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公开(公告)号：EP2618388B1
公开(公告)日：2019-10-02
申请号：EP12151946.6
申请日：2012-01-20
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公开(公告)号：EP1901357A3
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：EP07016950.3
申请日：2007-08-29
IPC分类号： H01L33/24 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L33/24 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L31/02363 , H01L33/007 , H01L2924/0002 , H01S5/1231 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit
- einem Aufwachssubstrat (1) mit einer strukturierten Aufwachsfläche (2), die eine Vielzahl von Erhebungen (4) und Senken (3) aufweist, und
- einer aktiven Schichtenfolge (5), die auf die Aufwachsfläche (2) aufgebracht ist, angegeben.-
公开(公告)号：EP2518475B1
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：EP11164318.5
申请日：2011-04-29
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N21/643
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公开(公告)号：EP1901357A2
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：EP07016950.3
申请日：2007-08-29
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/24 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L31/02363 , H01L33/007 , H01L2924/0002 , H01S5/1231 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit
- einem Aufwachssubstrat (1) mit einer strukturierten Aufwachsfläche (2), die eine Vielzahl von Erhebungen (4) und Senken (3) aufweist, und
- einer aktiven Schichtenfolge (5), die auf die Aufwachsfläche (2) aufgebracht ist, angegeben.摘要翻译： 光电子半导体芯片具有具有结构化生长表面的生长衬底（1），其具有多个突出部（4）和中空部（3）。 活性系列沉积物（5）施加在生长表面上。 活性系列沉积物的表面积大于生长衬底的横截面积（Q）的面积。 生长衬底由氮化镓，碳化硅，蓝宝石，氮化铟镓，铟铝氮化镓铟锌氧化物组成。
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公开(公告)号：EP2518475A1
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：EP11164318.5
申请日：2011-04-29
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N21/643
摘要： An optical gas sensing device (10) is specified comprising a gas detecting unit (1) wherein the gas detecting unit (1) comprises an array of semiconductor based nanostructures (1a), the nanostructures (1a) each having a surface which is capable of photo-induced adsorption of gas molecules (3) leading to a non-radiative surface-related recombination.
摘要翻译： 一种光学气体检测装置（10），其特征在于包括气体检测单元（1），其中所述气体检测单元（1）包括一组半导体基纳米结构（1a），所述纳米结构（1a）各自具有能够 光诱导的气体分子吸附（3）导致非辐射表面相关重组。
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