPC分类号： H01L45/00
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4.发明公开
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公开(公告)号：EP4454444A1
公开(公告)日：2024-10-30
申请号：EP22839367.4
申请日：2022-12-22
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公开(公告)号：EP4454442A1
公开(公告)日：2024-10-30
申请号：EP22838880.7
申请日：2022-12-22
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