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    Verfahren zum Messen der Konzentration eines Gases
    6.
    发明公开
    Verfahren zum Messen der Konzentration eines Gases 有权
    Verfahren zum Messen der Konzentration eines气体

    公开(公告)号：EP2105732A1

    公开(公告)日：2009-09-30

    申请号：EP09004230.0

    申请日：2009-03-25

    申请人： Micronas GMBH

    发明人： Frerichs, Heinz-Peter, Dr. ,  Zimmer, Hans-Günter ,  Kolleth, Tobias ,  Wilbertz, Christoph, Dr.

    IPC分类号： G01N27/414 ,  G01N27/12

    CPC分类号： G01N27/4143

    摘要： Bei einem Verfahren zum Messen der Konzentration eines Zielgases wird ein Gassensor (1) bereit gestellt, dessen Sensorsignal (20) bei konstanter Temperatur von einer Zielgaskonzentration (21) abhängig ist und in einem ersten Aussteuerungsbereich (29) eine geringere Messempfindlichkeit aufweist als in einem zweiten Aussteuerungsbereich (30). Die Lage der Aussteuerungsberelche (29, 30) ist von der Temperatur abhängig. Die Temperatur des Gassensors (1) wird derart geregelt, dass das Sensorsignal (20) Im Wesentlichen von der Zielgaskonzentration (21) unabhängig ist und in dem zweiten Aussteuerungsbereich (30) liegt. Die Temperatur des Gassensors (1) ist dann ein Maß für die Zielgaskonzentration (21). ( Fig. 5 )

    摘要翻译： 该方法包括提供电解液栅极FET，电容控制FET，开尔文传感器或气体敏感部分作为气体传感器，其通过气体曝光改变电阻，其中气体传感器的传感器信号（20）依赖于 目标气体浓度（21）恒温。 调节气体传感器的温度，使得传感器信号与目标气体浓度无关，并处于调制范围（30），其中气体传感器的温度是目标气体浓度的测量。

    Halbleitergehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses
    9.
    发明公开
    Halbleitergehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses 有权
    Halbleitergehäuseund Verfahren zur Herstellung einesHalbleitergehäuses

    公开(公告)号：EP2549529A1

    公开(公告)日：2013-01-23

    申请号：EP11010292.8

    申请日：2011-12-29

    申请人： Micronas GmbH

    发明人： Kolleth, Tobias ,  Joos, Christian ,  Stumpf, Pascal

    IPC分类号： H01L23/16 ,  H01L23/31

    CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

    摘要： Halbleitergehäuse aufweisend, einen Metallträger, einen auf dem Metallträger angeordneten Halbleiterkörper mit einer Oberseite und einer Unterseite, wobei die Unterseite mit dem Metallträger kraftschlüssig verbunden ist, und der Halbleiterkörper auf der Oberseite mehrere Metallflächen aufweist, und die Metallflächen zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers mittels Bonddrähten mit Pins verbunden sind, und eine Kunststoffmasse, wobei die Kunststoffmasse die Bonddrähte vollständig und den Halbleiterkörper an dessen Oberseite sowie die Pins teilweise umschließt, und wobei die Kunststoffmasse an der Oberseite des Halbleiterkörpers eine Öffnung aufweist, und einen rahmenförmigen oder ringförmigen Wall auf der Oberseite des Halbleiterkörpers ausgebildet ist, wobei der Wall eine Deckfläche und eine von den Rändern des Halbleiterkörpers beanstandete Grundfläche aufweist und die lichten Innenmaße des Walls die Größe der Öffnung auf der Oberseite des Halbleiterkörpers bestimmt, und wobei in Richtung des Normalenvektors der Fläche auf der Oberseite des Halbleiterkörpers die Kunststoffmasse im Bereich außerhalb der Öffnung im Wesentlichen eine größere Höhe als der Wall aufweist und zwischen der Grundfläche des Walls und der Oberseite des Halbleiterkörpers eine Fixierschicht ausgebildet ist.

    摘要翻译： 半导体封装（10）具有布置在金属支撑件（90）上的半导体结构（80），并且在顶面上设有金属表面（50），用于通过接合线（40）将半导体结构与引脚（60）电接触， 。 塑料块（30）部分地包围接合线和半导体结构。 在半导体结构的顶面上以塑料块形成开口（20）。 在半导体结构的顶面形成环状路堤（110）。 在路堤的下表面和半导体结构的顶面之间形成固定层（105）。 包括用于半导体封装的制造方法的独立权利要求。