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发明公开
Method for protecting the periphery of a semiconductor wafer during an etching step 失效
标题翻译： Verfahren zum Schutz der Peripherie eines HalbleiterwaferswährendeinesÄtzvorgangs。

公开(公告)号：EP0601298A1

公开(公告)日：1994-06-15

申请号：EP93115975.0

申请日：1993-10-04

申请人： MOTOROLA, INC.

发明人： Pennell, Ronald C. , Baskett, Ira E. , Ford, Lynn William

IPC分类号： H01L21/306 , G01L9/00

CPC分类号： G01L9/0042 , H01L21/30608

摘要： A method of etching a semiconductor wafer (20) includes providing a wafer (20) having a portion thereof to be etched. A highly doped region is formed in the periphery (24) of the wafer (20) which is subsequently etched. The highly doped region of the wafer (20) is substantially etch resistant to an etchant relative to the portion of the wafer (20) being etched.

摘要翻译： 蚀刻半导体晶片（20）的方法包括提供具有待蚀刻部分的晶片（20）。在晶片（20）的周边（24）中形成高度掺杂的区域，随后被蚀刻。相对于被蚀刻的晶片（20）的部分，晶片（20）的高掺杂区域对蚀刻剂基本上是耐蚀刻的。