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发明公开
Process for producing compound semiconductor single crystal 有权
标题翻译：一种生产化合物半导体单晶过程

公开(公告)号：EP1114884A4

公开(公告)日：2001-03-27

申请号：EP01300009

申请日：2001-01-02

申请人： NIKKO MATERIALS CO LTD

发明人： FUJIMURA SHIGETO , ASAHI TOSHIAKI , SATO KENJI

IPC分类号： H01L21/208 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B11/14

CPC分类号： C30B29/48 , C30B11/04 , C30B11/14 , C30B29/40