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公开(公告)号：EP0899789A1
公开(公告)日：1999-03-03
申请号：EP98114959.4
申请日：1998-08-08
IPC分类号： H01L23/62
CPC分类号： H01L23/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Überspannungsschutzelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Überspannungsschutzelements. Auf einem Substrat 1 sind eine erste Elektrodenschicht 2 und eine zweite Elektrodenschicht 3 übereinander aufgebracht und weisen zueinander ein Abstand d auf, der durch die Dicke einer Abstandsschicht 4 bestimmt ist. Die Abstandsschicht 4 weist eine Durchbrechung 5 auf, die zwischen den Elektrodenschichten 2, 3 einen Hohlraum 6 bildet.
摘要翻译： 保护元件具有基板（1），在其上方具有第一电极层（2）和第二电极层（3），并且距离其距离（d）由隔离层（4）的厚度限定， 通孔（5）在电极层之间形成充气中空室（6）。 电极包含具有非常低的逃逸能量的电子发射材料。
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2.发明公开Halbleiteranordnungen mit einer Schottky-Diode und einer Diode mit einem hochdotierten Bereich und entsprechende Herstellungsverfahren 审中-公开与肖特基二极管与具有高度掺杂区的二极管的半导体器件和相应的制造方法
公开(公告)号：EP1003218A1
公开(公告)日：2000-05-24
申请号：EP99122522.8
申请日：1999-11-12
IPC分类号： H01L27/08 , H01L21/822 , H01L29/866 , H01L29/872 , H01L29/885
CPC分类号： H01L29/872 , H01L27/0814 , H01L29/866 , H01L29/885
摘要： Ein Halbleiter-Bauelement (1a) mit wenigstens einer hochdotierten Diode, insbesondere mit einer Zenerdiode oder einer Tunneldiode, und wenigstens einer parallel geschalteten Schottky Diode, welches ein hochdotiertes Substrat (4,4a) eines ersten Dotierungstyps aufweist, das bereichsweise von einer hochdotierten Schicht (6,15) eines zweiten Dotierungstyps zur Bildung eines pn-Übergangs (8,16) kontaktiert ist und auf dem eine niedrig dotierte Epitaxieschicht (5) gebildet ist. Auf die dem Substrat (4) abgewandte Seite der Epitaxieschicht (5) ist ein die hochdotierte Schicht (6,15) zumindest teilweise überdeckendes Schottkymetall (11) aufgebracht zur Bildung eines Schottky-Übergangs (13,18) zwischen dem Schottkymetall und der Epitaxieschicht (5).
摘要翻译： 的半导体器件具有一个肖特基二极管和二极管具有高掺杂区延伸到所述衬底以形成所述衬底/外延层边界附近的pn结的齐纳。 肖特基金属覆盖扩散区（zone）。 该装置具有至少一个高度掺杂的二极管，爱特别是齐纳二极管或隧道，和至少一个并联连接的肖特基二极管。 相同的掺杂类型的密度较低的掺杂外延层（5）形成在第一掺杂类型的高度掺杂的衬底（4）。 外延层被扩散到一个第二掺杂类型的区域（6）。 在外延层和肖特基金属之间的肖特基结（13）形成在背向所述基板远离所述外延层的一侧。 所述第二掺杂类型的区域是高掺杂区那样延伸到基片，以形成一个pn结的齐纳（8）底物和所述外延层之间的界面附近。 肖特基金属至少部分覆盖扩散区（zone）。 因此独立claimsoft包括用于生产半导体组件的。
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