公开(公告)号：EP3103899A1

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：EP15759207.2

申请日：2015-02-26

申请人： Osaka University ,  Itochu Plastics Incorporated

发明人： MORI Yusuke ,  YOSHIMURA Masashi ,  IMADE Mamoru ,  ISEMURA Masashi ,  USUI Akira ,  SHIBATA Masatomo ,  YOSHIDA Takehiro

IPC分类号： C30B29/38 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C30B19/02 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208

CPC分类号： C30B29/406 ,  B28D5/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/061 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7813 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3013 ,  H01S2304/06

摘要： A large Group III nitride crystal of high quality with few defects such as a distortion, a dislocation, and warping is produced by vapor phase epitaxy. A method for producing a Group III nitride crystal includes: a first Group III nitride crystal production process of producing a first Group III nitride crystal 1003 by liquid phase epitaxy; and a second Group III nitride crystal production process of producing a second Group III nitride crystal 1004 on the first crystal 1003 by vapor phase epitaxy. In the first Group III nitride crystal production process, the surfaces of seed crystals 1003a (preliminarily provided Group III nitride) are brought into contact with an alkali metal melt, a Group III element and nitrogen are cause to react with each other in a nitrogen-containing atmosphere in the alkali metal melt, and the Group III nitride crystals are bound together by growth of the Group III nitride crystals grown from the seed crystals 1003a to produce a first crystal 1003.

摘要翻译： 的高品质的缺陷少的大型III族氮化物晶体：诸如失真，位错和翘曲，通过气相外延制备。 一种用于制造III族氮化物晶体方法，包括：产生第一III族氮化物晶体1003通过液相外延的第一III族氮化物晶体的生产过程; 以及在所述第一晶体1003通过气相外延在生产1004的第二III族氮化物晶体的第二III族氮化物晶体的生产过程。 在第III族氮化物晶体制造方法中，晶种1003A（预先提供III族氮化物）的表面被过度碱金属熔液接触与，III族元素和氮是引起在氮相互反应 在碱金属的熔融含氧气氛，以及III族氮化物晶体通过从籽晶生长1003A III族氮化物晶体的生长结合在一起以产生第一晶体第一千〇三