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公开(公告)号:EP0470209B1
公开(公告)日:1992-12-30
申请号:EP90912792.0
申请日:1990-08-31
申请人: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人: KLUGE, Andreas , NELLE, Peter
CPC分类号: H01J27/22 , H01J37/08 , H01J2237/081 , H01J2237/082 , H01J2237/31701
摘要: In order to simplify the structure of a metal-ion source, in particular a source for the implantation of low doses of non-volatile metals in semiconductor wafers, the invention calls for the metal-ion source to include an electrically-heated thermionic cathode in the form of a hot wire inside an ion chamber (1a), the hot wire (3) being located close to an element (6) made of the metal to be ionized and being at substantially the same potential.
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公开(公告)号:EP0470209A1
公开(公告)日:1992-02-12
申请号:EP90912792.0
申请日:1990-08-31
发明人: KLUGE, Andreas , NELLE, Peter
CPC分类号: H01J27/22 , H01J37/08 , H01J2237/081 , H01J2237/082 , H01J2237/31701
摘要: Pour simplifier la structure d'une source d'ions métalliques, en particulier pour l'implantation de faibles doses de métaux difficilement évaporables dans des tranches de silicium semiconductrices, la source d'ions métalliques comporte une cathode incandescente chauffable électriquement sous la forme d'un filament chauffant à l'intérieur d'une chambre à ions (1a), ledit filament chauffant (3) étant disposé près d'une pièce métallique (6) dans le métal destiné au dégagement d'ions métalliques et placé essentiellement au potentiel dudit métal.
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