公开(公告)号：EP1032047B9

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：EP00301097.2

申请日：2000-02-11

申请人： Hitachi, Ltd.

发明人： Oyama, Kazuhiro ,  Sakano, Jyunichi ,  Mori, Mutsuhiro

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L23/528 ,  H02M7/527

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP2237319A2

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：EP10007172.9

申请日：2000-02-11

申请人： Hitachi Ltd.

发明人： Oyama, Kazuhiro ,  Sakano, Jyunichi ,  Mori, Mutsuhiro

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L23/528 ,  H02M7/527

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An area of a narrow interval between neighboring insulating gates and an area of a wide interval are provided and in the area of a wide interval, a p-type well layer deeper than a p-type base layer is provided. By use of this constitution, even if an area of a narrow interval between neighboring insulating gates and an area of a wide interval are provided, the withstand voltage will not be lowered.

摘要翻译： 提供了相邻绝缘栅极和宽间隔区域之间的窄间隔区域，并且在宽间隔的区域中，提供了比p型基极层更深的p型阱层。 通过使用这种结构，即使设置相邻绝缘栅极与宽间隔区域之间的窄间隔的区域，也不会降低耐压。

公开(公告)号：EP1032047A3

公开(公告)日：2001-11-28

申请号：EP00301097.2

申请日：2000-02-11

申请人： Hitachi, Ltd.

发明人： Oyama, Kazuhiro ,  Sakano, Jyunichi ,  Mori, Mutsuhiro

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L23/528 ,  H02M7/527

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An area of a narrow interval between neighboring insulating gates and an area of a wide interval are provided and in the area of a wide interval, a p-type well layer deeper than a p-type base layer is provided. By use of this constitution, even if an area of a narrow interval between neighboring insulating gates and an area of a wide interval are provided, the withstand voltage will not be lowered.

公开(公告)号：EP1811572B1

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：EP07009037.8

申请日：2000-02-11

申请人： Hitachi, Ltd.

发明人： Oyama, Kazuhiro ,  Sakano, Jyunichi ,  Mori, Mutsuhiro

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L23/528 ,  H02M7/527

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP1811572A2

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：EP07009037.8

申请日：2000-02-11

申请人： Hitachi, Ltd.

发明人： Oyama, Kazuhiro ,  Sakano, Jyunichi ,  Mori, Mutsuhiro

IPC分类号： H01L29/739 ,  H02M7/527

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An area of a narrow interval between neighboring insulating gates (7) and an area of a wide interval are provided and in the area of a wide interval, a p-type well layer deeper (9) than a p-type base layer is provided. By use of this constitution, even if an area of a narrow interval between neighboring insulating gates and an area of a wide interval are provided, the withstand voltage will not be lowered.

摘要翻译： 提供了相邻绝缘栅极（7）和宽间隔区域之间的窄间隔区域，并且在宽间隔的区域中，提供比p型基极层更深（9）的p型阱层 。 通过使用这种结构，即使设置相邻绝缘栅极与宽间隔区域之间的窄间隔的区域，也不会降低耐压。

公开(公告)号：EP2237319A3

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：EP10007172.9

申请日：2000-02-11

申请人： Hitachi Ltd.

发明人： Oyama, Kazuhiro ,  Sakano, Jyunichi ,  Mori, Mutsuhiro

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L23/528 ,  H02M7/527

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An area of a narrow interval between neighboring insulating gates and an area of a wide interval are provided and in the area of a wide interval, a p-type well layer deeper than a p-type base layer is provided. By use of this constitution, even if an area of a narrow interval between neighboring insulating gates and an area of a wide interval are provided, the withstand voltage will not be lowered.

摘要翻译： 提供相邻绝缘栅极之间的窄间隔区域和宽间隔区域的区域，并且在宽间隔区域中设置比p型基极层更深的p型阱层。 通过使用这种结构，即使设置相邻绝缘栅之间的窄间隔区域和宽间隔区域，耐压也不会降低。

公开(公告)号：EP1032047B1

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：EP00301097.2

申请日：2000-02-11

申请人： Hitachi, Ltd.

发明人： Oyama, Kazuhiro ,  Sakano, Jyunichi ,  Mori, Mutsuhiro

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L23/528 ,  H02M7/527

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP1811572A3

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：EP07009037.8

申请日：2000-02-11

申请人： Hitachi, Ltd.

发明人： Oyama, Kazuhiro ,  Sakano, Jyunichi ,  Mori, Mutsuhiro

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L23/528 ,  H02M7/527

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An area of a narrow interval between neighboring insulating gates (7) and an area of a wide interval are provided and in the area of a wide interval, a p-type well layer deeper (9) than a p-type base layer is provided. By use of this constitution, even if an area of a narrow interval between neighboring insulating gates and an area of a wide interval are provided, the withstand voltage will not be lowered.

摘要翻译： 提供相邻绝缘栅极（7）之间的窄间隔区域和宽间隔区域的区域，并且在宽间隔区域中提供比p型基极层更深（9）的p型阱层 。 通过使用这种结构，即使设置相邻绝缘栅之间的窄间隔区域和宽间隔区域，耐压也不会降低。

公开(公告)号：EP1032047A2

公开(公告)日：2000-08-30

申请号：EP00301097.2

申请日：2000-02-11

申请人： HITACHI, LTD.

发明人： Oyama, Kazuhiro ,  Sakano, Jyunichi ,  Mori, Mutsuhiro

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L23/528 ,  H02M7/527

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An area of a narrow interval between neighboring insulating gates and an area of a wide interval are provided and in the area of a wide interval, a p-type well layer deeper than a p-type base layer is provided. By use of this constitution, even if an area of a narrow interval between neighboring insulating gates and an area of a wide interval are provided, the withstand voltage will not be lowered.

摘要翻译： 提供了相邻绝缘栅极和宽间隔区域之间的窄间隔区域，并且在宽间隔的区域中，提供了比p型基极层更深的p型阱层。 通过使用这种结构，即使设置相邻绝缘栅极与宽间隔区域之间的窄间隔的区域，也不会降低耐压。