公开(公告)号：EP1538666B1

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：EP03815737.6

申请日：2003-07-14

申请人： Panasonic Corporation

发明人： ITOH, Rie c/o Matsuhita Electric Industrial Co.,Ltd., IPROC ,  MATSUNO, Noriaki c/o Matsuhita Electric Industrial Co.,Ltd., IPROC ,  TSUNODA, Masato c/o Matsuhita Electric Industrial Co.,Ltd., IPROC

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01L21/3205 ,  G06F1/04 ,  H01L23/58 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L23/576 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor integrated circuit device (10) comprising an LSI function section (11), and a shield wiring layer (22) formed thereon. The LSI function section (11) comprises a semiconductor substrate (12) and a first insulation film (13) wherein a circuit element including an MOS transistor (14), for example, is formed on the semiconductor substrate (12). The shield wiring layer (22) comprises a lower shield wiring (23), a third insulation film (24), an upper shield wiring (25), and a fourth insulation film (26) formed sequentially on a second insulation film (17). Arranging directions of the lower shield wiring (23) and the upper shield wiring (25) intersect perpendicularly.

摘要翻译： 一种半导体集成电路器件（10），包括一个LSI功能部分（11）和一个形成在其上的屏蔽布线层（22）。 LSI功能部分11包括半导体衬底12和第一绝缘膜13，其中例如包括MOS晶体管14的电路元件形成在半导体衬底12上。 屏蔽布线层22包括依次形成在第二绝缘膜17上的下部屏蔽布线23，第三绝缘膜24，上部屏蔽布线25和第四绝缘膜26， 。 布置下屏蔽布线（23）和上屏蔽布线（25）的方向垂直相交。