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    Vapor drain system
    1.
    发明公开
    Vapor drain system 失效
    蒸汽排水系统

    公开(公告)号：EP0617573A1

    公开(公告)日：1994-09-28

    申请号：EP94102707.0

    申请日：1994-02-23

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Baseman, Robert Jeffrey ,  Brown, Charles Allan ,  Eldridge, Benjamin Niles ,  Rothman, Laura Beth ,  Wendt, Herman Russel ,  Yeh, James Tien-Cheng ,  Zingher, Arthur R.

    IPC分类号： H05K13/00 ,  B65G1/00

    CPC分类号： H01L21/67366 ,  B65G1/00 ,  H01L21/67393

    摘要： During wafer fabrication, a transportable enclosure, such as a Standard Manufacturing InterFace (SMIF) pod encloses a nascent product, such as a semiconductor wafer, to protect the wafer against contamination during manufacture, storage or transportation. However chemical vapors emitted inside the pod can accumulate in the air and degrade wafers during subsequent fabrication. In order to absorb the vapors inside a closed pod, a vapor removal element typically including an activated carbon absorber, covered by a particulate-filtering vapor-permeable barrier, and covered by a guard plate with holes is disposed within the enclosure. A vapor removal element is disposed closely adjacent to each respective wafer. Alternatively, a single vapor removal element is located inside the enclosure. In certain instances, a fan or thermo-buoyant circulation causes any vapors located inside the enclosure to a vapor removal element for removal. Alternatively a porous vapor removal element may be disposed for removing vapors from air entering the enclosure. In another embodiment a vapor removal element is integrated with the back face of each wafer.

    摘要翻译： 在晶圆制造期间，诸如标准制造接口（SMIF）晶圆盒的可移动外壳封闭诸如半导体晶圆的新生产品，以保护晶圆在制造，储存或运输期间免受污染。 然而，在晶圆盒内发射的化学蒸汽会积聚在空气中，并在随后的制造过程中使晶圆降解。 为了吸收封闭容器内的蒸气，通常包括活性碳吸收剂的蒸气去除元件被覆盖有颗粒过滤蒸气可渗透屏障并且被具有孔的护板覆盖，该蒸汽去除元件被设置在外壳内。 蒸汽去除元件紧靠每个相应的晶片设置。 或者，单个蒸汽去除元件位于外壳内部。 在某些情况下，风扇或热浮力循环会使位于外壳内部的任何蒸气去除蒸汽去除元件。 或者，可设置多孔蒸气去除元件以从进入封闭空间的空气中去除蒸气。 在另一个实施例中，蒸汽去除元件与每个晶片的背面集成。

    Method to produce a metal thin film pattern
    2.
    发明公开
    Method to produce a metal thin film pattern 失效
    Verfahren zum Herstellen eines metallischenDünnschichtmusters。

    公开(公告)号：EP0019781A2

    公开(公告)日：1980-12-10

    申请号：EP80102577.6

    申请日：1980-05-09

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Rothman, Laura Beth ,  Totta, Paul Anthony ,  White, James Francis

    IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/285

    CPC分类号： H01L29/66848 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/4855 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  Y10S438/951 ,  H01L2924/00

    摘要： On a substrate blanket coatings of a metal thin film (5) and an organic polymer (6) are auccessively deposited. A pattern of openings (10) is formed through polymer (6). A blanket layer of matter (11) is deposited in the presence of which thin film (5) and polymer (6) are removable selectively. Polymer (6) is dissolved where the layers thereon are lifted off. The exposed portions of thin film (5) are removed.
    Owing to being protected by metal thin film (5) during the lift-off process the substrate is not contaminated in the application of the method especially if dry-etching is used.
    The method is employed effectively in semiconductor processing and can be used to fabricate Schottky barrier diodes and/or the metallization for integrated circuits on silicon wafers (1) containing semiconductor devices.

    摘要翻译： 在金属薄膜（5）和有机聚合物（6）的基底上涂层涂层被沉积。 通过聚合物（6）形成开口（10）的图案。 在其上可选择性地除去薄膜（5）和聚合物（6）的存在下沉积物质层（11）。 聚合物（6）溶解，其上提起其上的层。 去除薄膜（5）的暴露部分。 由于在剥离过程中被金属薄膜（5）保护，所以在施加该方法时，基材不会被污染，特别是如果使用干法蚀刻。 该方法在半导体处理中有效地使用，并且可以用于在包含半导体器件的硅晶片（1）上制造用于集成电路的肖特基势垒二极管和/或金属化。

    Verfahren zur Herstellung von Isolationsbereichen in Silicium
    4.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung von Isolationsbereichen in Silicium 失效
    在Silicium的Verfahren zur Herstellung von Isolationsbereichen。

    公开(公告)号：EP0025129A2

    公开(公告)日：1981-03-18

    申请号：EP80104760.6

    申请日：1980-08-12

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Lever, Reginald Frank ,  Mauer, John Lester ,  Michel, Alwin Earl ,  Rothman, Laura Beth

    IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

    CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76229 ,  Y10S148/131

    摘要： Bei dem Verfahren zur Herstellung von Isolationsbereichen in Silicium werden tiefe, breite Gräben in die planare Oberfläche eines Siliciumsubstrats geätzt; eine dünne SiO 2 -Schicht auf der planaren Oberfläche des Substrats und auf den Oberflächen der Gräben gebildet; eine Glasharzschicht auf die planare Oberfläche des Substrats aufgetragen und die Gräben mit Glasharz ausgefüllt und ein Teil des Glasharzes von der planaren Oberfläche des Substrats mittels Schleudern entfernt. Nach dem Härten des Substrats erfolgt eine Bestrahlung des Glasharzes in den Gräben mit Elektronenstrahlen, eine Entwicklung mit Lösungsmittel und Erhitzen des Substrats in Sauerstoffatmosphäre zur Umwandlung des Glasharzes in den Gräben in Siliciumdioxid. Um eine planare Oberfläche zu erhalten, wird eine Siliciumdioxidschicht auf die Oberfläche des Substrats aufgetragen und diese anschließend biszum Siliciumsubstratwiederabgetragen.
    Das Verfahren wird in integrierten Schaltungen verwendet, um Schaltungselementevoneinanderzu isolieren.

    摘要翻译： 一种用于在硅半导体衬底的平面表面中提供深宽二氧化硅填充沟槽的平面深氧化物隔离工艺，所述方法包括以下步骤：（a）在硅衬底的平面表面中形成深宽沟槽; （b）在硅衬底的平面表面和所述深宽沟槽的暴露的硅表面上形成二氧化硅薄层; （c）将树脂玻璃（聚硅氧烷）施加到所述深宽沟槽的所述半导体衬底的平面上; （d）在基板的平面上脱出树脂玻璃的至少一部分; （e）在低温下烘烤基材; （f）将包含在基底的深宽沟槽内的树脂玻璃暴露于电子束的能量; （g）在溶剂中显影所述基板上所含的树脂玻璃; （h）在氧气中加热所述衬底以将包含在所述深宽沟槽内的所述树脂玻璃转化为二氧化硅; （i）沉积二氧化硅层以在所述衬底的暴露表面上提供平面二氧化硅表面; 和（j）将暴露的二氧化硅表面平坦化到衬底的硅。 一种用于在前面段落中提供的硅半导体衬底的平坦表面中提供深宽二氧化硅填充沟槽的平面深氧化物隔离工艺，其中执行以下步骤代替权利要求1的步骤i，所述步骤包括：（ i-1）应用树脂玻璃的第二薄层; 和（i-2）将所述树脂玻璃转化为二氧化硅。