公开(公告)号：EP0962972A1

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：EP99304168.0

申请日：1999-05-28

申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Economikos, Laertis ,  Gruening, Ulrike ,  Ho, Herbert L. ,  Radens, Carl J. ,  Jammy, Ragarao ,  Hoepfner, Joachim ,  Shen, Hua

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10861

摘要： A storage node for deep trench-based storage capacitor is formed by etching a trench (11) in a surface of a semiconductor substrate (10), forming a layer of dielectric (14) on a sidewall of the trench, partially removing the layer of dielectric material in order to expose an upper portion of the sidewall, growing a layer of oxide (16) on the upper portion of the sidewall, removing the remainder of the layer of dielectric material, doping to form a buried plate (17), forming a node dielectric (18), and forming an inner electrode (19) within the trench. The oxide layer at the upper portion of the trench is preferably formed by a LOCOS technique.

摘要翻译： 通过在半导体衬底（10）的表面上蚀刻沟槽（11）形成用于深沟槽存储电容器的存储节点，在沟槽的侧壁上形成电介质层（14），部分地去除 电介质材料以暴露侧壁的上部，在侧壁的上部生长一层氧化物（16），去除电介质材料层的其余部分，掺杂以形成掩埋板（17），形成 节点电介质（18），并且在所述沟槽内形成内部电极（19）。 沟槽上部的氧化物层优选通过LOCOS技术形成。