公开(公告)号：EP0139990A3

公开(公告)日：1985-08-28

申请号：EP84110058

申请日：1984-08-23

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Gaind, Arun Kumar ,  Kulkarni, Subhash Balkrishna ,  Poponiak, Michael Robert

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L21/74 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2205 ,  Y10S438/916

摘要： A reduced pressure epitaxial deposition method is disclosed to maximize performance and leakage limited yield of devices formed in the epitaxial layer. The method includes specified prebake and deposition conditions designed to minimize arsenic (buried subcollector) and boron (buried isolation) autodoping effects when pressures below one atmosphere are selected in accordance with the subcollector-to-isolation area ratio.

公开(公告)号：EP0139990A2

公开(公告)日：1985-05-08

申请号：EP84110058.9

申请日：1984-08-23

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Gaind, Arun Kumar ,  Kulkarni, Subhash Balkrishna ,  Poponiak, Michael Robert

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L21/74 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2205 ,  Y10S438/916

摘要： A reduced pressure epitaxial deposition method is disclosed to maximize performance and leakage limited yield of devices formed in the epitaxial layer. The method includes specified prebake and deposition conditions designed to minimize arsenic (buried subcollector) and boron (buried isolation) autodoping effects when pressures below one atmosphere are selected in accordance with the subcollector-to-isolation area ratio.

公开(公告)号：EP0139990B1

公开(公告)日：1989-01-25

申请号：EP84110058.9

申请日：1984-08-23

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Gaind, Arun Kumar ,  Kulkarni, Subhash Balkrishna ,  Poponiak, Michael Robert

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L21/74 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2205 ,  Y10S438/916

公开(公告)号：EP0000327B1

公开(公告)日：1982-01-13

申请号：EP78100092.2

申请日：1978-06-06

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Chang, Augustine Wei-Chun, ,  Gaind, Arun Kumar

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/8238 ,  Y10S438/942

公开(公告)号：EP0000327A1

公开(公告)日：1979-01-24

申请号：EP78100092.2

申请日：1978-06-06

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Chang, Augustine Wei-Chun, ,  Gaind, Arun Kumar

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/8238 ,  Y10S438/942

摘要： Bei einem Verfahren zum automatisch selbstausrichtenden Herstellen von Zonen in Halbleiterkörpern werden auf den Halbleiterkörper zunächst drei unabhängig voneinander ätzbare Maskierungsschichten (12, 14, 16) aufgebracht.
Mittels einer weiteren auf die oberste Maskierungsschicht aufgebrachten Ätzmaske (19) wird ein Muster in die oberste Maskierungsschicht geätzt, das sämtliche in den Halbleiterkörper einzubringenden Zonen hinsichtlich ihrer Ausdehnung und ihres gegenseitigen Abstandes definiert. Durch aufeinanderfolgendes selektives Abdecken des Musters in der obersten Maskierungsschicht mittels einer groben Sperrmaske (28, 32, 34) und Ätzen zumindest der mittleren Maskierungsschicht im Bereich der nicht abgedeckten Fenster der oberen Maskierungsschicht erhält man automatisch ausgerichtete Masken für in aufeinanderfolgenden Prozessen herzustellende Zonen.

摘要翻译： IC是MFRD。 由（a）形成第一重叠，第二和第三掩模层，选择性蚀刻w.r.t. 海誓山盟上的半导体基片，（b）中蚀刻一组在第一层只（c）中蚀刻该组内的开口的第一子集的开口，通过至少在第二层，使用所述第一层作为掩模，而 保护其余开口，（d）通过开口的第一子集在所述衬底的第一区域，和（e）类似地形成第二和第三区域使用开口的第二和第三子集。 区域是自对准的，没有底切形成的，允许减小装置的尺寸和它们之间的距离减小。