公开(公告)号：EP1583190B1

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：EP05252041.8

申请日：2005-03-31

申请人： Nichia Corporation

发明人： Matsuyama, Yuji ,  Suzuki, Shinji ,  Ise, Kousuke ,  Michiue, Atsuo ,  Yoneda, Akinori

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

公开(公告)号：EP1583190A1

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：EP05252041.8

申请日：2005-03-31

申请人： Nichia Corporation

发明人： Matsuyama, Yuji ,  Suzuki, Shinji ,  Ise, Kousuke ,  Michiue, Atsuo ,  Yoneda, Akinori

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： A nitride semiconductor laser device comprises, on a principle face of a nitride semiconductor substrate: a nitride semiconductor layer having a first conductivity type; an active layer comprising indium, and a nitride semiconductor layer having a second conductivity type that is different from said first conductivity type, and on the surface of which is formed a stripe ridge; said principal face of said nitride semiconductor substrate having an off angle a (θ a ) with respect to a reference crystal plane, in at least a direction substantially parallel to said stripe ridge.

摘要翻译： 氮化物半导体激光装置在氮化物半导体衬底的（0001）的第一原理面上包括具有第一导电类型的氮化物半导体层，有源层和具有不同的第二导电类型的氮化物半导体层 从第一导电类型，并且在其表面上形成条纹脊。 （000-1）面和除了（000-1）面以外的倾斜面露出在氮化物半导体衬底的第二主面上。 除了（000-1）面以外的倾斜面在第二主面的表面积以上不小于0.5％。