公开(公告)号：EP1338683A2

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：EP03005910.9

申请日：1998-10-15

申请人： Lumilog

发明人： Haffouz, Soufien ,  Gibart, Pierre ,  Guillaume, Bernard ,  Nataf, Gilles ,  Vaille, Michel ,  Beaumont, Bernard

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L33/00 ,  C30B29/40

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341

摘要： La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une couche épitaxiale de nitrure de gallium (GaN) caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt sur un substrat d'une couche de diélectrique fonctionnant comme un masque et la reprise du substrat masqué par du nitrure de gallium, dans des conditions de dépôt par épitaxie, de façon à induire le dépôt de motifs de nitrure de gallium et la croissance anisotrope et latérale desdits motifs, la croissance latérale étant poursuivie jusqu'à la coalescence des différents motifs.
Le procédé de dépôt de motifs de nitrure de gallium peut être effectué ex-situ par gravure de diélectrique ou in-situ par traitement du substrat consistant à recouvrir celui-ci par un film diélectrique dont l'épaisseur est de l'ordre de l'angström.
L'invention concerne également les couches de nitrure de gallium susceptibles d'être obtenues par le procédé.

摘要翻译： 通过在衬底（1）上沉积介电掩模层（3）形成外延氮化镓层，然后通过各向异性和横向生长再次进行GaN外延以引起GaN区域的沉积和随后的这些区域（6）的聚结。 还包括独立权利要求：（i）通过上述方法形成的外延氮化镓层; 和（ii）设置有上述外延氮化镓层的光电子部件，特别是激光二极管。 优选特征：衬底（1）由蓝宝石，ZnO，6H-SiC或LiAlO 2组成。 电介质层（3）由SixNy组成。

公开(公告)号：EP1338683A3

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：EP03005910.9

申请日：1998-10-15

申请人： Lumilog

发明人： Haffouz, Soufien ,  Gibart, Pierre ,  Guillaume, Bernard ,  Nataf, Gilles ,  Vaille, Michel ,  Beaumont, Bernard

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L33/00 ,  C30B29/40

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341

摘要： La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une couche épitaxiale de nitrure de gallium (GaN) caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt sur un substrat d'une couche de diélectrique fonctionnant comme un masque et la reprise du substrat masqué par du nitrure de gallium, dans des conditions de dépôt par épitaxie, de façon à induire le dépôt de motifs de nitrure de gallium et la croissance anisotrope et latérale desdits motifs, la croissance latérale étant poursuivie jusqu'à la coalescence des différents motifs.
Le procédé de dépôt de motifs de nitrure de gallium peut être effectué ex-situ par gravure de diélectrique ou in-situ par traitement du substrat consistant à recouvrir celui-ci par un film diélectrique dont l'épaisseur est de l'ordre de l'angström.
L'invention concerne également les couches de nitrure de gallium susceptibles d'être obtenues par le procédé.

公开(公告)号：EP1514297A2

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：EP03755219.7

申请日：2003-05-28

申请人： Lumilog

发明人： Lahreche, Hacène ,  Nataf, Gilles,La Closerie Marina - Bât. A ,  Beaumont, Bernard

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76248 ,  H01L33/0079 ,  Y10S117/915

摘要： The invention concerns the preparation of gallium nitride films by epitaxy with reduced defect density levels. It concerns a method for producing a gallium nitride (GaN) film by epitaxial deposition of GaN. The invention is characterized in that it comprises at least a step of epitaxial lateral overgrowth and in that it comprises a step which consists in separating part of the GaN layer from its substrate by embrittlement through direct ion implantation in the GaN substrate. The invention also concerns the films obtainable by said method as well as the optoelectronic and electronic components provided with said gallium nitride films.