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公开(公告)号：EP0386211A1
公开(公告)日：1990-09-12
申请号：EP89909984.0
申请日：1989-08-14
CPC分类号： H01L31/02164 , H01L27/14831
摘要： Dans des détecteurs d'images du type à transfert interlinéaire, un maculage de l'image se produit lorsque l'on laisse pénétrer de la lumière dans les régions de transfert de charge du détecteur. L'invention concerne un dispositif à écran amélioré anti-lumière et donc à maculage réduit. Le dispositif comprend un écran anti-lumière en matériau opaque réfractaire agencé à proximité étroite de la surface semiconductrice, une couche de planage en verre coulé étant agencée sur l'écran anti-lumière.
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2.发明授权INTERLINE TRANSFER CCD IMAGE SENSING DEVICE WITH ELECTRODE STRUCTURE FOR EACH PIXEL 失效与电极结构体的每一个像素隔行TRANSMITTING CCD图像传感器件
公开(公告)号：EP0409970B1
公开(公告)日：2000-06-07
申请号：EP90903674.1
申请日：1990-01-06
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L29/76841 , H01L27/14831
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公开(公告)号：EP0386211B1
公开(公告)日：1994-03-23
申请号：EP89909984.0
申请日：1989-08-14
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L27/148
CPC分类号： H01L31/02164 , H01L27/14831
摘要： In interline transfer type image sensing devices, image smear is produced when light is allowed to penetrate into the charge transfer regions of the device. In this disclosure, a device with improved light shielding, and, hence, reduced smear, is described. The device incorporates a refractory opaque material for the light shield which is placed in close proximity to the semiconductor surface, and a flowed glass planarization layer is disposed over the light shield.
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4.发明公开INTERLINE TRANSFER CCD IMAGE SENSING DEVICE WITH ELECTRODE STRUCTURE FOR EACH PIXEL 失效与电极结构体的每一个像素隔行TRANSMITTING CCD图像传感器装置。
公开(公告)号：EP0409970A1
公开(公告)日：1991-01-30
申请号：EP90903674.0
申请日：1990-01-06
CPC分类号： H01L29/76841 , H01L27/14831
摘要： Capteur d'image de zone du type à transfert d'interligne dans lequel une charge produite par de la lumière est transférée d'un pixel dans un dispositif de transfert de charges (CCD) ou un registre de décalage. La structure du CCD se compose typiquement de deux niveaux de chevauchement ou plus d'électrodes de polysilicium associées à chaque rangée de pixels. L'invention concerne un CCD de structure simplifiée présentant par conséquent une aptitude à la fabrication améliorée. Ledit CCD utilise des régions de barrière aux ions implantées, pouvant être auto-alignées comme cela est décrit par Losee et al. brevet US 4,613,402, afin de produire un dispositif doté d'une seule électrode en polysilicium associée à chaque pixel.
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