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    Plasma display apparatus
    3.
    发明公开
    Plasma display apparatus 审中-公开
    等离子显示装置

    公开(公告)号：EP2182505A1

    公开(公告)日：2010-05-05

    申请号：EP09015971.6

    申请日：2007-01-17

    申请人： HITACHI, LTD. ,  Advanced PDP Development Center Corporation

    发明人： Mori, Mutsuhiro

    IPC分类号： G09G3/28

    CPC分类号： G09G3/2965 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/028 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/7395 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/487 ,  H01L2924/00

    摘要： The present invention relates to a plasma display apparatus, comprising a plasma display (8) ; a light emitting discharge circuit (401) having a semiconductor device which drives electrodes of the plasma display (8); and a power collector circuit (402) for collecting a charge current and a discharge current of the plasma display, having a reverse blocking IGBT (300). The reverse blocking IGBT (300) includes a first semiconductor layer (218, 210) of a first conductive type (p); a first main electrode (252) formed on one surface of the first semiconductor layer (218); a second semiconductor layer (211) of second conductive type (n) formed to be connected to the first semiconductor layer (210) ; a second main electrode (250) formed on the second semiconductor layer (211) opposite to the first main electrode (252); an insulated gate electrode (254) which controls a current flowing from the first main electrode (252) to the second main electrode (250); and a diode region, formed in the first and second semiconductor layers (210, 211), to prevent a current flowing in a reverse direction to the current flowing from the first main electrode (252) to the second main electrode (250).

    摘要翻译： 等离子显示设备技术领域本发明涉及等离子显示设备，其包括等离子显示器（8） 具有驱动等离子显示器（8）的电极的半导体器件的发光放电电路（401）; 以及集电电路（402），用于收集具有反向阻断IGBT（300）的等离子显示器的充电电流和放电电流。 反向阻断IGBT（300）包括第一导电类型（p）的第一半导体层（218,210）;第二导电类型 形成在第一半导体层（218）的一个表面上的第一主电极（252）; 形成为与第一半导体层（210）连接的第二导电型（n）的第二半导体层（211）; 形成在与第一主电极（252）相对的第二半导体层（211）上的第二主电极（250）; 绝缘栅电极（254），其控制从第一主电极（252）流向第二主电极（250）的电流; 以及形成在第一和第二半导体层（210,211）中的二极管区域，以防止电流以与从第一主电极（252）流向第二主电极（250）的电流相反的方向流动。

    Power semiconductor device
    6.
    发明公开
    Power semiconductor device 审中-公开
    Leistungshalbleiteranordnung

    公开(公告)号：EP1111685A1

    公开(公告)日：2001-06-27

    申请号：EP00126897.8

    申请日：2000-12-07

    申请人： Hitachi, Ltd.

    发明人： Sakamoto, Kozo ,  Inoue, Yosuke ,  Miyauchi, Akihiro ,  Shiraishi, Masaki ,  Mori, Mutsuhiro ,  Watanabe, Atsuo ,  Ohyanagi, Takasumi

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872

    摘要： In a semiconductor device having a first terminal 101 (source terminal) and a second terminal 102 (drain terminal), the substrate main surface of a semiconductor chip is on the (110) face, the main contact face of an n-type region 2 and a p-type region 4 is the {111} face perpendicular to the (110) face, elongated n-type regions 2 and elongated p-type regions 4 which are arranged alternately and adjacently form a voltage holding area, said first terminal 101 is connected to said p-type regions through wiring, and said second terminal 102 is connected to said n-type regions 2. Also, said p-type region is formed to cover the bottom corners of a gate polycrystalline silicon layer 8.

    摘要翻译： 在具有第一端子101（源极端子）和第二端子102（漏极端子）的半导体器件中，半导体芯片的基板主表面在（110）面上，n型区域2的主接触面 并且p型区域4是垂直于（110）面的ä111ü面，交替地并且相邻地形成电压保持区域的细长n型区域2和细长p型区域4，所述第一端子101被连接 通过布线到所述p型区域，并且所述第二端子102连接到所述n型区域2.而且，所述p型区域形成为覆盖栅极多晶硅层8的底角。