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公开(公告)号：EP0165312A1
公开(公告)日：1985-12-27
申请号：EP85900520.0
申请日：1984-11-21
CPC分类号： H03F3/082 , H03F3/45188 , H03F2200/162
摘要： Un préamplificateur disposé dans le plan focal d'un réseau détecteur utilise des transistors MOSFET travaillant dans la région d'"inversion faible" pour obtenir des performances d'amplificateur opérationnel. Les dimensions de certains transistors sont conçues pour réduire au minimum l'amplification du bruit. La résistance de la boucle de réaction (30) pour l'amplificateur opérationnel (14) est représentée par une capacitance commutée (112) utilisant des commutateurs à transistors MOSFET (104 et 106), permettant ainsi une régulation du gain de l'amplificateur. Des transistors MOSFET implantés et non implantés (36, 38 et 32, 34) sont utilisés dans l'amplificateur différentiel de manière à éliminer le besoin d'un réseau de polarisation.
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公开(公告)号：EP0465591A1
公开(公告)日：1992-01-15
申请号：EP90906503.0
申请日：1990-03-23
发明人： WALL, Llewellyn, E.
CPC分类号： H03M1/123 , H01L25/043 , H01L2924/0002 , H03M1/56 , H03M1/58 , H01L2924/00
摘要： L'invention concerne un module (20) de technologie Z multicouche comportant une mosaïque de photodétecteur (24) bidimensionnelle, dans lequel la fonction de conversion de signaux A/N est accomplie dans chaque canal sur puce. Afin de satisfaire les limites de puissance et d'encombrement des modules, une partie substantielle du circuit de conversion A/N est situé hors puce. Deux dispositifs sont requis dans chaque canal se trouvant sur chaque puce (22), un comparateur de précision et un registre de mémoire. Ces derniers peuvent être combinés avec une rampe analogique hors puce, ainsi qu'une rampe numérique hors puce. L'invention concerne également certaines améliorations de performances sur puce, pouvant être utilisées soit dans le mode analogique, soit dans le mode numérique. Une de ces améliorations est la compensation du décalage de tension de chaque comparateur. Une autre amélioration consiste à réduire le temps de mise sous tension de chaque comparateur de précision, afin de limiter les besoins en courant.
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公开(公告)号：EP0165312B1
公开(公告)日：1990-08-29
申请号：EP85900520.9
申请日：1984-11-21
IPC分类号： H01J40/14
CPC分类号： H03F3/082 , H03F3/45188 , H03F2200/162
摘要： A pre-amplifier located "at the focal plane" of a detector array which uses MOSFET transistors operated in the "weak-inversion" region to provide operational amplifier performance. The dimensions of certain of the transistors are designed to minimize noise amplification. Feedback resistance (30) for the operational amplifier (14) is provided by switched capacitance (112) using MOSFET transistors (104 and 106) switches, thereby permitting adjustment of the amplifier gain. Implanted and non-implanted MOSFET transistors (36, 38 and 32, 34) are used in the differential amplifier in such a way as to avoid the need for a biasing network.
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