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1.发明公开Method of manufacturing a transparent conductor pattern and a liquid crystal display device 失效用于透明导电图案和液晶显示装置的制备方法。
公开(公告)号：EP0660381A1
公开(公告)日：1995-06-28
申请号：EP93203605.6
申请日：1993-12-21
IPC分类号： H01L21/321 , H01L31/18 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L21/0335 , G02F1/13439 , H01L21/32139 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： For manufacturing an at least substantially transparent conductor pattern or a liquid crystal display device provided with such a conductor pattern, an at least substantially transparent conducting layer (3) and a metal layer (4) are successively provided on a substrate (1) and, while masking with an etching mask (5), exposed to an etching bath. According to the invention, the etching bath contains a first etchant for the metal layer (4) and a second etchant for the underlying transparent conducting layer (3), while the bulk etching rate of the metal layer in the first etchant is smaller than the bulk etching rate of the transparent conducting layer in the second etchant. Thus, a conductor pattern can be obtained which has an eminent pattern and edge definition and bevelled edges whose angle of inclination preferably ranges between 25° and 65°.
摘要翻译： 制造至少基本上透明的导体图案或者设置有至少基本上透明的导电层（3）和在金属层上寻求的导体图案的液晶显示装置（4）依次设置在基板（1）和， 而在蚀刻掩模掩蔽（5）暴露于蚀刻浴中。 。根据本发明，该蚀刻浴包含用于金属层（4）和用于下面的透明导电层的第二蚀刻剂的第一蚀刻剂（3），而在所述第一蚀刻剂的金属层的体蚀刻速率比小 在第二蚀刻剂的透明导电层的块状的蚀刻速率。 因此，导体图案可以得到具有卓越的图案和边缘清晰度和倒角的边缘倾斜其角度优选为25°和65°之间的范围内。
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2.发明公开Method of manufacturing an electrically conductive pattern of tin-doped indium oxide (ITO) on a substrate 失效制造锡掺杂Idiumoxid（ITO）构成的基板上的导电图案的方法。
公开(公告)号：EP0560442A1
公开(公告)日：1993-09-15
申请号：EP93200637.2
申请日：1993-03-05
发明人： Scholten, Monica , van den Meerakker, Johannes Engelbertus A. M. , Jacobs, Johannes Wilhelmus Maria
IPC分类号： H01L31/18 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L31/1884 , G02F1/13439 , Y02E10/50
摘要： Tin-doped indium oxide (ITO) can be selectively etched relative to the metals Mo, W and TiW in an etching bath which is obtained by diluting concentrated halogen acid, for example hydrochloric acid, with a liquid having a lower dielectric constant than water, such as acetic acid or methanol. This is particularly advantageous in the manufacture of the MIM switching elements which are present on the active plate of LCDs.
摘要翻译： 掺锡氧化铟（ITO）的相对选择性的蚀刻可以是金属Mo，W和TiW的在蚀刻槽所有这一切是通过稀释浓氢卤酸得到，例如盐酸，用具有比水低的介电常数的液体， ：如乙酸或甲醇。 这是MIM开关元件其存在于LCD的有源板的制造中特别有利的。
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3.发明公开Verfahren zum Stabilisieren von Reinigungsbädern für Si-Scheiben, insbesondere für Halbleiterbauelemente 失效用于稳定SI波形清洁电池的方法，特别适用于半导体器件
公开(公告)号：EP0390254A3
公开(公告)日：1991-11-27
申请号：EP90200654.3
申请日：1990-03-20
IPC分类号： H01L21/306 , G05D21/00
CPC分类号： G05D21/00 , C01B15/01 , C01B15/037
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Stabilisieren von alkalischen, Wasserstoffperoxid (H₂O₂) enthaltenden Reinigungsbädern für Si-Scheiben, insbesondere für Halbleiterbauelemente, bei dem auf einfache Weise sichergestellt wird, daß die H₂O₂-Konzentration des Bades auf Werte absinkt, bei denen die Si-Scheiben angeätzt werden. Dies wird dadurch erreicht, daß in dem Bad das Potential einer Si-Scheibe gegenüber einer Bezugselektrode (Kalomelelektrode) gemessen und die H₂O₂-Konzentration im Bad wieder erhöht wird, wenn sich das Potential stark zu negativeren Werten verschiebt.
摘要翻译： 本发明涉及一种用于稳定含有过氧化氢（H 2 O 2）的Si晶片的碱性清洗液的方法，该晶片特别用于半导体器件。 该方法以简单的方式确保了浴的H 2 O 2浓度降低到Si晶片初始蚀刻的值。 这通过相对于参考电极（甘汞）测量浴中的Si晶片的电位并且如果电位显着地移位到更多的负值则再次增加浴中的H 2 O 2浓度来实现。
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4.发明公开Verfahren zum Stabilisieren von Reinigungsbädern für Si-Scheiben, insbesondere für Halbleiterbauelemente 失效一种用于的Si晶片清洗槽的稳定，特别是半导体装置的方法。
公开(公告)号：EP0390254A2
公开(公告)日：1990-10-03
申请号：EP90200654.3
申请日：1990-03-20
IPC分类号： H01L21/306 , G05D21/00
CPC分类号： G05D21/00 , C01B15/01 , C01B15/037
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Stabilisieren von alkalischen, Wasserstoffperoxid (H₂O₂) enthaltenden Reinigungsbädern für Si-Scheiben, insbesondere für Halbleiterbauelemente, bei dem auf einfache Weise sichergestellt wird, daß die H₂O₂-Konzentration des Bades auf Werte absinkt, bei denen die Si-Scheiben angeätzt werden.
Dies wird dadurch erreicht, daß in dem Bad das Potential einer Si-Scheibe gegenüber einer Bezugselektrode (Kalomelelektrode) gemessen und die H₂O₂-Konzentration im Bad wieder erhöht wird, wenn sich das Potential stark zu negativeren Werten verschiebt.摘要翻译： 本发明涉及一种用于稳定对的Si晶片含有过氧化氢（H2O2）碱性清洗液，将晶片被预期，特别是用于半导体器件。 该方法确保以简单的方式做了浴减小的H 2 O 2浓度以使Si晶片形成初蚀刻值。 这是通过相对于参比电极（甘汞），并再次增加在浴中的过氧化氢浓度，如果电位被显着地移位到更负的值测量在浴Si晶片的电位来实现的。
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5.发明授权Method of manufacturing an electrically conductive pattern of tin-doped indium oxide (ITO) on a substrate 失效在衬底上制造掺锡Idiumoxid（ITO）的导电图案的方法
公开(公告)号：EP0560442B1
公开(公告)日：1996-06-05
申请号：EP93200637.2
申请日：1993-03-05
发明人： Scholten, Monica , van den Meerakker, Johannes Engelbertus A. M. , Jacobs, Johannes Wilhelmus Maria
IPC分类号： H01L31/18 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L31/1884 , G02F1/13439 , Y02E10/50
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