公开(公告)号：EP1124232A3

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：EP01101730.8

申请日：2001-01-25

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Böhm, Thomas ,  Hönigschmid, Heinz ,  Lammers, Stefan ,  Manyoki, Zoltan

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G11C29/24 ,  G11C29/787

摘要： Ein integrierter Halbleiterspeicher weist Speicherzellen (MC) auf, die zu adressierbaren normalen Einheiten (WL) und zu wenigstens einer redundanten Einheit (RWL1) zum Ersetzen einer der normalen Einheiten (WL) zusammengefaßt sind. Weiterhin weist der Halbleiterspeicher einen Adreßbus (3), auf dem eine Adresse (ADR) anlegbar ist, und eine Redundanzschaltung (1) auf, die mit dem Adreßbus (3) verbunden ist. Die Redundanzschaltung (1) dient zur Auswahl der redundanten Einheit (RWL1). Eine Verarbeitungseinheit (2) ist eingangsseitig mit einem Anschluß (A1) des Adreßbusses (3) sowie mit einem Anschluß für ein Testsignal (TM) verbunden und ausgangsseitig mit einem Eingang (E1) der Redundanzschaltung (1). Ein Testen der redundanten Einheit (RWL1) ist vor dem Programmieren der Reparatur-Information in der Redundanzschaltung (1) möglich. Der dazu benötigte Schaltungsaufwand ist vergleichsweise gering.

公开(公告)号：EP1184870B1

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：EP01116514.9

申请日：2001-07-07

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Böhm, Thomas ,  Röhr, Thomas, Dr. ,  Gogl, Dietmar

IPC分类号： G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C11/16

公开(公告)号：EP1184870A1

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：EP01116514.9

申请日：2001-07-07

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Böhm, Thomas ,  Röhr, Thomas, Dr. ,  Gogl, Dietmar

IPC分类号： G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C11/16

摘要： Es ist eine elektronische Treiberschaltung für Wortleitungen (WL) einer Speichermatrix (3) vorgesehen, wobei kodierte Ausgänge (IV0-IV3) einer Treiberquelle (2), insbesondere einer Strom-/Spannungsquelle, auf selektierte Wortleitungen (WL i-2 -WL i+1 )durchgeschaltet werden. Dabei werden die Wortleitungen (WL) blockweise durch ein Steuersignal (SLNP; SLN1; SLN2) selektiert und daran die Ausgänge der Treiberquelle (2) angelegt. Durch die Kodierung der Treiberquelle (2) wird dann die jeweilige aktive Wortleitung (Wl i )ausgewählt.

摘要翻译： 用于存储器矩阵的字线的电子驱动器连接包括具有驱动源（2）许多编码输出（IV 0 - IV3，V0）。 许多字线开关（N1-16，P1-8）是通过控制信号控制的（SLNP; SLN1; SLN2）和可切换地连接所述驱动源输出到字线。 因此独立权利要求中包括了以下内容：（a）存储器设备gemäß上述; 和（b）对上述的非易失性磁性半导体存储器。

公开(公告)号：EP1124232A2

公开(公告)日：2001-08-16

申请号：EP01101730.8

申请日：2001-01-25

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Böhm, Thomas ,  Hönigschmid, Heinz ,  Lammers, Stefan ,  Manyoki, Zoltan

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G11C29/24 ,  G11C29/787

摘要： Ein integrierter Halbleiterspeicher weist Speicherzellen (MC) auf, die zu adressierbaren normalen Einheiten (WL) und zu wenigstens einer redundanten Einheit (RWL1) zum Ersetzen einer der normalen Einheiten (WL) zusammengefaßt sind. Weiterhin weist der Halbleiterspeicher einen Adreßbus (3), auf dem eine Adresse (ADR) anlegbar ist, und eine Redundanzschaltung (1) auf, die mit dem Adreßbus (3) verbunden ist. Die Redundanzschaltung (1) dient zur Auswahl der redundanten Einheit (RWL1). Eine Verarbeitungseinheit (2) ist eingangsseitig mit einem Anschluß (A1) des Adreßbusses (3) sowie mit einem Anschluß für ein Testsignal (TM) verbunden und ausgangsseitig mit einem Eingang (E1) der Redundanzschaltung (1). Ein Testen der redundanten Einheit (RWL1) ist vor dem Programmieren der Reparatur-Information in der Redundanzschaltung (1) möglich. Der dazu benötigte Schaltungsaufwand ist vergleichsweise gering.

摘要翻译： 集成的半导体存储器具有存储单元（MC）可寻址正常单元（WL）及更换正常单元（WL）概括的一个上的至少一个冗余单元（RWL1）。 此外，半导体存储器中的地址总线（3）在其上应用的地址（ADR），并且其被连接到地址总线冗余电路（1）（3）。 冗余电路（1）被用于冗余单元（RWL1）的选择。 处理单元（2）在输入侧到地址总线的端子（A1）（3）和具有用于测试信号（TM）和在输出侧的冗余电路的一输入端（E1）连接（1）。 测试冗余单元（RWL1）编程之前，在所述冗余电路修复信息（1）是可能的。 为此所需的电路是相对低的。

公开(公告)号：EP1137009A3

公开(公告)日：2001-12-05

申请号：EP01106086.0

申请日：2001-03-13

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Böhm, Thomas ,  Manyoki, Zoltan ,  Esterl, Robert ,  Röhr, Thomas

IPC分类号： G11C11/22

CPC分类号： G11C11/22

摘要： Bei einem insbesondere ferroelektrischen Halbleiter-Speicher mit einem differentiellen Schreib-/Leseverstärker (SA), der über Transfertransistoren (T) mit einem aus einer Bitleitung (BLi) und einer entsprechenden Referenzbitleitung (/BLi) bestehenden Bitleitungspaar verbunden ist zum Lesen und Schreiben von Daten aus und in den Speicherkondensator (MC), ist zur Steigerung der Genauigkeit der Bitleitungsreferenzspannung vorgesehen, dass eine Hauptreferenzbitleitung (/BL0) über ein Ladungs-Schaltelement (TL) mit einer Referenzspannung (VREF) verbunden ist, und dass zumindest eine weitere Referenzbitleitung (/BLi) über ein Ausgleichs-Schaltelement (TA) zum Ladungsausgleich zwischen den Referenzbitleitungen mit der Hauptreferenzbitleitung verbunden ist.

公开(公告)号：EP1014379A1

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：EP99125422.8

申请日：1999-12-20

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Hönigschmid, Heinz ,  Braun, Georg ,  Manyoki, Zoltan ,  Röhr, Thomas, Dr. ,  Böhm, Thomas

IPC分类号： G11C8/00 ,  H03K19/094 ,  H03M5/16

CPC分类号： G11C8/00 ,  G11C8/10 ,  H03K19/084 ,  H03K19/094 ,  H03K19/23 ,  H03M5/16

摘要： Die integrierte Schaltung weist ein erstes Decoderelement (DE1) auf, das drei Betriebszustände hat, in denen es an einem Ausgang (OUT) drei jeweils unterschiedliche Potentiale (-2V, 0V, 4V) erzeugt, wobei das zweite Potential (0V) zwischen dem ersten (-2V) und dem dritten (4V) Potential liegt.

摘要翻译： 该集成电路包括一个第一解码器元件（DE1），其具有三种操作状态，其中它在输出端（OUT）产生第一之间的三个分别具有不同的电势（-2V，0V，4V）时，第二电位（0V） （-2V）和第三（4V）的潜力。

公开(公告)号：EP1124232B1

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：EP01101730.8

申请日：2001-01-25

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Böhm, Thomas ,  Hönigschmid, Heinz ,  Lammers, Stefan ,  Manyoki, Zoltan

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G11C29/24 ,  G11C29/787

公开(公告)号：EP1014379B1

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：EP99125422.8

申请日：1999-12-20

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Hönigschmid, Heinz ,  Braun, Georg ,  Manyoki, Zoltan ,  Röhr, Thomas, Dr. ,  Böhm, Thomas

IPC分类号： G11C8/00 ,  H03K19/094 ,  H03M5/16

CPC分类号： G11C8/00 ,  G11C8/10 ,  H03K19/084 ,  H03K19/094 ,  H03K19/23 ,  H03M5/16

公开(公告)号：EP0936673B1

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：EP98123065.9

申请日：1998-12-09

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Böhm, Thomas ,  Otani, Yoichi, Dr. ,  Schlösser, Till, Dr. ,  Weinrich, Volker, Dr. ,  Rusch, Andreas ,  Trüby, Alexander ,  Hain, Manfred ,  Zimmermann, Ulrich, Dr. ,  Kohlhase, Armin, Dr.

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10823 ,  H01L27/10808

公开(公告)号：EP1137009A2

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：EP01106086.0

申请日：2001-03-13

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Böhm, Thomas ,  Manyoki, Zoltan ,  Esterl, Robert ,  Röhr, Thomas

IPC分类号： G11C11/22

CPC分类号： G11C11/22

摘要： Bei einem insbesondere ferroelektrischen Halbleiter-Speicher mit einem differentiellen Schreib-/Leseverstärker (SA), der über Transfertransistoren (T) mit einem aus einer Bitleitung (BLi) und einer entsprechenden Referenzbitleitung (/BLi) bestehenden Bitleitungspaar verbunden ist zum Lesen und Schreiben von Daten aus und in den Speicherkondensator (MC), ist zur Steigerung der Genauigkeit der Bitleitungsreferenzspannung vorgesehen, dass eine Hauptreferenzbitleitung (/BL0) über ein Ladungs-Schaltelement (TL) mit einer Referenzspannung (VREF) verbunden ist, und dass zumindest eine weitere Referenzbitleitung (/BLi) über ein Ausgleichs-Schaltelement (TA) zum Ladungsausgleich zwischen den Referenzbitleitungen mit der Hauptreferenzbitleitung verbunden ist.

摘要翻译： 主参考位线经由充电开关元件连接到一个基准电压：例如p沟道晶体管。 至少一个另外的参考位线经由用于补偿的开关元件连接到所述主基准位线等于伊辛所述参考位线之间的电荷。 该参考电压是由参考电压源提供的。 主要参考位线经由用于补偿电荷均衡三个开关元件连接到三个另外的参考位线。 所述补偿开关元件可以串联连接。 因此产生对参考位线的参考电压的方法，其特征。