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    Semiconductor device with contact structure and method of manufacturing the same
    2.
    发明公开
    Semiconductor device with contact structure and method of manufacturing the same 失效
    Halbleitervorrichtung mit Kontaktstruktur und Herstellungsverfahren。

    公开(公告)号：EP0631309A2

    公开(公告)日：1994-12-28

    申请号：EP94304660.7

    申请日：1994-06-27

    申请人： KAWASAKI STEEL CORPORATION

    发明人： Shinriki, Hiroshi, c/o Kawasaki Steel Corporation ,  Takeyasu, Nobuyuki, c/o Kawasaki Steel Corporation ,  Komiya, Takayuki, c/o Kawasaki Steel Corporation ,  Ohta, Tomohiro, c/o Kawasaki Steel Corporation ,  Yamamoto, Hiroshi, c/o Kawasaki Steel Corporation

    IPC分类号： H01L21/90

    CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor device with a contact structure includes a silicon substrate (21), a diffusion region (28) formed in a surface of the silicon substrate, a silicide film (29c) of high melting point metal deposited on the diffusion region, an insulating film (30) formed on the silicon substrate, a contact hole (31) formed in the insulating film such that the silicide film is exposed at a bottom of the contact hole, an anti-diffusion film (35) formed on the exposed surface of the silicide film at the bottom of the contact film, a plug (32) formed in the contact hole by selective Al CVD, and a metal wiring (33) formed on the insulating film such that the metal wiring is electrically connected to the diffusion region by means of the plug, anti-diffusion film and silicide film. The anti-diffusion film may be formed by nitriding the surface of the silicide film.

    摘要翻译： 具有接触结构的半导体器件包括硅衬底（21），形成在硅衬底的表面中的扩散区（28），沉积在扩散区上的高熔点金属的硅化物膜（29c），绝缘膜 （30），形成在所述绝缘膜中的接触孔（31），使得所述硅化物膜在所述接触孔的底部露出，形成在所述接触孔的暴露表面上的防扩散膜（35） 在接触膜的底部的硅化物膜，通过选择性Al CVD形成在接触孔中的插塞（32）和形成在绝缘膜上的金属布线（33），使得金属布线通过 插头，防扩散膜和硅化物膜的手段。 反扩散膜可以通过氮化硅化物膜的表面而形成。