公开(公告)号：EP0025129A3

公开(公告)日：1981-07-22

申请号：EP80104760

申请日：1980-08-12

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Lever, Reginald Frank ,  Mauer, John Lester ,  Michel, Alwin Earl ,  Rothman, Laura Beth

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76229 ,  Y10S148/131

摘要： Bei dem Verfahren zur Herstellung von Isolationsberei chen in Silicium werden tiefe, breite Gräben in die planare Oberfläche eines Siliciumsubstrats geätzt; eine dünne SiO₂- Schicht auf der planaren Oberfläche des Substrats und auf den Oberflächen der Gräben gebildet; eine Glasharzschicht auf die planare Oberfläche des Substrats aufgetragen und die Gräben mit Glasharz ausgefüllt und ein Teil des Glasharzes von der planaren Oberfläche des Substrats mittels Schleu dern entfernt. Nach dem Härten des Substrats erfolgt eine Bestrahlung des Glasharzes in den Gräben mit Elektronen strahlen, eine Entwicklung mit Lösungsmittel und Erhitzen des Substrats in Sauerstoffatmosphäre zur Umwandlung des Glasharzes in den Gräben in Siliciumdioxid. Um eine planare Oberfläche zu erhalten, wird eine Siliciumdioxidschicht auf die Oberfläche des Substrats aufgetragen und diese anschließend bis zum Siliciumsubstrat wieder abgetragen.
Das Verfahren wird in integrierten Schaltungen verwen det, um Schaltungselemente voneinander zu isolieren.

摘要翻译： 一种用于在硅半导体衬底的平面表面中提供深宽二氧化硅填充沟槽的平面深氧化物隔离工艺，所述方法包括以下步骤：（a）在硅衬底的平面表面中形成深宽沟槽; （b）在硅衬底的平面表面和所述深宽沟槽的暴露的硅表面上形成二氧化硅薄层; （c）将树脂玻璃（聚硅氧烷）施加到所述深宽沟槽的所述半导体衬底的平面上; （d）在基板的平面上脱出树脂玻璃的至少一部分; （e）在低温下烘烤基材; （f）将包含在基底的深宽沟槽内的树脂玻璃暴露于电子束的能量; （g）在溶剂中显影所述基板上所含的树脂玻璃; （h）在氧气中加热所述衬底以将包含在所述深宽沟槽内的所述树脂玻璃转化为二氧化硅; （i）沉积二氧化硅层以在所述衬底的暴露表面上提供平面二氧化硅表面; 和（j）将暴露的二氧化硅表面平坦化到衬底的硅。 一种用于在前面段落中提供的硅半导体衬底的平坦表面中提供深宽二氧化硅填充沟槽的平面深氧化物隔离工艺，其中执行以下步骤代替权利要求1的步骤i，所述步骤包括：（ i-1）应用树脂玻璃的第二薄层; 和（i-2）将所述树脂玻璃转化为二氧化硅。

公开(公告)号：EP0025129A2

公开(公告)日：1981-03-18

申请号：EP80104760.6

申请日：1980-08-12

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Lever, Reginald Frank ,  Mauer, John Lester ,  Michel, Alwin Earl ,  Rothman, Laura Beth

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76229 ,  Y10S148/131

摘要： Bei dem Verfahren zur Herstellung von Isolationsbereichen in Silicium werden tiefe, breite Gräben in die planare Oberfläche eines Siliciumsubstrats geätzt; eine dünne SiO 2 -Schicht auf der planaren Oberfläche des Substrats und auf den Oberflächen der Gräben gebildet; eine Glasharzschicht auf die planare Oberfläche des Substrats aufgetragen und die Gräben mit Glasharz ausgefüllt und ein Teil des Glasharzes von der planaren Oberfläche des Substrats mittels Schleudern entfernt. Nach dem Härten des Substrats erfolgt eine Bestrahlung des Glasharzes in den Gräben mit Elektronenstrahlen, eine Entwicklung mit Lösungsmittel und Erhitzen des Substrats in Sauerstoffatmosphäre zur Umwandlung des Glasharzes in den Gräben in Siliciumdioxid. Um eine planare Oberfläche zu erhalten, wird eine Siliciumdioxidschicht auf die Oberfläche des Substrats aufgetragen und diese anschließend biszum Siliciumsubstratwiederabgetragen.
Das Verfahren wird in integrierten Schaltungen verwendet, um Schaltungselementevoneinanderzu isolieren.

摘要翻译： 一种用于在硅半导体衬底的平面表面中提供深宽二氧化硅填充沟槽的平面深氧化物隔离工艺，所述方法包括以下步骤：（a）在硅衬底的平面表面中形成深宽沟槽; （b）在硅衬底的平面表面和所述深宽沟槽的暴露的硅表面上形成二氧化硅薄层; （c）将树脂玻璃（聚硅氧烷）施加到所述深宽沟槽的所述半导体衬底的平面上; （d）在基板的平面上脱出树脂玻璃的至少一部分; （e）在低温下烘烤基材; （f）将包含在基底的深宽沟槽内的树脂玻璃暴露于电子束的能量; （g）在溶剂中显影所述基板上所含的树脂玻璃; （h）在氧气中加热所述衬底以将包含在所述深宽沟槽内的所述树脂玻璃转化为二氧化硅; （i）沉积二氧化硅层以在所述衬底的暴露表面上提供平面二氧化硅表面; 和（j）将暴露的二氧化硅表面平坦化到衬底的硅。 一种用于在前面段落中提供的硅半导体衬底的平坦表面中提供深宽二氧化硅填充沟槽的平面深氧化物隔离工艺，其中执行以下步骤代替权利要求1的步骤i，所述步骤包括：（ i-1）应用树脂玻璃的第二薄层; 和（i-2）将所述树脂玻璃转化为二氧化硅。