公开(公告)号：EP0736757B1

公开(公告)日：1999-01-07

申请号：EP96104684.4

申请日：1996-03-25

申请人： MOTOROLA, INC.

发明人： Maudie, Theresa A. ,  Monk, David J. ,  Savage, Timothy S.

IPC分类号： G01L19/06 ,  G01D11/24

CPC分类号： G01L19/0627 ,  G01L19/141 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/85909 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49776 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP0736757A1

公开(公告)日：1996-10-09

申请号：EP96104684.4

申请日：1996-03-25

申请人： MOTOROLA, INC.

发明人： Maudie, Theresa A. ,  Monk, David J. ,  Savage, Timothy S.

IPC分类号： G01L19/06 ,  G01D11/24

CPC分类号： G01L19/0627 ,  G01L19/141 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/85909 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49776 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/00

摘要： A media compatible microsensor structure (11) for sensing an environmental condition in a harsh media includes an inorganic protective film (17) covering portions of the structure that will be exposed to the harsh media, e.g. the walls of a semi-conductor pressure sensor cavity. E.g. a silicon oxide, nitride, or carbide film is formed by plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) below 450 or 200 degrees Celsius with a thickness in a range from 0.2 to 1.5 micro meters. Also metals or their silicides may be used: Al,Au,Pt,V,W,Ti,Cr,Ni.

摘要翻译： 用于感测恶劣介质中的环境状况的介质兼容微传感器结构（11）包括覆盖将暴露于恶劣介质的部分结构的无机保护膜（17），例如， 半导体压力传感器腔壁。 例如。 氧化硅，氮化物或碳化物膜通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）形成，低于450或200摄氏度，厚度在0.2至1.5微米的范围内。 也可以使用金属或其硅化物：Al，Au，Pt，V，W，Ti，Cr，Ni。