公开(公告)号：EP1199722B1

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：EP01120332.0

申请日：2001-08-24

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Chrissostomidis, Ioannis ,  Schaffroth, Thilo ,  Fischer, Helmut, Dr.

IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/22 ,  G11C11/4091

CPC分类号： G11C7/06

公开(公告)号：EP1199722A3

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：EP01120332.0

申请日：2001-08-24

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Chrissostomidis, Ioannis ,  Schaffroth, Thilo ,  Fischer, Helmut, Dr.

IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/22 ,  G11C11/4091

CPC分类号： G11C7/06

摘要： Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Generierung von Leseverstärker-Steuersignalen für einen DRAM, bei dem zusätzlich zu Dünnoxidtransistoren, die mit normaler Standardversorgungsspannung (Vint) versorgt sind, Dickoxidtransistoren (VPP), die mit erhöhter Versorgungsspannung (VPP) beaufschlagt sind, zur Kompensation von Spannungs- und Technologieschwankungen vorgesehen sind.

公开(公告)号：EP1199722A2

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：EP01120332.0

申请日：2001-08-24

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Chrissostomidis, Ioannis ,  Schaffroth, Thilo ,  Fischer, Helmut, Dr.

IPC分类号： G11C7/06

CPC分类号： G11C7/06

摘要： Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Generierung von Leseverstärker-Steuersignalen für einen DRAM, bei dem zusätzlich zu Dünnoxidtransistoren, die mit normaler Standardversorgungsspannung (Vint) versorgt sind, Dickoxidtransistoren (VPP), die mit erhöhter Versorgungsspannung (VPP) beaufschlagt sind, zur Kompensation von Spannungs- und Technologieschwankungen vorgesehen sind.

摘要翻译： 电路具有用于通过寻址的字线激活存储器的第一电流路径，其中控制器从由第一电流路径导出的信号（RAVLD）产生读取放大器控制信号的第二电流路径和电压源 用于两个电流路径的组件的设备。 在提供有正常电压的薄氧化物晶体管（T'）之外，在第二路径中提供了提供有增加的电源电压的厚氧化物晶体管（T）。