公开(公告)号：EP2875166A4

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：EP13819216

申请日：2013-07-19

申请人： L AIR LIQUIDE SOCIÉTÉ ANONYME POUR L ETUDE ET L EXPL DES PROCÉDÉS GEORGES CLAUDE

发明人： DUSSARRAT CHRISTIAN ,  KUCHENBEISER GLENN ,  PALLEM VENKATESWARA R

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC分类号： C07F7/025 ,  B05D1/60 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532

摘要： Disclosed are Si-containing thin film forming precursors, methods of synthesizing the same, and methods of using the same to deposit silicon-containing films using vapor deposition processes for manufacturing semiconductors, photovoltaics, LCD-TFT, flat panel-type devices, refractory materials, or aeronautics.

公开(公告)号：EP2556181A4

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：EP11766624

申请日：2011-04-06

申请人： L AIR LIQUIDE SOCIÉTÉ ANONYME POUR L ETUDE ET L EXPL DES PROCÉDÉS GEORGES CLAUDE

发明人： PALLEM VENKATESWARA R ,  DUSSARRAT CHRISTIAN

IPC分类号： C23C16/30 ,  C07F7/28 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/22 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C07F7/006 ,  C07F7/28 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28229