公开(公告)号：EP0646286A1

公开(公告)日：1995-04-05

申请号：EP93915402.0

申请日：1993-06-17

申请人： HARRIS CORPORATION

发明人： BEASOM, James, Douglas 506 S. Wildwood Lane ,  McLACHLAN, Craig, James 3234 Sand Dunes Court

IPC分类号： H01L21 ,  H01L27

CPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/46 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/76286 ,  Y10S148/012 ,  Y10S148/05 ,  Y10S438/938

摘要： Warpage in a bonded wafer is limited by maintenance of a stress compensation layer on the backside of the bonded wafer during device fabrication processing. One embodiment applies a sacrificial polysilicon layer over a stress compensation silicon dioxide layer for bonded silicon wafers. The fabrication processing consumes the polysilicon layer but not the stress compensation silicon dioxide.

摘要翻译： 通过在器件制造处理期间在接合晶片的背面维持应力补偿层来限制粘合晶片的翘曲。 一个实施例在用于粘结硅晶片的应力补偿二氧化硅层上施加牺牲多晶硅层。 制造工艺消耗多晶硅层，但不消耗应力补偿二氧化硅。