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    Method for minimizing autodoping during epitaxial deposition
    3.
    发明公开
    Method for minimizing autodoping during epitaxial deposition 失效
    降低沉积外延层的自扩散的方法。

    公开(公告)号：EP0145883A2

    公开(公告)日：1985-06-26

    申请号：EP84112380.5

    申请日：1984-10-16

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Moksvold, Tor Wessberg

    IPC分类号： H01L21/74

    CPC分类号： H01L21/74 ,  H01L21/2205 ,  Y10S148/007 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/037 ,  Y10S148/145 ,  Y10S438/916

    摘要： The method suggests the replacement of all or part of the solid or blanket buried region, typically a subcollector region of a bipolar transistor, by a mesh or stripe shaped subcollector. During subsequent thermal processing involving growth of the epitaxial layer, the stripes will at least partially merge, resulting in a solid subcollector. The method of minimizing autodoping implies only a special design of the subcollector mask. Therefore, there is no longer any need for technological changes either in the process or in the equipment. The method also applies to other buried layers, such as, subemitters, resistors, bottom isolation regions, etc.

    METHOD OF PRODUCING AN EPITAXIAL LAYER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
    4.
    发明授权
    METHOD OF PRODUCING AN EPITAXIAL LAYER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 有权
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EPITAXIALSCHICHT AUF EINEM HALBLEITERSUBSTRAT

    公开(公告)号：EP1825503B1

    公开(公告)日：2012-08-22

    申请号：EP05807007.9

    申请日：2005-11-29

    申请人： NXP B.V.

    发明人： MEUNIER-BEILLARD, Philippe ,  HUIZING, Hendrik, G., A.

    IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/265

    CPC分类号： H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/31662 ,  Y10S438/916

    摘要： The invention relates to the manufacture of an epitaxial layer, with the following steps: providing a semiconductor substrate; providing a Si-Ge layer on the semiconductor substrate, having a first depth; - providing the semiconductor substrate with a doped layer with an n-type dopant material and having a second depth substantially greater than said first depth; performing an oxidation step to form a silicon dioxide layer such that Ge atoms and n-type atoms are pushed into the semiconductor substrate by the silicon dioxide layer at the silicon dioxide / silicon interface, wherein the n-type atoms are pushed deeper into the semiconductor substrate than the Ge atoms, resulting in a top layer with a reduced concentration of n-type atoms; removing the silicon dioxide layer; growing an epitaxial layer of silicon on the semiconductor substrate with a reduced outdiffusion or autodoping.

    摘要翻译： 本发明涉及外延层的制造，其步骤如下：提供半导体衬底; 在所述半导体衬底上提供具有第一深度的Si-Ge层; - 用具有n型掺杂剂材料的掺杂层提供半导体衬底并且具有基本上大于所述第一深度的第二深度; 进行氧化步骤以形成二氧化硅层，使得Ge原子和n型原子通过二氧化硅/硅界面处的二氧化硅层被推入半导体衬底，其中n型原子被更深地推入半导体 底物比Ge原子，导致具有降低的n型原子浓度的顶层; 去除二氧化硅层; 在半导体衬底上生长硅外延层，其外延扩散或自动掺杂。

    Method of forming an epitaxial layer with minimal autodoping
    5.
    发明公开
    Method of forming an epitaxial layer with minimal autodoping 失效
    Herstellungsverfahren einer的创建者Schicht mit minimaler Selbstdotierung

    公开(公告)号：EP0762484A1

    公开(公告)日：1997-03-12

    申请号：EP96113834.4

    申请日：1996-08-29

    申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

    发明人：

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02617 ,  Y10S438/902 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/916

    摘要： A method for controlling the autodoping during epitaxial silicon deposition. First, the substrate (10) is cleaned to remove any native oxide. After being cleaned, the substrate (10) is transferred to the deposition chamber in an inert or vacuum atmosphere to inhibit the growth of a native oxide on the surface of the wafers. A lower temperature (i.e., 500-850 ºC) capping layer (14) is deposited to prevent autodoping. Then, the temperature is increased to the desired deposition temperature and the remainder of the epitaxial layer (18) is deposited.

    摘要翻译： 一种用于在外延硅沉积期间控制自掺杂的方法。 首先，清洁衬底（10）以除去任何天然氧化物。 在清洁之后，将衬底（10）在惰性或真空气氛中转移到沉积室，以抑制晶片表面上的天然氧化物的生长。 沉积较低温度（即500-850℃）的覆盖层（14）以防止自动掺杂。 然后，将温度提高到期望的沉积温度，并沉积外延层（18）的其余部分。

    PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICES
    6.
    发明授权
    PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICES 失效
    半导体器件的生产

    公开(公告)号：EP0265504B1

    公开(公告)日：1992-03-18

    申请号：EP87903191.2

    申请日：1987-04-28

    申请人： AT&T Corp.

    发明人： KOZE, Jeffrey, Thomas

    IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/314 ,  H01L21/322

    CPC分类号： H01L21/2205 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3225 ,  Y10S148/007 ,  Y10S148/015 ,  Y10S148/06 ,  Y10S438/916

    摘要： Sealing the backside of a semiconductor wafer prevents evaporation of the dopant (typically boron) when an epitaxial layer is grown on the front (active) side, thereby preventing autodoping of the epitaxial layer with excess dopant. The present technique deposits an oxide layer during the ramp-up of the furnace that also deposits the nitride cap, thereby avoiding an extra process step. Il also avoids the higher temperatures required for the prior-art technique of growing the oxide layer, resulting in lower oxygen precipitation due to the capping process and a greater yield of usable wafers.

    Verfahren zum Aufwachsen von Epitaxieschichten auf selektiv hochdotierten Siliciumsubstraten
    7.
    发明公开
    Verfahren zum Aufwachsen von Epitaxieschichten auf selektiv hochdotierten Siliciumsubstraten 失效
    用于选择性地高度掺杂的硅衬底上生长外延层的方法。

    公开(公告)号：EP0005744A1

    公开(公告)日：1979-12-12

    申请号：EP79101387.3

    申请日：1979-05-07

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Srinivasan, Gurumakonda Ramaswamiengar

    IPC分类号： C30B25/10 ,  H01L21/205

    CPC分类号： H01L21/2205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  Y10S438/916 ,  Y10S438/974

    摘要： Bei dem Verfahren zum Aufwachsen von Epitaxieschichten auf selektiv hochdotierte Siliciumsubstrate, wird das Substrat zunächst in einer Wasserstoffatmosphäre im Bereich zwischen ungefähr 1120 und ungefähr 1180 °C eine festgelegte Zeit lang erhitzt, anschließend auf eine Temperatur im Bereich zwischen ungefähr 1000 und ungefähr 1100°C abgekühlt und schließlich einem Gasstrom ausgesetzt, der Wasserstoff als Trägergas und Siliciumtetrachlorid als Quellmaterial für das Silicium enthält. Dabei wächst die Epitaxieschicht auf.
    Mit dem Verfahren werden bevorzugt Epitaxieschichten erzeugt, weiche

    摘要翻译： 在用于上选择性高度掺杂的硅衬底上生长外延层的方法中，衬底首先在氢气氛中在范围为约1120至约1180℃的规定的时间之间被加热，然后冷却至的范围内的温度为约1000至约1100℃之间 最后暴露于含有氢气作为载体和四氯化硅作为硅源材料的气体流。 外延层生长。 与外延层优选产生其<2微米厚，并且在超大规模集成电路中使用的方法。

    Method for providing a semiconductor substrate with a layer structure of activated dopants
    8.
    发明公开
    Method for providing a semiconductor substrate with a layer structure of activated dopants 有权
    一种生产具有活性掺杂剂的层结构的半导体基板的制造方法

    公开(公告)号：EP1524684A1

    公开(公告)日：2005-04-20

    申请号：EP03447259.7

    申请日：2003-10-17

    申请人： INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW ,  Koninklijke Philips Electronics N.V.

    发明人： Surdeanu, Radu C. Philips Intell. Prop. & Stand.

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/265

    CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  Y10S438/916

    摘要： A method for forming a semiconductor device with a layered structure of thin and well defined layer of activated dopants, is disclosed. In the method, a region in a semiconductor substrate is amorphized, after which the region is implanted with a first dopant at a first doping concentration. Then a solid phase epitaxy regrowth step is performed on a thin layer of desired thickness of the amorphized region, in order to activate the first dopant only in this thin layer. Subsequently, a second dopant is implanted in the remaining amorphous region at a second doping concentration. Subsequent annealing of the substrate activates the second dopant only in said remaining region, so a very abrupt transition between dopant characteristics of the thin layer with first dopant and the region with the second dopant is obtained.

    摘要翻译： 一种用于与活化掺杂物的薄和良好限定的层的叠层结构形成半导体器件的方法，是游离缺失盘。 在该方法中，在半导体基片的区域被非晶化，afterwhich的区域以第一掺杂浓度与第一掺杂剂注入。 然后固相外延再生长步骤进行的非晶化区的所希望的厚度的薄层，以激活所述第一掺杂剂仅在此薄层。 随后，第二掺杂剂在剩余的非晶区在第二掺杂浓度植入。 基板的后续退火的激活第二掺杂剂仅在所述剩余区域，所以薄层第一掺杂剂和所述第二掺杂剂区域的掺杂剂特性之间的非常突然的过渡被获得。