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    GEGLÄTTETE III-N-SUBSTRATE
    4.
    发明公开
    GEGLÄTTETE III-N-SUBSTRATE 审中-公开
    GEGLÄTTETEIII-N-SUBSTRATE

    公开(公告)号：EP3157045A1

    公开(公告)日：2017-04-19

    申请号：EP16201978.0

    申请日：2006-07-26

    申请人： Freiberger Compound Materials GmbH

    发明人： HÖLZIG, Stefan ,  LEIBIGER, Gunnar

    IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

    CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30625

    摘要： Durch ein beschriebenes Verfahren zum Herstellen von geglättetem III-N, insbesondere von geglättetem III-N-Substrat oder III-N-Template, wobei III mindestens ein Element der Gruppe III. des Periodensystems bedeutet, ausgewählt aus Al, Ga und In, ist es möglich, großflächige III-N-Substrate oder III-N-Templates mit Durchmessern von mindestens 40mm mit einer Homogenität von sehr geringer Oberflächenrauhigkeit über die gesamte Substrat- bzw. Waferoberfläche bereitzustellen. So beträgt bei einem Mapping der Waferoberfläche mit einem Weißlichtinterferometer die Standardabweichung der rms-Werte 5% oder weniger. Diese Eigenschaft ist gleichzeitig erhältlich mit einer sehr guten Kristallqualität an der Oberfläche oder oberflächennaher Bereiche, beispielsweise messbar durch Rockingkurvenmappings und/oder Mikro-Ramanmappings.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于生产平滑III-N，特别是平滑的III-N底物或III-N模板的方法，III表示选自Al，Ga和In的周期表III族中的至少一种元素。 平滑装置包括立方氮化硼作为磨料颗粒。 所述方法使得可以在衬底或晶片的整个表面上产生具有最小直径为40mm的大面积III-N衬底或III-N模板，具有均匀的非常低的表面粗糙度。 例如，当通过白光干涉仪映射晶片表面时，均方根值的标准偏差为5％或更小。 所述性质可以在表面或表面附近的非常好的晶体质量下获得，例如通过摇摆曲线映射和/或微拉曼测绘来测量所述质量。

    ZÜCHTUNG VON A-B KRISTALLEN OHNE KRISTALLGITTER-KRÜMMUNG
    7.
    发明公开
    ZÜCHTUNG VON A-B KRISTALLEN OHNE KRISTALLGITTER-KRÜMMUNG 审中-公开
    ZÜCHTUNGVON A-B KRISTALLEN OHNE KRISTALLGITTER-KRÜMMUNG

    公开(公告)号：EP3172361A2

    公开(公告)日：2017-05-31

    申请号：EP16711234.1

    申请日：2016-03-18

    申请人： Freiberger Compound Materials GmbH

    发明人： WEINERT, Berndt ,  HABEL, Frank ,  LEIBIGER, Gunnar

    IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40

    CPC分类号： C30B25/08 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406

    摘要： The invention relates to a method for producing III-V-, IV- IV- or II-VI- compound semiconductor crystals. The method starts with the provision of a substrate having optionally one crystal layer (buffer layer). This is followed by the provision of a gas phase which has at least two reactants of elements for the compound semiconductor (II, III, IV, V, VI), the reactants being gaseous at a reaction temperature in the crystal growth reactor and being capable of reacting together under the selected reactor conditions. The ratio of the concentrations of two of the reactants is adjusted such that the compound semiconductor crystal can crystallize from the gas phase, a concentration being chosen that is sufficiently high to facilitate crystal formation and the activity of the III-, IV- or II-compound being reduced in the gas phase by the addition or adjustment of reducing agent and co-reactant, such that the growth rate of the crystal is lower compared to a state without the co-reactant. The compound semiconductor crystal is deposited on a surface of the substrate, whilst a liquid phase can form on the growing crystal. In addition, auxiliary substances can be added which can also be contained in the liquid phase but which are only incorporated in negligible amounts into the compound semiconductor crystal. This allows 3D and 2D growth modes to be controlled selectively. The addition of auxiliary substances and the presence of a liquid phase promote these measures. The product is a single crystal of a III-V-, IV-IV- or II-VI-compound semiconductor crystal, which contains lower concentrations of inclusions or precipitates compared to conventional compound semiconductor crystals and which nevertheless has no or only a negligible curvature.

    摘要翻译： 本发明涉及生产III-V-，IV-IV-或II-VI-化合物半导体晶体的方法。 该方法从提供具有可选地一个晶体层（缓冲层）的衬底开始。 随后提供气相，该气相具有用于化合物半导体（II，III，IV，V，VI）的至少两种元素的反应物，反应物在晶体生长反应器中在反应温度下为气态并且能够 在选择的反应器条件下一起反应。 调节两种反应物的浓度比使得化合物半导体晶体可以从气相中结晶，选择的浓度足够高以促进晶体形成并且III-，IV-或II- 化合物在气相中通过添加或调节还原剂和共反应物而被还原，从而与没有共反应物的状态相比，晶体的生长速率较低。 化合物半导体晶体沉积在衬底的表面上，而液晶可以在生长的晶体上形成。 另外，还可以添加辅助物质，其也可以包含在液相中，但仅以可忽略的量掺入到化合物半导体晶体中。 这允许选择性地控制3D和2D增长模式。 辅助物质的添加和液相的存在促进了这些措施。 该产品是III-V-，IV-IV-或II-VI-化合物半导体晶体的单晶，与常规化合物半导体晶体相比，其含有较低浓度的夹杂物或沉淀物，并且其没有或仅具有可忽略的曲率 。

    VERFAHREN ZUM GLÄTTEN VON III-N-SUBSTRATEN
    9.
    发明公开
    VERFAHREN ZUM GLÄTTEN VON III-N-SUBSTRATEN 有权
    VERFAHREN ZUMGLÄTTENVON III-N-SUBSTRATEN

    公开(公告)号：EP2024992A1

    公开(公告)日：2009-02-18

    申请号：EP06762845.3

    申请日：2006-07-26

    申请人： Freiberger Compound Materials GmbH

    发明人： HÖLZIG, Stefan ,  LEIBIGER, Gunnar

    IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  C30B33/00

    CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30625

    摘要： The invention relates to a method for producing smooth III-N, particularly smooth III-N substrate or III-N template, III meaning at least one element from group III of the periodic table selected among Al, Ga, and In. A smoothing means comprises cubic boron nitride as an abrasive particle. Said method makes it possible to create large-area III-N substrates or III-N templates that have a minimum diameter of 40 mm with a homogeneous very low surface roughness across the entire surface of the substrate or wafer. For example, the standard deviation of the rms values is 5 percent or less when the wafer surface is mapped by means of a white light interferometer. Said property can be obtained along with very good crystal quality on the surface or in areas near the surface, said quality being measured by means of rocking curve mapping and/or micro-Raman mapping, for example.

    摘要翻译： 本发明涉及用于产生光滑的III-N，特别是光滑的III-N衬底或III-N模板的方法，III表示选自Al，Ga和In的周期表第III族中的至少一种元素。 平滑装置包含立方氮化硼作为磨粒。 所述方法使得能够制造具有最小直径为40mm的大面积III-N基板或III-N模板，并且在基板或晶片的整个表面上具有均匀的非常低的表面粗糙度。 例如，当通过白光干涉仪映射晶圆表面时，有效值的标准偏差为5％或更少。 所述性质可以在表面上或在表面附近的区域中获得非常好的晶体质量，所述质量例如通过摇摆曲线映射和/或微拉曼映射来测量。