公开(公告)号：EP0004871B1

公开(公告)日：1981-10-07

申请号：EP79100816.2

申请日：1979-03-16

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Heuber, Klaus, Dipl.-Ing. ,  Klink, Erich, Dipl.-Ing. ,  Rudolph, Volker, Dipl.-Phys. ,  Wiedmann, Siegfried, Dr. Ing.

IPC分类号： H01L27/08 ,  G11C11/40 ,  H01L27/02

CPC分类号： G11C11/4113 ,  H01L21/761 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0821 ,  H03K3/288

公开(公告)号：EP0000472A1

公开(公告)日：1979-02-07

申请号：EP78100195.3

申请日：1978-06-19

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Klein, Wilfried ,  Klink, Erich, Dipl.-Ing. ,  Rudolph, Volker, Dipl.-Phys. ,  Wernicke,Friedrich,Dipl.-Ing.

IPC分类号： H01L27/06 ,  G11C11/40

CPC分类号： H01L27/0788 ,  G11C11/416

摘要： Eine hochintegrierte Halbleiteranordnung für eine Dioden-/Widerstandskonfiguration läßt sich erreichen durch eine besondere Integration einer Schottky-Diode mit einem Pinch-Widerstand, dessen Pinch-Dotierungsbereich (5) das Kathodenanschlußdotierungsgebiet der Schottky-Diode darstellt. Der Schottky-Kontakt wird gleichzeitig mit dem Widerstandsanschluß durch eine gemeinsame den zugehörigen P/N-Übergang überlappende Elektrode (A) gebildet. Derweitere Kontakt für den Widerstand 1 äßt sich dadurch einsparen, daß sich der Widerstandsbereich (4) bis in den umgebenden Isolationsbereich (2) hinein erstreckt, über dessen Potential die entsprechende Spannungszufuhr beim Einsatz des Widerstandes als Ableitwiderstand erfolgt.

摘要翻译： 高度集成的半导体器件旨在作为与集成存储器的选择器线路配合的分离二极管。 电阻器（R）是夹紧型的，其钳位掺杂区域（5）大于电阻器掺杂区域（4）的横截面尺寸。 同时，其形成用于肖特基二极管（D）的阴极连接掺杂区域。 优选地，夹持掺杂区域携带用于肖特基二极管阴极端子的连接触点（K）。 该掺杂区域具有与周围半导体材料（3）相同的导电性，但是具有较高的掺杂速率，足以与该区域上的金属电极形成欧姆接触。 在夹持掺杂区域外部的电阻区域（4）上设置有延伸超过电阻区域的金属接触（A）。

公开(公告)号：EP0000472B1

公开(公告)日：1981-02-11

申请号：EP78100195.3

申请日：1978-06-19

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Klein, Wilfried ,  Klink, Erich, Dipl.-Ing. ,  Rudolph, Volker, Dipl.-Phys. ,  Wernicke,Friedrich,Dipl.-Ing.

IPC分类号： H01L27/06 ,  G11C11/40

CPC分类号： H01L27/0788 ,  G11C11/416

公开(公告)号：EP0004871A1

公开(公告)日：1979-10-31

申请号：EP79100816.2

申请日：1979-03-16

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Heuber, Klaus, Dipl.-Ing. ,  Klink, Erich, Dipl.-Ing. ,  Rudolph, Volker, Dipl.-Phys. ,  Wiedmann, Siegfried, Dr. Ing.

IPC分类号： H01L27/08 ,  G11C11/40 ,  H01L27/02

CPC分类号： G11C11/4113 ,  H01L21/761 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0821 ,  H03K3/288

摘要： Monolithisch integrierte Halbleiteranordnung mit mindestenseiner I 2 L-Struktur, die eine Injektionszone (P1) und einen invertierenden Transistor (T1) enthält. Dabei ist die Injektionszone (P1) und lateral dazu die Basiszone (P2) des gleichen ersten Leitungstyps in einer die Emitterzone des Transistors bildenden Halbleiterschicht (N1) des zweiten Leitungstyps angeordnet. Der Transistor (T1) ist durch eine in der Basiszone (P1) liegende Kollektorzone (N2) des zweiten Leitungstyps vervollständigt. Die I 2 L-Struktur ist mindestens teilweise von einer in einem vorgegebenen Abstand in die Halbleiterschicht eingebrachten Trennzone (N') umgeben. Ausgehend von festliegenden Minimalabmessungen der Struktur wird eine maximale Injektion von der Injektionszone (P1) in die Basiszone (P2) und bei leitendem Transistor (T1) ebenso eine maximale Rückinjektion von der Basiszone (P2) in die Injektionszone (P1) durch Sicherstellung der maximal möglichen Länge der sich gegenüberliegenden aktiven Kanten der Injektionszone (P1) und der Basiszone (P2) erzielt. Gleichzeitig wird sichergestellt, daß die auftretenden parasitären Kapazitäten relativ gering bleiben. Diese Ergebnisse werden dadurch erzielt, daß die Injektionszone (P1) und die Basiszone (P2) jeweils im Bereich ihrer beiden sich gegenüberliegenden Kanten bis zu oder in die Trennzone (N + ) ausgedehnt sind, während sie im Bereich ihrer restlichen Kanten den vorgegebenen Abstand davon aufweisen.

摘要翻译： 具有至少一个I²L结构单片集成半导体装置，其包括一个注入区域（P1）和反相晶体管（T1）。 在这种情况下，喷射区域（P1）和横向于基极区域（P2）是在晶体管形成设置在第二导电型的半导体层（N1）的发射极区相同的第一导电类型。 晶体管（T1）位于由所述第二导电类型的基区（P1）集电极区（N2）被完成。 该I²L结构由在所述半导体层分离区的预定距离引入包围至少部分地（N <+>）。 从结构的固定最小尺寸开始，从在基极区域（P2）和导通的晶体管（T1）为在注射区（P1）的基部区域（P2）的最大再注入的注入区域（P1）最大喷射通过确保最大可能的 注射区（P1）的相对活性的边缘长度和所述获得的基部区域（P2）。 同时确保了所发生的寄生电容保持相对较低。 这些结果认为实现在注入区域（P1）和所述基部区域（P2）至或进入分离区（N <+>）分别伸出在其两个边缘相对的区域中，而在他们的其余边缘的区域中的预定 有距离的位置。