公开(公告)号：EP0526646A1

公开(公告)日：1993-02-10

申请号：EP92905007.0

申请日：1992-02-18

申请人： FUJITSU LIMITED

发明人： KIKKAWA, Toshihide, Fujitsu Limited ,  OHORI, Tatsuya, Fujitsu Limited 115, Kamikodanaka

IPC分类号： C30B25 ,  H01L21 ,  H01L27 ,  H01L29

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/7605 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0611

摘要： Le procédé décrit, qui sert à faire croître une couche épitaxiale d'un matériau semiconducteur constitué par un composé de groupe III-V, qui contient de l'oxygène, consiste à utiliser une source de molécules d'un composé organique qui contient un élément de groupe V et de l'oxygène dans la molécule, puis à décomposer les molécules du composé organique pour libérer l'élément de groupe V et l'oxygène.