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公开(公告)号：EP0025129A3
公开(公告)日：1981-07-22
申请号：EP80104760
申请日：1980-08-12
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L21/02323 , H01L21/02351 , H01L21/3121 , H01L21/316 , H01L21/76229 , Y10S148/131
摘要： Bei dem Verfahren zur Herstellung von Isolationsberei chen in Silicium werden tiefe, breite Gräben in die planare Oberfläche eines Siliciumsubstrats geätzt; eine dünne SiO₂- Schicht auf der planaren Oberfläche des Substrats und auf den Oberflächen der Gräben gebildet; eine Glasharzschicht auf die planare Oberfläche des Substrats aufgetragen und die Gräben mit Glasharz ausgefüllt und ein Teil des Glasharzes von der planaren Oberfläche des Substrats mittels Schleu dern entfernt. Nach dem Härten des Substrats erfolgt eine Bestrahlung des Glasharzes in den Gräben mit Elektronen strahlen, eine Entwicklung mit Lösungsmittel und Erhitzen des Substrats in Sauerstoffatmosphäre zur Umwandlung des Glasharzes in den Gräben in Siliciumdioxid. Um eine planare Oberfläche zu erhalten, wird eine Siliciumdioxidschicht auf die Oberfläche des Substrats aufgetragen und diese anschließend bis zum Siliciumsubstrat wieder abgetragen.
Das Verfahren wird in integrierten Schaltungen verwen det, um Schaltungselemente voneinander zu isolieren.摘要翻译： 一种用于在硅半导体衬底的平面表面中提供深宽二氧化硅填充沟槽的平面深氧化物隔离工艺，所述方法包括以下步骤：（a）在硅衬底的平面表面中形成深宽沟槽; （b）在硅衬底的平面表面和所述深宽沟槽的暴露的硅表面上形成二氧化硅薄层; （c）将树脂玻璃（聚硅氧烷）施加到所述深宽沟槽的所述半导体衬底的平面上; （d）在基板的平面上脱出树脂玻璃的至少一部分; （e）在低温下烘烤基材; （f）将包含在基底的深宽沟槽内的树脂玻璃暴露于电子束的能量; （g）在溶剂中显影所述基板上所含的树脂玻璃; （h）在氧气中加热所述衬底以将包含在所述深宽沟槽内的所述树脂玻璃转化为二氧化硅; （i）沉积二氧化硅层以在所述衬底的暴露表面上提供平面二氧化硅表面; 和（j）将暴露的二氧化硅表面平坦化到衬底的硅。 一种用于在前面段落中提供的硅半导体衬底的平坦表面中提供深宽二氧化硅填充沟槽的平面深氧化物隔离工艺，其中执行以下步骤代替权利要求1的步骤i，所述步骤包括：（ i-1）应用树脂玻璃的第二薄层; 和（i-2）将所述树脂玻璃转化为二氧化硅。
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2.发明公开
公开(公告)号：EP0066042A3
公开(公告)日：1986-08-20
申请号：EP82101676
申请日：1982-03-04
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/306 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/3065 , H01L21/3085 , H01L21/31612
摘要： A region of a silicon substrate is simultaneously etched and a silicon dioxide deposit formed on the sidewalls of the etched region by masking the substrate except in the region to be etched and subjecting the substrate to a plasma in a gas containing a fluorohalogenohydrocarbon and oxygen, the oxygen content being between 40 and 80 percent by volume. Thus, a trench (36) is plasma etched in a region of a silicon substrate (30) not protected by a masking layer (32) and a silicon dioxide deposit (34) is formed on the sidewalls of the trench (36). The fluorohalogenohydrocarbon may be CCl 2 F 2 . Other hydrocarbons containing chlorine or bromine or iodine, as well as fluorine, may also be used.
摘要翻译： 同时对硅衬底的区域进行蚀刻，并且通过掩蔽除了待蚀刻区域之外的衬底并使衬底经受含氟卤代烃和氧气的等离子体，形成在蚀刻区域的侧壁上的二氧化硅沉积物 氧含量在40至80体积％之间。 因此，在未被掩模层（32）保护的硅衬底（30）的区域中等离子体蚀刻沟槽（36），并且在沟槽（36）的侧壁上形成二氧化硅沉积物（34）。 氟卤代烃可以是CCl 2 F 2。 也可以使用含有氯或溴或碘的其它烃，以及氟。
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3.发明公开Methods of processing a silicon substrate for the formation of an integrated circuit therein 失效一种用于治疗用于生产集成电路的由硅制成的基片的方法在所述衬底上。
公开(公告)号：EP0066042A2
公开(公告)日：1982-12-08
申请号：EP82101676.3
申请日：1982-03-04
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/306 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/3065 , H01L21/3085 , H01L21/31612
摘要： A region of a silicon substrate is simultaneously etched and a silicon dioxide deposit formed on the sidewalls of the etched region by masking the substrate except in the region to be etched and subjecting the substrate to a plasma in a gas containing a fluorohalogenohydrocarbon and oxygen, the oxygen content being between 40 and 80 percent by volume. Thus, a trench (36) is plasma etched in a region of a silicon substrate (30) not protected by a masking layer (32) and a silicon dioxide deposit (34) is formed on the sidewalls of the trench (36). The fluorohalogenohydrocarbon may be CCl 2 F 2 . Other hydrocarbons containing chlorine or bromine or iodine, as well as fluorine, may also be used.
摘要翻译： 硅衬底的区域被同时蚀刻和通过掩蔽基片除了在区域形成在蚀刻区域的侧壁上的二氧化硅沉积物被蚀刻并对该基材至等离子体的气体在含有fluorohalogenohydrocarbon和氧气，所述 氧含量为40体积％和80％之间。 因此，沟槽（36）是血浆中不通过掩模层（32）和二氧化硅沉积物（34）保护的硅衬底（30）的区域进行蚀刻形成在沟槽（36）的侧壁上。 该fluorohalogenohydrocarbon可能是CCl2F2。 含氯或溴或碘，以及其它氟烃类，因此可以使用。
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4.发明公开Verfahren zur Herstellung von Isolationsbereichen in Silicium 失效在Silicium的Verfahren zur Herstellung von Isolationsbereichen。
公开(公告)号：EP0025129A2
公开(公告)日：1981-03-18
申请号：EP80104760.6
申请日：1980-08-12
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L21/02323 , H01L21/02351 , H01L21/3121 , H01L21/316 , H01L21/76229 , Y10S148/131
摘要： Bei dem Verfahren zur Herstellung von Isolationsbereichen in Silicium werden tiefe, breite Gräben in die planare Oberfläche eines Siliciumsubstrats geätzt; eine dünne SiO 2 -Schicht auf der planaren Oberfläche des Substrats und auf den Oberflächen der Gräben gebildet; eine Glasharzschicht auf die planare Oberfläche des Substrats aufgetragen und die Gräben mit Glasharz ausgefüllt und ein Teil des Glasharzes von der planaren Oberfläche des Substrats mittels Schleudern entfernt. Nach dem Härten des Substrats erfolgt eine Bestrahlung des Glasharzes in den Gräben mit Elektronenstrahlen, eine Entwicklung mit Lösungsmittel und Erhitzen des Substrats in Sauerstoffatmosphäre zur Umwandlung des Glasharzes in den Gräben in Siliciumdioxid. Um eine planare Oberfläche zu erhalten, wird eine Siliciumdioxidschicht auf die Oberfläche des Substrats aufgetragen und diese anschließend biszum Siliciumsubstratwiederabgetragen.
Das Verfahren wird in integrierten Schaltungen verwendet, um Schaltungselementevoneinanderzu isolieren.摘要翻译： 一种用于在硅半导体衬底的平面表面中提供深宽二氧化硅填充沟槽的平面深氧化物隔离工艺，所述方法包括以下步骤：（a）在硅衬底的平面表面中形成深宽沟槽; （b）在硅衬底的平面表面和所述深宽沟槽的暴露的硅表面上形成二氧化硅薄层; （c）将树脂玻璃（聚硅氧烷）施加到所述深宽沟槽的所述半导体衬底的平面上; （d）在基板的平面上脱出树脂玻璃的至少一部分; （e）在低温下烘烤基材; （f）将包含在基底的深宽沟槽内的树脂玻璃暴露于电子束的能量; （g）在溶剂中显影所述基板上所含的树脂玻璃; （h）在氧气中加热所述衬底以将包含在所述深宽沟槽内的所述树脂玻璃转化为二氧化硅; （i）沉积二氧化硅层以在所述衬底的暴露表面上提供平面二氧化硅表面; 和（j）将暴露的二氧化硅表面平坦化到衬底的硅。 一种用于在前面段落中提供的硅半导体衬底的平坦表面中提供深宽二氧化硅填充沟槽的平面深氧化物隔离工艺，其中执行以下步骤代替权利要求1的步骤i，所述步骤包括：（ i-1）应用树脂玻璃的第二薄层; 和（i-2）将所述树脂玻璃转化为二氧化硅。
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