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    Vorrichtung zur Detektion eines Gases oder Gasgemischs und Verfahren zum Herstellen einer solchen
    1.
    发明公开
    Vorrichtung zur Detektion eines Gases oder Gasgemischs und Verfahren zum Herstellen einer solchen 有权
    装置用于检测气体或气体混合物和工艺用于制造这种

    公开(公告)号：EP2244090A1

    公开(公告)日：2010-10-27

    申请号：EP10004218.3

    申请日：2010-04-21

    申请人： Micronas GmbH

    发明人： Wilbertz, Christoph, Dr. ,  Frerichs, Heinz-Peter, Dr. ,  Freund, Ingo, Dipl.-Ing. (FH)

    IPC分类号： G01N27/414

    CPC分类号： G01N27/4143

    摘要： Eine Vorrichtung (1) zur Detektion eines Gases oder Gasgemischs hat einen ersten und einem zweiten Gassensor. Der erste Gassensor ist ein MOSFET, der eine erste Source (9), eine erste Drain (8), einen zwischen diesen befindlichen ersten Kanalbereich (10) und eine kapazitiv an den ersten Kanalbereich (10) gekoppelte erste gassensitive Schicht (11) aufweist, die Palladium enthält und mit einer Änderung ihrer Austrittsarbeit auf eine Änderung der Konzentration des zu detektierenden Gases reagiert. Der zweite Gassensor hat in einem Halbleitersubstrat (13, 13') eine zweite Source (16, 16'), eine zweite Drain (15, 15') und zwischen diesen einen zweiten Kanalbereich (17, 17') hat, der über einen Luftspalt (19, 19') kapazitiv an ein Suspended Gate gekoppelt ist. Dieses weist eine zweite gassensitive Schicht (12) auf, die mit einer Änderung ihrer Austrittsarbeit auf eine Änderung der Konzentration des zu detektierenden Gases reagiert. Die zweite gassensitive Schicht (12) ist an einer Trägerschicht angeordnet und dem Luftspalt (19, 19') zugewandt. Die Trägerschicht ist durch ein weiteres Halbleitersubstrat (6) gebildet und der erste Gassensor ist in die dem Luftspalt (19, 19') abgewandte Vorderseite des zweiten Halbleitersubstrats (13, 13') integriert.

    摘要翻译： 该方法包括产生两个半导体芯片（4,5）与所述源之间respectivement半导体基板（6，13）中，提供了其与respectivement源（9，16），漏极（8,15）和沟道区（10） 水渠。 半导体芯片海誓山盟所以做了气体敏感区域（12）相关联并且电容连接到沟道区域中的一个以上在空气间隙相对地定位。 半导体芯片相对于彼此在气隙位置是固定的。 因此独立claimsoft包含用于检测气体包括气体传感器的装置。

    Verfahren zum Messen der Konzentration eines Gases
    2.
    发明公开
    Verfahren zum Messen der Konzentration eines Gases 有权
    Verfahren zum Messen der Konzentration eines气体

    公开(公告)号：EP2105732A1

    公开(公告)日：2009-09-30

    申请号：EP09004230.0

    申请日：2009-03-25

    申请人： Micronas GMBH

    发明人： Frerichs, Heinz-Peter, Dr. ,  Zimmer, Hans-Günter ,  Kolleth, Tobias ,  Wilbertz, Christoph, Dr.

    IPC分类号： G01N27/414 ,  G01N27/12

    CPC分类号： G01N27/4143

    摘要： Bei einem Verfahren zum Messen der Konzentration eines Zielgases wird ein Gassensor (1) bereit gestellt, dessen Sensorsignal (20) bei konstanter Temperatur von einer Zielgaskonzentration (21) abhängig ist und in einem ersten Aussteuerungsbereich (29) eine geringere Messempfindlichkeit aufweist als in einem zweiten Aussteuerungsbereich (30). Die Lage der Aussteuerungsberelche (29, 30) ist von der Temperatur abhängig. Die Temperatur des Gassensors (1) wird derart geregelt, dass das Sensorsignal (20) Im Wesentlichen von der Zielgaskonzentration (21) unabhängig ist und in dem zweiten Aussteuerungsbereich (30) liegt. Die Temperatur des Gassensors (1) ist dann ein Maß für die Zielgaskonzentration (21). ( Fig. 5 )

    摘要翻译： 该方法包括提供电解液栅极FET，电容控制FET，开尔文传感器或气体敏感部分作为气体传感器，其通过气体曝光改变电阻，其中气体传感器的传感器信号（20）依赖于 目标气体浓度（21）恒温。 调节气体传感器的温度，使得传感器信号与目标气体浓度无关，并处于调制范围（30），其中气体传感器的温度是目标气体浓度的测量。