公开(公告)号：EP0003030B1

公开(公告)日：1981-10-21

申请号：EP78101635.7

申请日：1978-12-09

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： El-Kareh, Badih ,  Gersbach, Edwin John ,  Houghton, James Russell

IPC分类号： G11C11/24 ,  G11C11/34 ,  H01L27/06

CPC分类号： G11C11/403 ,  G11C11/39 ,  H01L27/0777 ,  H01L27/1023

公开(公告)号：EP0003030A2

公开(公告)日：1979-07-25

申请号：EP78101635.7

申请日：1978-12-09

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： El-Kareh, Badih ,  Gersbach, Edwin John ,  Houghton, James Russell

IPC分类号： G11C11/24 ,  G11C11/34 ,  H01L27/06

CPC分类号： G11C11/403 ,  G11C11/39 ,  H01L27/0777 ,  H01L27/1023

摘要： Es wird eine dynamische bipolare Speicherzelle angegeben, die aus zwei komplementären, jeweils zwischen Basis und Kollektor verbundenen Transistoren besteht und, wobei der PNP-Transistor als Lesetransistor und der NPN-Transistor als Schreibtransistor dient und wobei die Speicherung zwischen der Basis des Lesetransistors und dem Kollektor der Schreibtransistors liegt. Der Speicherpunkt ist mit einer ersten Kapazität verbunden, die über der Emitter-Basisstrecke des Lesetransistors liegt, mit einem zweiten Kondensator, der über der Basis-Kollektorstrecke des NPN-Transistors und mit einem dritten Kondensator, der zwischen einem festen Potential und einem gemeinsamen Punkt zwischen Kollektor des Lesetransistors und Basis des Schreibtransistors liegt.

摘要翻译： 这描述了一种特别用作随机存取存储器单元的新颖的双极动力单元。 在所述单元中，PNP晶体管驱动NPN晶体管，使得信息存储在PNP晶体管的基极节点处。 通过使用PNP晶体管作为读取晶体管，并且NPN作为写入晶体管，当以集成形式制造时，该单元利用单元隔离电容来增强存储的信息，而不增加单元中的寄生电容，从而获得0和 1信号比现有技术的电池可以获得。 这个单元格特别适用于存储器阵列。